ロームとGaN Systemsが協業、将来的に共同生産も：GaNパワーデバイス

[竹本達哉，EE Times Japan]

　ロームとGaN Systems（ガンシステムズ）は2018年6月5日、GaN（窒化ガリウム）パワーデバイス事業における協業を開始したと発表した。GaNパワーデバイス用パッケージを共同開発する他、チップ開発や生産、販売での協業も検討、実施するという。

写真はイメージです。 写真：アフロ

　GaN Systemsは、カナダに本社を置く、2008年設立のGaNパワーデバイス専門メーカー。既に、HEMT（高電子移動度トランジスタ）構造を用いた650V耐圧、100V耐圧のGaNパワートランジスタを製品化し、展開している。

　一方、ロームは、GaNパワーデバイスと並ぶ新素材を用いた次世代パワーデバイスであるSiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの製品化で先行するとともに、2000年代からGaNパワーデバイスの研究開発を並行して実施。SiCパワーデバイスは650V以上の高耐圧領域に向けたデバイス、GaNパワーデバイスは耐圧100〜200V領域に向けたデバイスと位置付けて開発を実施している。

中耐圧、高周波領域の製品ラインアップを埋める

　今回の協業は、GaN SystemsのGaNパワートランジスタ技術と、ロームのSiCパワーデバイスを含む各種半導体、電子部品の設計、製造、販売といった総合力を組み合わせ、両社が互換性のある製品を提供し、GaNパワーデバイスの普及促進を図るもの。

　協業はまず、両社のパッケージング技術を用いてGaNデバイスに最適な製品を共同開発する方針。同時に、GaNパワートランジスタの共同開発や、共同での生産、販売サポートの実施も検討していく。

　ロームでは、「協業により、SiCパワートランジスタや開発中の100〜200V耐圧クラスのGaNパワートランジスタでは、カバーできない650V以下の中耐圧クラスのラインアップが整う。ロームとして、2019年度には、中耐圧クラスのGaNパワーデバイスを提供できるようになる見込み」としている。