パワーデバイスの最新動向やAIの電力課題を語る 「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」開催！：2026年12月3〜4日／視聴無料

EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2026年12月3〜4日にオンラインで開催いたします。基調講演4本をご紹介します。

[EE Times Japan]

　カーボンニュートラルや省エネの実現が急務になる中、パワーエレクトロニクスへの注目度が高まっています。特に、生成AIをはじめとするAI技術の急速な発展と普及は、データセンターの消費電力増という深刻な課題をもたらしています。

　そうした中で、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などの次世代パワーデバイスを含め、パワーエレクトロニクス技術には大きな期待が寄せられています。

　EE Times JapanとEDN Japanは2026年12月3〜4日、「パワーデバイスの進化がもたらすAI時代の電力革新」をテーマに掲げ、パワーデバイスに特化したオンラインセミナーを開催します。

　基調講演では、パワーデバイスおよび制御技術の動向に加え、特に注目度が高いAIデータセンターの電力課題にフォーカスし、最新情報をお届けします。

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基調講演のご紹介

・基調講演1-1　12月3日（木）13:00〜13:40

株式会社マルエム商会 取締役　浙江大学MBA、浙江工業大学MBA客員教授、上海大学名誉教授　横 伸二 氏

「“第二次増産体制に入る中国SiC”――『中国製造2025』政策が変えた世界のSiCシナリオ」

浙江大学MBA教授としての知見と現地工場調査を基に、中国のSiCパワー半導体産業の開発・製造動向、国家戦略「中国製造2025」と中国式市場経済の実態を解説します。

　

・基調講演1-2　12月3日（木）15:10〜15:50

株式会社FLOSFIA 代表取締役社長　天田 健嗣 氏

「α型酸化ガリウムパワーデバイス 〜社会実装への現在地と展望〜」

SiC／GaNに続く第3の選択肢として期待が高まる酸化ガリウム。バリガ性能指数でSiCを大きく上回り、サファイア基板を用いることで低コスト化も狙えるといいます。本講演では、α型酸化ガリウムの材料特性と得意領域、MOSFETの実証状況、ウエハー大口径化の進捗、協業による実用化への道筋を解説します。

　

・基調講演2-1　12月4日（金）13:00〜13:40

NTTドコモビジネス株式会社　イノベーションセンター IOWN推進室 エバンジェリスト　林 雅之 氏

「800V DCと光電融合技術が拓く次世代AIデータセンター」

AIの急速な進展とGPUの高密度化により、AIデータセンターでは電力供給と高速データ伝送への対応が重要となっています。本講演では、800V DCアーキテクチャが求められる背景や取り組み、政策等の動向を俯瞰。さらに、光電融合技術による高速・低消費電力化を取り上げ、次世代AIデータセンターの技術と将来像を展望します。

　

・基調講演2-2　12月4日（金）15:10〜15:50

関西大学　システム理工学部 グリーンエレクトロニクス工学科 教授　上田 哲三 氏

「GaNパワーデバイスの最新技術：AIデータセンター電力消費低減への期待」

AIデータセンターにおいては半導体に電力を供給する電源回路の高効率化と小型化が強く求められていて、材料物性に優れたGaNパワーデバイスの採用加速とさらなる特性改善が期待されています。本講演ではAIデータセンターに適用可能なGaNパワーデバイス開発の最新技術と将来展望について解説します。

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