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キオクシアが第10世代BiCS FLASHで332層を選んだ理由:「過度な高積層化には課題」(3/3 ページ)
キオクシアホールディングスのメモリ事業部長である井上敦史氏が、第10世代「BiCS FLASH」の開発状況や主要性能、技術的な狙いなどについて語った。
開発は順調、読み出し時40%超の電力効率向上
第10世代BiCS FLASHの開発は順調に進行しているという。
性能面では、第8世代比でビット密度が59%向上。インタフェース速度は33%向上し、読み出しスループットは15%以上、書き込みスループットは30%以上向上している。
また、特に電力効率の改善については、読み出し時で40%以上、書き込み時で30%以上向上。同社は2025年の経営方針説明会時点で約10%の改善を見込むと報告していたが、大幅な向上を達成している。
第10世代BiCS FLASHの1Tbit TLC製品は「KIOXIA CMシリーズ」をはじめとする高性能/高帯域SSD製品に搭載される予定だという。井上氏は「現在、開発の最終フェーズである信頼性試験を行っていて、2026年夏頃のサンプル出荷を予定している」と説明。量産時期については、顧客認定を進めた上で「約1年後に市場の状況を見極めながら量産移行していきたい」としている。
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