ルネサス、GaN半導体メーカー・Transphormを買収：買収総額は約492億円

[竹本達哉，EE Times Japan]

売上高1651万ドルで営業損失2877万ドル

　ルネサス エレクトロニクスは2024年1月11日、Transphorm（トランスフォーム）を買収すると発表した。買収額は、約3億3900万米ドル（約492億円）。2024年下半期の買収完了を予定する。

ルネサスエレクトロニクス CEOの柴田英利氏（右）とTransphorm CEOのPrimit Parikh氏 提供：ルネサス エレクトロニクス

　Transphormは、米カリフォルニア州ゴレタに本社を置く2007年に創業したGaN（窒化ガリウム）を用いたパワー半導体メーカー。2014年に富士通セミコンダクター（当時）のGaNパワーデバイス事業を統合。ゴレタと福島県会津若松市に製造拠点を持つ。2023年3月期の売上高は1651万米ドルで、営業損益は2877万米ドルの赤字だった。

SiCとGaNの両方を展開へ

TransphormのGaNパワーデバイス製品 出所：Transphorm

　ルネサスはTransphormの買収に関して、「GaN技術を獲得し、ワイドバンドギャップのポートフォリオを拡充する。GaNは、より高いスイッチング周波数、より低い電力損失、そしてより小さい形状を実現し、顧客のシステムコストを低減しながら、高効率化、小型化、軽量化できる。そのため、GaNの市場が年率50％以上成長するとの市場予測もある。ルネサスは、車載用規格に対応したTransphormのGaN技術を生かし、急速に拡大する市場機会に対して、EV向けX-in-1パワートレイン用途やコンピューティング、エネルギー、産業、民生向けのパワーソリューションの提供力を強化する」としている。

　ルネサスは、GaNと並ぶワイドバンドギャップ素材であるSiC（炭化ケイ素）を用いたパワー半導体についても、SiCウエハーメーカーのWolfspeedと10年間のSiCウエハー供給契約を締結し、自社工場での生産ライン新設して2025年からの量産を予定している。Transphormの買収により、GaNパワーデバイス、SiCパワーデバイスの双方を手掛けることになる。

　買収は、ルネサスが子会社を通じ現金によってTransphormの全株式を取得。取得額は、2024年1月10日終値に約35％、直近6カ月平均株価に対し約78％のプレミアムを上乗せした1株5.10米ドルで、買収総額は約3億3900万米ドルになる。ルネサスとTransphormの両社は2024年1月11日に合併契約を締結している。