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超高速駆動制御IC技術でGaN製品の性能を最大化：最小制御パルス幅を2ナノ秒へ
ロームは、GaN（窒化ガリウム）デバイスの性能を最大化することができる「超高速駆動制御」IC技術を確立した。2023年後半には、この技術を搭載した100V入力1chの「DC-DCコントロールIC」を開発し、サンプル出荷を始める予定。
対応するDC-DCコントロールICを2023年後半にサンプル出荷
ロームは2023年3月、GaN（窒化ガリウム）デバイスの性能を最大化することができる「超高速駆動制御」IC技術を確立したと発表。この技術を搭載した100V入力1chの「DC-DCコントロールIC」を開発し、2023年後半にもサンプル出荷を始める予定。
今回開発した技術は、電源ICで培った超高速パルス制御技術「Nano Pulse Control」をさらに進化させた。独自の回路構成により制御ICの最小制御パルス幅を、業界最高レベルの2ナノ秒まで向上させた。これまでは9ナノ秒であった。
これにより、48V系や24V系の用途を中心に、高電圧から低電圧への降圧変換を1個の電源ICで構成することが可能になる。高周波スイッチングによる周辺部品の小型化にも貢献する。開発中のDC-DCコントロールICとGaNデバイス「EcoGaNシリーズ」を組み合わせると、一般的な電源回路に比べ実装面積を86％も削減できるという。
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