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VB法で6インチβ型酸化ガリウム単結晶を作製大口径化と高品質化でコストダウン

ノベルクリスタルテクノロジーは、垂直ブリッジマン(VB)法を用い、直径6インチのβ型酸化ガリウム(β-Ga2O3)単結晶を作製することに成功した。単結晶基板の大口径化と高品質化により、β-Ga2O3パワーデバイスのコストダウンが可能となる。

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大口径化に向けて、信州大学が発案した育成技術を継承

 ノベルクリスタルテクノロジーは2023年12月、垂直ブリッジマン(VB)法を用い、直径6インチのβ型酸化ガリウム(β-Ga2O3)単結晶を作製することに成功したと発表した。単結晶基板の大口径化と高品質化により、β-Ga2O3パワーデバイスのコストダウンが可能となる。

 パワーデバイス向け材料として、SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)が注目されている。β-Ga2O3は、これらの材料に比べさらに大きいバンドギャップエネルギーを有する。このため、電気自動車や鉄道車両、産業機器などの機器に向けた、より高性能のパワーデバイスを実現できる可能性が高い。

 ノベルクリスタルテクノロジーはこれまで、EFG(Edge-defined Film-fed Growth)法を用いた単結晶製造技術を開発。既に2インチおよび100mm基板を開発し、研究開発用として販売してきた。しかし、β-Ga2O3パワーデバイスを広く普及させるためには、低コスト化が必須となっており、単結晶基板の大口径化に取り組むことにした。

 VB法を用いたβ-Ga2O3単結晶の育成技術は信州大学が発案し、これまで2インチおよび4インチの単結晶を作製している。ノベルクリスタルテクノロジーは、この育成技術を信州大学から引き継ぎ、大口径で高品質のβ-Ga2O3基板を作製することにした。

 VB法は、原料を入れたるつぼを温度勾配のある炉内に格納し、原料を溶融させた後にるつぼを引き上げて凝固させる育成方法。このため、るつぼと同じ形の結晶が得られる。るつぼ内の融液を凝固させるため、さまざまな基板の面方位を作製可能という特長もある。また、温度勾配が小さい環境で育成できるため、EFG法などの引き上げ法に比べ、結晶の高品質化が可能となる。ドーパント濃度の面内均一性も向上できるという。

 VB法6インチ結晶育成装置を用いて作製した結晶は、種結晶から最終固化部まで透明であり、単結晶であることが分かる。直径が最も広い定径部は6インチ以上であった。

左はEFG法、右はVB法の概要
左はEFG法、右はVB法の概要[クリックで拡大] 出所:ノベルクリスタルテクノロジー
VB法で作製した6インチ単結晶。左が全体像、右上は種結晶側、右下は最終固化部側の外観
VB法で作製した6インチ単結晶。左が全体像、右上は種結晶側、右下は最終固化部側の外観[クリックで拡大] 出所:ノベルクリスタルテクノロジー

 「X線トポグラフィー法」という結晶欠陥評価手法を用い、VB法とEFG法を用いて育成した単結晶基板の品質を、産業技術総合研究所で評価した。この結果、EFG法で作製した基板には、直線状欠陥が高密度に発生していた。これに対しVB法で作製した基板には、直線状欠陥がほぼ発生していないことを確認した。

X線トポグラフィーによる観察像。左はEFG法によって作製した基板、右はVB法によって作製した基板
X線トポグラフィーによる観察像。左はEFG法によって作製した基板、右はVB法によって作製した基板[クリックで拡大] 出所:ノベルクリスタルテクノロジー

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