AIデータセンターなどで採用の「転換点」迎えるGaNパワー半導体：電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記

市場は6年で7倍に。

[永山準，EE Times Japan]

　この記事は、2024年2月3日発行の「電子機器設計／組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan／EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。

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AIデータセンターなどで採用の「転換点」迎えるGaNパワー半導体

　世界の半導体市場はAIブームにけん引されたGPUやメモリなどを除いて足元では厳しい状況が続いていますが、近年普及が加速している窒化ガリウム（GaN）パワー半導体市場は今後も高い成長率で拡大していくことが予想されています。そして、これまで民生向けにけん引されて成長を続けて来たこのGaNパワー半導体が現在、AIデータセンターや車載など複数分野において採用の「転換点」を迎えているといわれています。

　フランスの市場調査会社Yole Intelligenceが2024年12月に発行した市場モニターによると、GaNパワーデバイス市場は2023年から2029年まで年平均成長率（CAGR）41％で伸び、2029年には20億米ドル超にまで拡大することが予測されています。シリコンはもちろん炭化ケイ素（SiC）パワー半導体と比べてもまだまだ市場規模は小さいですが、その成長率は6年で約7倍と非常に高く、開発／投資はますます活発化しています。