DRAM／SSDの課題解決 キオクシアの最新フラッシュメモリ技術：FMS展示内容を紹介（2/2 ページ）

キオクシアは、半導体メモリとストレージに関するイベント「FMS: the Future of Memory and Storage」で紹介した技術のメディア向け説明会を開催し、AI時代のフラッシュメモリの課題や、それにこたえる製品展開について紹介した。

[杉山康介，EE Times Japan]

フラッシュメモリの電力効率改善でSSDを進化

　SSDの消費電力は、半分以上をフラッシュメモリが占める。PCIeインタフェースのSSDは供給できる電力量が決まっていることもあり、シーケンシャルライト性能は電力制限によって、本来出せるはずの性能を出せずにいる。またPCIe 7.0ではランダムリード性能も同じ状況になると見込まれる。このことから、松寺氏は「SSDをさらに進化させるためには、フラッシュメモリの電力効率を上げることが大事だ」と述べる。

省電力化の重要性［クリックで拡大］

　キオクシアは2026年7月から、北上工場（岩手県北上市）で第10世代の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の製造を開始するとともに、1Tb（テラビット）TLC（Triple-Level-Cell）製品のサンプル出荷も開始した。第8世代品と比べてビット密度は59％、読み出し電力効率は40％、書き込み電力効率は30％向上している。

　これに電力効率を改善した新インタフェースチップを組み合わせることで、パッケージ当たり最大4TBの容量と、第8世代品から読み出し電力効率100％、書き込み電力効率40％の向上を実現した。「電力効率を改善した第10世代BiCS FLASHによって、PCIe 7.0でランダムリードの飽和性能を引き出すことを期待している」（松寺氏）

左＝第10世代BiCS FLASH、右＝第8世代品との比較［クリックで拡大］

　また第3世代XL-FLASHや、第10世代BiCS FLASHの2Tb QLC品も開発中で、ともに前世代品と比べて読み出し／書き込み性能や電力効率を大きく改善できる見込みだとした。

開発中の第3世代XL-FLASHと第10世代BiCS FLASHの2Tb QLC品［クリックで拡大］