BMW、GaNパワー半導体の供給確保へ Si基板を用いた窒化物超伝導量子ビットを開発 インフィニオン、300mmウエハー新工場の操業開始 オン抵抗6mΩ品など耐圧750VのSiC FETを発表 昭和電工、ロームとSiCエピウエハーの長期供給契約 インフィニオン、パナと第2世代GaNパワー半導体を共同開発へ 産総研ら、SiCウエハーの高速研磨技術を開発 航空宇宙用途のSiCパワーモジュール開発、Microchip サンケン電気、高圧3相モーター用ドライバ開発