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新幹線「N700S」の省エネに貢献するSiCパワー半導体を展示、富士電機主変換装置の重量を70%削減(2/2 ページ)

富士電機は、「第1回 パワーデバイス&モジュール EXPO」(2024年1月24〜26日/東京ビッグサイト)に出展し、新幹線の省エネ化目的で使用されているSiC(炭化ケイ素)パワー半導体やxEV(電動車)用IGBTモジュールの分解/組み立てサンプルを展示した。

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xEV用の直接冷却型IGBTモジュールの分解/組み立てサンプル

 富士電機は、xEV(電動車)用の直接冷却型IGBTモジュール「M653」の分解/組み立てサンプルも展示した。

 M653は、冷却水が流れる流路を最適化し、放熱性能を高めた第3世代水冷技術を採用している。担当者は「数十万回使っても性能が変化しないための工夫をした」と説明した。

xEV用の直接冷却型IGBTモジュールの分解/組み立てサンプル
xEV用の直接冷却型IGBTモジュールの分解/組み立てサンプル[クリックで拡大]

 大月氏は、富士電機のパワー半導体分野での強みについて「信頼性が強みだ。パワー半導体製品を売るだけでなく、用途や設計まで考えた製品づくりを心掛けている」と語った。会場では、体験用に、素手で触れるSiCウエハー(6インチ)も展示していた。来場者は、普段触る機会がないSiCウエハーを触って楽しんでいた。なお、8インチのSiCウエハーについては「2025年を目標に開発を進めている」(同氏)という。

素手で触れるSiCウエハー
素手で触れるSiCウエハーを持つ大月氏[クリックで拡大]

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