200Gbpsの受信用光デバイスを24年内量産へ、三菱電機：次世代800Gbps／1.6Tbps通信を見据え（2/2 ページ）

三菱電機は2024年8月20日、データセンター向け光トランシーバーに搭載する受信用光デバイスの新製品として、800Gbps／1.6Tbps光ファイバー通信用の200Gビット/秒 pin-PD（Photo Diode）チップ「PD7CP47」を発表した。2024年内の量産開始を見込む。

[半田翔希，EE Times Japan]

受信用光デバイスでも「世界シェアNo.1」を目指す

　三菱電機は、InP（インジウムリン）化合物半導体を使った光半導体に強みを持っている。2022年度に行った同社の調査では「送信用EML（Electro-absorption Modulator integrated Laser diode）チップでは、世界シェアの50％を持っていた」という。2024年4月には、光トランシーバーに搭載される送信用の光デバイス「200Gbps（112Gbaud PAM4）EMLチップ」の量産を開始している。

左＝三菱電機の光デバイス市場ポートフォリオの変遷／右＝200Gbps（112Gbaud PAM4）EMLチップの概要［クリックで拡大］ 出所：三菱電機

　昨今、生成AI（人工知能）の利用拡大に伴い市場が急拡大しているデータセンターでは、光ファイバー通信速度が、従来の400Gbpsから800Gbpsや1.6Tbpsへと移行しつつある。一方で、光トランシーバーは、送信用の光デバイスでは800Gbpsや1.6Tbps対応品が市場に投入されているのに対し、受信用の光デバイスでは性能を満たす製品が少なかった。

データセンターの市場動向［クリックで拡大］ 出所：三菱電機

　山内氏は、三菱電機が今まで受信用の光デバイスを提供してこなかった理由について「現在主流である100Gbps品は、Si（シリコン）系の半導体などでも製造できるため、三菱電機が得意とするInPで市場優位を取ることは難しかった」と述べ、「一方で、200Gbpsでは、InPの物性や当社の製造技術／生産能力が最大限に生かせるため、市場参入を決めた」と説明した。

　今後の光デバイスの販売戦略について、同氏は、「光トランシーバーにおいて、送信用光デバイスと受信用光デバイスは対になる存在だ。三菱電機は今後、200Gbpsに対応した送信用／受信用光デバイスをセットで提供することで、光トランシーバーの通信容量拡大およびデータセンター内通信の高速／大容量化に貢献する。将来的には、送信用光デバイスと同じく50％以上のシェアを狙っていく」と語った。

三菱電機の800Gbps／1.6Tbpsデータセンター用光デバイス［クリックで拡大］

　データセンター向け光トランシーバーに搭載する受信用光デバイスの今後のトレンドについて、同氏は「2025年までは、現状の100Gbps品を8つ組み合わせて800Gbpsを実現する方法が続く。2025年〜2026年にかけて、200Gbpsを4つ組み合わせて800Gbps、あるいは、8つ組み合わせて1.6Tbpsを実現する方法に移行していくだろう」と説明し、「（光デバイスの）業界では、1チップで400Gbpsの実現を目指す流れがある。三菱電機は、400Gbps実現に向けた道筋が既に見えていて、2027年頃までに実現できる見込みだ」と述べた。