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AMDが開発した「Zen4」CPUダイのメモリ構成福田昭のデバイス通信(374)(2/2 ページ)

今回は「Zen4」コアを内蔵するダイ(CCD:Core Complex Die)のメモリ構成をご紹介する。

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EPYCプロセッサの3次キャッシュ容量は前世代の1.5倍に拡大

 3次キャッシュ(L3キャッシュ)あるいはラストレベルキャッシュ(LLC)は、CCDの各CPUコアが共有するシェアードキャッシュである。CPUコア当たりの記憶容量は4Mバイトで、Zen3と変わらない。CCDはZen3とZen4ともに8個のCPUコアを搭載する。このため、CCDが内蔵する3次キャッシュの記憶容量は32Mバイトのままである。


Zen4プロセッサの3次キャッシュ(ラストレベルキャッシュ)は各CPUコアが共有する。記憶容量はCPUコア当たりで4Mバイトであり、全体では32Mバイトとなる。なお「CCX(Core Complex)」はCPUコアと2次キャッシュ、3次キャッシュをまとめたマクロ(IP)を意味する。外部とやりとりする入出力回路をCCXに加えたシリコンダイ(ミニダイあるいはチップレット)が「CCD(Core Complex Die)」である[クリックで拡大] 出所:AMD

 ただし第4世代EPYCは1個のプロセッサが最大で12枚のCCDを搭載する。第3世代EPYCが最大で8枚であったから、プロセッサが搭載可能な3次キャッシュの記憶容量は第3世代EPYCの256Mバイトから、第4世代EPYCでは384Mバイトと1.5倍に拡大した。


サーバ用プロセッサ「EPYC」の世代別概要。左端が第1世代。カッコ内は開発コード名。その右が第2世代、さらにその右が第3世代と進む。右端が第4世代[クリックで拡大] 出所:AMD

 なお前世代(第3世代)のEPYCプロセッサは、CCD当たりの3次キャッシュをシリコンダイ積層技術によって96Mバイトに拡大できた。CCDと、64Mバイトの3次キャッシュダイをハイブリッド接合技術によって積層する。AMDはこの技術を「3D V-Cache」と呼んでいる。この技術を採用した第3世代EPYCプロセッサは最大で768Mバイトと巨大な3次キャッシュを備える。


64Mバイトの3次キャッシュダイをハイブリッド接合技術によってCCDと積層する「3D V-Cache」の構造図[クリックで拡大] 出所:AMDが2021年8月22日に国際学会「Hot Chips 33」のチュートリアルセッションで発表したスライド

(次回に続く)

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