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小型化／低損失に貢献する理想ダイオードIC、新電元：「CEATEC 2023」事前情報
新電元工業は2023年10月17〜20日に開催される「CEATEC 2023」（幕張メッセ）に出展し、機器の小型化／低損失に貢献する最新の理想ダイオードICの実物展示および、従来の逆接続／逆電流防止回路との発熱比較実演を行う。
新電元工業は2023年10月17〜20日に開催される「CEATEC 2023」（幕張メッセ）に出展し、機器の小型化／低損失に貢献する最新の理想ダイオードICを紹介する。
近年、例えば自動車ではECUの消費電力増加に伴い、逆接続／逆電流防止用素子の低損失、小型化のニーズから理想ダイオードの需要が高まっている。新電元工業はこうした需要に応える最新の理想ダイオードICについて、実物の展示および従来の逆接続／逆電流防止回路との発熱比較実演の展示を行う。
具体的には下記の製品などを展示する。
逆電流防止機能内蔵PチャンネルMOSFET MF2003SV V-Diode
逆接続保護／逆電流防止用の理想ダイオードIC。PチャンネルMOSFETと逆接続保護／逆電流防止回路を一体化することで、従来のダイオード（SBD）と比較して低損失化を実現している。また、実装面積／部品点数の低減が可能なため、機器の小型化にも貢献する。
逆電流防止機能内蔵ハイサイドゲートドライバー MF2007SW
逆流防止機能を内蔵したNチャンネルMOSFETゲートドライバーIC。外付けNチャンネルMOSFETと組み合わせることで、逆接続／逆電流防止用途において、従来ダイオード（SBD）と比較して低損失／小型化を実現している。また、双方向導通の半導体リレーとして使うことで、従来のメカニカルリレーと比べて高速応答性／低損失／小型化が実現できる。
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