最大1000万IOPS キオクシアが「Super High IOPS SSD」第1弾を開発：NVIDIA Storage-Next向け

キオクシアは2026年8月4日、AIアプリケーション向けのSuper High IOPS SSD「KIOXIA GP1シリーズ」を開発したと発表した。同社が2026年3月に開発を発表した「KIOXIA GPシリーズ」の最初の製品だ。第2世代「XL-FLASH」を採用し、最大1000万IOPSのランダムリード性能を実現した。

[永山準，EE Times Japan]

　キオクシアは2026年8月4日、AIアプリケーション向けのSuper High IOPS SSD「KIOXIA GP1シリーズ」を開発したと発表した。同社が2026年3月に開発を発表した「KIOXIA GPシリーズ」の最初の製品だ。GPUによるダイレクトアクセスに対応するとともに、第2世代「XL-FLASH」を採用することで、最大1000万IOPSのランダムリード性能を実現した。

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第2世代XL-FLASH採用、GPシリーズ最初の製品

　キオクシアはAI推論システム向けに3つのSSD製品群を展開する方針を示している。KVキャッシュ用途向けの高帯域SSD「KIOXIA CMシリーズ」、大容量データの保存を担うQLCフラッシュメモリ搭載「KIOXIA LCシリーズ」、そして超高IOPSで広帯域メモリ（HBM）を補完／拡張する「KIOXIA GPシリーズ」だ。

　GPシリーズは、NVIDIA Storage-Next向けに開発された製品で、GPUとの直接連携を前提としている。2026年6月に開催した事業戦略説明会では、GPシリーズを「推論AIシステムにおける低レイテンシ、高IOPSデータアクセスを担う主力製品」だと強調。低遅延の専用NANDであるXL-FLASHと専用SoC（System on Chip）を組み合わせ、一般的なSSDより細かな512バイト単位でのアクセスを可能とし、極めて低いレイテンシと高いIOPS性能、IO当たりの低消費電力を実現するとしている。

　今回発表したGP1シリーズは、第2世代のXL-FLASHを採用し、512バイト単位で最大1000万ランダムリードIOPSを実現するとしている。また、PCIe 6.0およびNVMe 2.2への対応に加え、フォームファクターとしてE3.SとE1.S（9.5mm／15mm）を用意。E3.SおよびE1.S 9.5mmモデルは空冷と液冷の両方に対応し、全フォームファクターで従来の空冷環境にも対応する。さらに最大50DWPD（Drive Writes Per Day：総書き込み容量（TBW）をドライブユーザー容量（TB）と定格寿命の日数で除した値）の書き込み耐久性を備えるとしている。

　キオクシアは「KIOXIA GP1シリーズは、HBMを高速なフラッシュメモリベースの階層として拡張する新しいAIストレージアーキテクチャに対応する。AIシステムはHBMを増設する場合と比べて大幅に低いコストで、より大規模なデータセットにアクセスすることが可能となり、GPU利用効率の向上にも寄与する」と述べている。

1億IOPSへの拡張視野に設計したアーキテクチャ

　キオクシアは将来のAIシステムでは1億IOPSを超える性能が求められるとの見通しを示していて、2027年には第3世代XL-FLASHとPCIe 7.0を採用した次世代品で1億IOPSを目指すロードマップも明らかにしている。今回のGP1シリーズの発表でも「本アーキテクチャは、現在の1000万ランダムリードIOPSから、将来的には最大1億IOPSを目指した拡張を視野に設計されている」と説明していた。

　GP1シリーズの評価用サンプルは2026年末までに限定顧客向けへの出荷を開始する予定だ。なお、キオクシアは同製品を2026年8月4〜6日に米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: The Future of Memory and Storage」で展示するという。