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住友化学、6インチGaN on GaNウエハー量産技術の早期確立へパワー半導体向けに大口径化

住友化学は、パワー半導体に向けた「6インチGaN on GaNウエハー」の量産技術を早期に確立していく。NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)が進める2024年度「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」において、「パワーエレクトロニクス用大口径GaN on GaNウエハーの開発」が採択された。

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NEDOプログラムで採択、高品質で低コスト品の開発を加速

 住友化学は2024年11月、NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)が進める2024年度「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」において、「パワーエレクトロニクス用大口径GaN on GaNウエハーの開発」が採択されたと発表した。パワー半導体に向けた「6インチGaN on GaNウエハー」の量産技術を早期に確立していく。

 GaN on GaNウエハーは、GaN(窒化ガリウム)基板の上にGaN層をエピタキシャル成長させたウエハーである。省エネ性や高耐圧で大電流動作といった特長があり、電力インフラやデータセンターサーバ、電気自動車(EV)向け用途などパワーエレクトロニクス用半導体分野で注目されている。

 こうした中で、デバイスのコストダウンには量産に用いるウエハーの大口径化が不可欠である。そこで住友化学は、高品質の6インチGaN on GaNウエハーを量産するための技術を開発していく。具体的には、GaN基板におけるGaN結晶の長尺化や種結晶の高品位化などに取り組んでいく。

技術開発のポイント
技術開発のポイント[クリックで拡大] 出所:住友化学
左から直径2インチ、4インチ、6インチのGaN基板
左から直径2インチ、4インチ、6インチのGaN基板[クリックで拡大] 出所:住友化学

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