GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート：EE Exclusive（10/10 ページ）

世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。

[永山準，EE Times Japan]

東芝初の車載インバーター向け1200V耐圧SiC MOSFET

　SiC MOSFETについては、東芝は2024年11月に同社初となる車載インバーター向けの1200V耐圧SiC MOSFETを発表。ベアダイ製品のサンプル出荷も行っている。

　東芝が手掛けるのはショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵のSiC MOSFETだ。SBD内蔵のSiC MOSFETでは、SBDに電流を流し、結晶欠陥の拡大を引き起こす順方向電流を流さないようにすることで、特性の変動を防止できる。一方で内蔵SBDがチップ面積の一部を占有することは、MOSFETのオン動作の抵抗を決めるチャネル領域の面積を減少させ、チップのオン抵抗の上昇に直結するが、東芝は内蔵するSBDの配置を工夫（従来のストライプ配置から市松模様に変更）することで、低オン抵抗と高信頼性を実現したとしている。

東芝のxEVインバーター向けSiC MOSFETについて［クリックで拡大］

　今回、会場ではxEVインバーター向け各製品について、ベアダイの他、高耐圧かつ小型パッケージを実現する2in1仕様のRC-IGBT搭載両面放熱モジュールや、2in1仕様のSiCモジュールのサンプルを公開。説明担当者は「パッケージベースのビジネスと、ダイベースビジネスの2つのアプローチによって顧客の要望に幅広く対応していく」と語っていた。

上が2in1仕様のRC-IGBT搭載両面放熱モジュール、下は2in1仕様のSiCモジュールのサンプル［クリックで拡大］

　東芝のSiCに関しては、2025年6月、東芝デバイス＆ストレージが高温環境下での動作が求められる電気自動車（EV）や再生可能エネルギーなどの電力変換用途に向け、信頼性と効率の向上を可能にする「SiCトレンチMOSFET」と「SiCスーパージャンクションショットキーバリアダイオード（SJ-SBD）」を開発したとも発表。競争力強化に向けた取り組みが進んでいる。