三菱電機、耐圧1200VのSiCパワー半導体を開発：太陽光発電やEV用充電器向け

三菱電機は、SiC（炭化ケイ素）を用いた耐圧1200Vのパワー半導体「1200V SiC-SBD」5タイプを開発した。EV用充電器の電源システム用途などに向ける。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

AEC-Q101準拠の製品もラインアップ

　三菱電機は2019年3月、SiC（炭化ケイ素）を用いた耐圧1200Vのパワー半導体「1200V SiC-SBD」5タイプを開発したと発表した。太陽光発電装置やEV用充電器などの電源システム向けに2019年6月からサンプル出荷を始め、2020年1月から順次発売する。

　新製品は、スイッチング損失を大幅に削減しており、シリコンベースのダイオード製品に比べて電力損失を約21％低減できるという。高速スイッチングを可能にすることで、リアクトルなど小型の電子部品を採用することができる。また、pn接合とショットキー接合を組み合わせたJBS（Junction Barrier Schottky）構造にしたことで、高いサージ耐量を実現した。

　1200V SiC-SBDは、定格電流10Aでサージ電流耐量が95Aの製品が「BD10120S」と「BD10120P」。定格電流20Aでサージ電流耐量が155Aの製品として「BD20120S」「BD20120P」および、車載電子部品の品質規格「AEC-Q101」準拠の「BD20120SJ」を用意した。パッケージは、「TO-247」と絶縁距離を拡大した「TO-247-2」で供給する。外形寸法は15.9×41.0×5.0mmである。

1200V SiC-SBDの外観。左がTO-247パッケージ品、右がTO-247-2パッケージ品

　サンプル価格（税別）は、定格1200V／10A品が600円、定格1200V／20A品が1000円となっている。

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