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プラグアンドプレイmSiCゲートドライバーを開発高電圧SiCパワーモジュール向け

Microchip Technologyは、耐圧3.3kVのSiCモジュールを駆動するための絶縁型プラグアンドプレイmSiCゲートドライバー「XIFM」を開発、受注を始めた。

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電源システムの設計と評価に要する期間を大幅に短縮

 Microchip Technologyは2024年2月、耐圧3.3kVのSiCモジュールを駆動するための絶縁型プラグアンドプレイmSiCゲートドライバー「XIFM」を開発、受注を始めた。

 新製品は、ゲートドライバーの回路設計やテスト、認定といった複雑な開発作業を終えていて、電源システムの開発期間を大幅に短縮することができる。モジュール性能を最適化するように調整された「ターンオン/オフ」ゲート駆動プロファイルも設定済みである。「従来のアナログソリューションに比べ設計期間を最大50%短縮できる」(同社)という。

 また、10.2 kV耐圧の一次/二次間強化絶縁を備えた。さらに、温度やDCリンク監視、UVLO(低電圧ロックアウト)、OVLO(過電圧ロックアウト)、短絡/過電流保護(DESAT)、NTC温度監視といった監視/保護機能も内蔵した。鉄道規格の「EN 50155」にも準拠している。


新製品の外観[クリックで拡大] 出所:Microchip

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