ローム、新型の上面放熱パッケージ採用SiC MOSFET：挿入型と同等レベルの放熱性能

ロームは、放熱面をパッケージ上面に配置した新型パッケージを採用することで、高い放熱性と耐圧を両立させた炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発し、量産を始めた。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

自動実装可能な面実装タイプ、xEVのOBCやサーバ用電源などに適応

　ロームは2026年7月、放熱面をパッケージ上面に配置した新型パッケージを採用することで、高い放熱性と耐圧を両立させた炭化ケイ素（SiC） MOSFETを開発し、量産を始めたと発表した。

TSC3PAKを採用したSiC MOSFETの外観［クリックで拡大］ 出所：ローム

　SiCデバイスは、電動車（xEV）のオンボードチャージャー（OBC）やサーバ用電源、太陽光発電（PV）インバーターなどの用途で需要が拡大している。これらの用途では動作時の発熱を効率よく逃がすため、挿入型パッケージが主流となっている。一方で、手作業で基板実装を行ったり、低背化が難しかったりするなど課題もあった。こうした中、SiC MOSFETにも自動実装に対応できる面実装タイプの製品要求が高まっていた。

　新たに開発したパッケージ「TSC3PAK」は外形寸法が14.00×18.58×3.50mmで、放射面をパッケージ上面に設けた構造だ。これにより、従来の挿入型パッケージ（TO-247-4L）と同等レベルの放熱特性を実現した。

　絶縁対策としてパッケージには独自の溝を設けた。これによって業界最高クラスの沿面距離6.66mmを確保した。また、一般的なパッケージとの互換性を保ちながら、汚染度2環境下で1200VのACピーク電圧対応を実現した。

　TSC3PAKを用いたSiC MOSFETとして今回は、最大定格750Vでオン抵抗が13／20／26／36／45／65mΩの製品および、最大定格1200Vでオン抵抗が18／27／36／50／62／90mΩの製品を用意した。

TSC3PAK採用のSiC MOSFET製品群［クリックで拡大］ 出所：ローム

　新製品はROHM Online Storeの他、Arrow.comやコアスタッフオンラインなどから購入できる。サンプル価格（税別）は5500円だ。ローム公式Webサイトから、シミュレーションモデルも入手できる。