176層3D NAND搭載SSDや1αnm LPDDR4Xの量産を開始:Micronが発表
Micron Technology(以下、Micron)は2021年6月2日(台湾時間)、オンラインで開催中の「COMPUTEX TAIPEI 2021」(2021年5月31日〜6月30日)で、176層の3D(3次元) NAND型フラッシュメモリを採用したPCIe Gen4対応SSDの量産出荷を発表した。
Micron Technology(以下、Micron)は2021年6月2日(台湾時間)、オンラインで開催中の「COMPUTEX TAIPEI 2021」(2021年5月31日〜6月30日)で、176層の3D(3次元) NAND型フラッシュメモリを採用したPCIe Gen4対応SSDの量産出荷を発表した。
量産出荷を開始するSSDは「Micron 3400」と「Micron 2450」。どちらも、TLC(Triple Level Cell)の176層NANDフラッシュを用いていて、PCIe Gen4(4レーン)/NVMe 1.4接続に対応する。容量はMicron 3400が512G〜2Tバイト、Micron 2450が256G〜1Tバイトとなっている。
Micron 3400は、1Znm世代品に比べて読み取りスループットが2倍、書き込みスループットが最大85%向上しているという。
MicronのStorage Business UnitでCorporate Vice PresidentおよびGeneral Managerを務めるJeremy Werner氏は、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の影響でリモートワークやオンライン対応が増え、PC市場が復活したことに触れ、「より小型で低消費電力、より大容量で安価なメモリやストレージが求められている。Micronは、これらの要求に応えるべく、176層3D NANDフラッシュベースのSSDの量産をいち早くスタートした」と語る。
1αnm世代のLPDDR4X
併せて、1α(アルファ)nm世代のLPDDR4Xの量産出荷も発表した。さらに、1αnmを適用したDDR4は、AMDのサーバ向けCPUである第3世代「EPYC」をはじめ、主要なデータセンタープラットフォームでの検証が完了している。
Micronは2021年1月に、1αnm世代のDRAM製品の生産と出荷を開始したと発表した。1αnm DRAMは、1Znm DRAMに比べてメモリ密度が40%向上し、消費電力は15%低減するという。
MicronはDDR5への移行を見据え、「TEP(Technology Enablement Program/技術支援プログラム)」を2020年に発表した。DDR5に対応するプラットフォーム導入に向けてエコシステムを準備することが目的で、半導体メーカーからEDAツールメーカー、販売チャネルパートナー、クラウドサービスプロバイターなど既に100社を超える企業が参加している。
車載向けのUFS 3.1
車載規格に準拠したUFS(Universal Flash Storage) 3.1も発表した。96層の3D NANDフラッシュを搭載し、128Gバイト品と256Gバイト品をそろえる。MicronのUFS 3.1では、UFS 2.1に比べて読み込み速度を2倍に高速化した。サンプル出荷は既に開始していて、2021年第3四半期に量産出荷を開始する。
Micronは過去30年以上にわたり、車載ビジネスに携わってきた。MicronのEmbedded Business UnitでCorporate Vice PresidentおよびGeneral Managerを務めるKris Baxter氏は、「UFS 3.1対応のNANDフラッシュにより、より多くのインスタントオンの機能をドライバーに提供できるようになる。OTA(Over The Air)によるアップデートや、コンテンツダウンロードもより高速に行える」と語った。
同氏は「PCやモバイルに適用したメモリ/ストレージ技術を、いかに早く自動車に適用するかが重要になっている」と続ける。「例えばLPDDR4やUFS 3.1は、スマートフォンに導入されてからわずか1〜2年で自動車にも適用可能になった。DDR2が自動車に導入されたのが、PCに適用されてから約4年後だったことを考えると、より短いサイクルになっている。ユーザーの期待に応えるには、そうした導入時期の差を短縮していくことが重要だ。Micronは、メモリやストレージ技術がクルマでも導入可能かどうか、トランジスタレベル、ファームウェアレベル、システムレベルのいずれにおいても確認している」(同氏)
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