ASMLとSamsung、次世代EUV装置によるR＆Dファブを共同設立へ：7億7500万ドルで、韓国に

ASMLとSamsung Electronicsが、次世代EUV（極端紫外線）リソグラフィ装置による先端半導体プロセス技術開発のR＆D（研究開発）ファブを韓国に設立するMoU（協業覚書）を締結した。両社は、ファブ設立に向け1兆ウォン（約7億7500万米ドル）を共同出資する。

[永山準，EE Times Japan]

　ASMLとSamsung Electronics（以下、Samsung）は2023年12月12日（オランダ時間）、次世代EUV（極端紫外線）リソグラフィ装置による先端半導体プロセス技術開発のR＆D（研究開発）ファブを韓国に設立するMoU（協業覚書）を締結した。両社は、ファブ設立に向け、1兆ウォン（約7億7500万米ドル）を共同出資する。

　韓国大統領の尹錫悦氏は2023年12月11〜14日の日程でオランダに国賓として訪れていて、12日にASML本社を訪問。同日、韓国産業通商資源部が、ASMLとSamsungによる上記MoUについて発表した。なお、このMoUについてSamsung、ASML両社はプレス発表をしておらず、詳細は不明だ。

SamsungはTSMCに迫れるか

　TSMCを追う立場であるSamsungだが、2022年6月には他社に先駆けて、GAA（Gate-All-Around）トランジスタ構造を適用した3nmプロセスの生産を開始したと発表。さらに今後、2025年には、2nmプロセス（SF2）の量産を、2027年には1.4nmプロセスの量産を開始するという野心的な計画を立て、開発を強化している。

　一方で、TSMCは2nmプロセス（N2）の量産を2025年と予定。1.4nmプロセス（A14）については詳細を明らかにしていないが、米国サンフランシスコで開催された半導体の国際学会「IEDM 2023」（2023年12月9〜13日）のイブニングパネルでのスライドにおいて、2027年以降（2027〜2028年ごろ）に製造開始するとみられる記載をしていたことが報じられている。次世代EUVリソグラフィ装置である高NA（開口数） EUVリソグラフィ装置は、ASMLから2024年に調達予定だ。

TSMCの技術開発ロードマップを紹介するスライド［クリックで拡大］ 出所：Applied Materials

　同部通商交渉本部長の安徳根氏は、「ASMLとSamsungの協業は、激化するチップの微細化競争において、韓国が競争優位を確保できる基盤になる」などと述べている。

　なお、高NA EUVリソグラフィ装置については2023年10月、Intelが米国オレゴン州ヒルズボロにある半導体技術開発施設を拡張する、大規模投資計画を発表した際に、2023年中に「世界で初めて」（同社）納入される予定だと明かしている。

　また、韓国産業通商資源部は同日、ASMLがSK hynixとも、環境に優しいEUV利用によるエネルギー消費削減技術の共同開発に関する契約を締結したことも明かしている。