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Intelがオレゴン拠点の大規模拡張計画を発表23年中に高NA EUV露光装置が納入

Intelが、米国オレゴン州ヒルズボロにある半導体技術開発施設を拡張する、大規模投資計画を発表した。投資額は明かしていないが、CHIPS法からの支援を条件とし、「当社が米国の他拠点で行っている投資に匹敵するものだ」としている。

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 Intelは2023年10月23日(米国時間)、米国オレゴン州ヒルズボロにある半導体技術開発施設を拡張する、大規模投資計画を発表した。投資額は明かしていないが、CHIPS法(正式名称:CHIPS and Science Act)からの支援を条件とし、「当社が米国の他拠点で行っている投資に匹敵するものだ(Intelはアリゾナ州、オハイオ州の両拠点の新工場にそれぞれ約200億米ドル、ニューメキシコ州の工場拡張に35億米ドルの投資を発表している)」と説明している。

米国オレゴン州ヒルズボロ拠点の開発ファブである「D1X」[クリックで拡大] 出所:Intel
米国オレゴン州ヒルズボロ拠点の開発ファブである「D1X」[クリックで拡大] 出所:Intel

 Intelが「Gordon Moore Park」と呼ぶ米国オレゴン州ヒルズボロの同拠点は、Intelのグローバル技術開発組織の本部だ。この組織は、同社の製品ロードマップを支える新たなトランジスタアーキテクチャ、ウエハープロセス、パッケージング技術を開発することで、ムーアの法則を前進させる役割を担っている。同社は2022年4月、同拠点の開発ファブである「D1X」に30億米ドルを投じて拡張した新棟「Mod3」を開設するなど、4年間で5つのノードを立ち上げ、2025年までにプロセス技術のリーダーシップを取り戻すという同社の目標に向けた取り組みを加速してきた。

米国の他拠点での投資に匹敵する規模

 今回、新たに発表した投資計画は、下記の内容を含む。

  • 既存の技術開発施設の継続的な強化。大幅なアップグレードによって、最新のプロセス技術と装置を導入し、同キャンパスをイノベーションの最前線に据える
  • 世界初の高NA EUVリソグラフィ装置が2023年中に納入される計画
  • 研究開発および製造能力を将来的に数十億ドル規模で拡張するための許可申請手続き開始

 Intelは今回の投資規模について、CHIPS法からの支援を条件とし、「当社が米国の他拠点で行っている投資に匹敵するものだ」と説明。この投資によって、数千人の新規常用雇用および建設雇用を創出する見込みだという。

 Intelのエグゼクティブバイスプレジデント兼技術開発担当ゼネラルマネジャーであるAnn Kelleher氏は、「Intelは、オレゴン州において約50年にわたり、イノベーションの推進とテクノロジーの発展に尽力してきた。そして、オレゴン州とCHIPS法の支援を受け、半導体研究開発と製造における米国のリーダーシップを回復するために主導的な役割を果たすことになる。今回の投資は、『シリコンフォレスト(オレゴン州ポートランド都市圏のハイテク企業クラスタの通称)』とグローバル半導体サプライチェーンのリバランスに対する当社のコミットメントをさらに強固なものにするものだ」と述べている。

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