SK hynixの四半期業績、5四半期連続で売上高と営業利益が過去最高を更新：福田昭のストレージ通信（320）（2/2 ページ）

今回はSK hynixの2026年度第2四半期（2026年4月〜6月期）の四半期業績を紹介する。

[福田昭，EE Times Japan]

売上高に占めるNANDフラッシュの比率が6ポイント上昇

　SK hynixの主力製品はDRAMとNANDフラッシュメモリである。2026年度第2四半期（2026年4月〜6月期）の売上高に占めるDRAMの割合は前期比5ポイント減の73％、NANDフラッシュメモリの割合は同6ポイント増の27％となった。金額そのものは両者とも前期比で増加した。

　DRAMの平均販売価格は前期比で30％前後の上昇と値上がりが続く。ビット換算の出荷量は前期比で7〜8（high-single）％前後の成長率である。

　NANDフラッシュメモリの平均販売価格は前期比で50％前後（mid-50％）と前期に続いてDRAMを超える大きな上昇率を見せた。ビット換算の出荷量は前期比で15％（mid-teen）前後の成長率となった。

DRAMとNANDフラッシュメモリの売上高推移と用途別比率の推移［クリックで拡大］ 出所：SK hynix（2026年7月29日に公表された連結決算概要のプレスリリースから）

　製品別のハイライトはHBM、DRAM、NANDフラッシュメモリに分けて説明した。HBM（広帯域DRAMモジュール）は性能と歩留まり、品質、供給能力をさらに高める。最新製品のHBM4は2026年第2四半期（今期）に量産出荷を開始した。2026年下半期には生産数量を急速に上昇させ、フル生産に移行させる。また次世代品となるHBM4Eのサンプルを大口顧客に供給し始めた。なおHBM4Eの製造技術には1c（1γ）nmノード世代を採用した。DRAMでは、1c（1γ）nmノード世代によるSOCAMM2モジュールのフル生産を始めた。

　NANDフラッシュメモリでは、2026年第1四半期のNANDフラッシュ生産に占める321層世代NANDフラッシュの比率が最も大きくなった。2026年末までには記憶容量ベース（国内生産のみ）で同世代の生産能力比率を50％に増やすことを目標とする。

（次回に続く）

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