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酸化物半導体を用いた新しいDRAM技術を開発 キオクシア:南亜科技と共同開発
キオクシアは、酸化物半導体(InGaZnO)トランジスタを用いて新たなDRAM技術を開発した。オフ電流が極めて少なく、従来のDRAMに比べ消費電力を低減できるという。
InGaZnOトランジスタの製造プロセスと構造を最適化
キオクシアは2024年12月10日、酸化物半導体(InGaZnO)トランジスタを用いて新たなDRAM技術を開発したと発表した。オフ電流が極めて少なく、従来のDRAMに比べ消費電力を低減できるという。AI(人工知能)やポスト5G(第5世代移動通信)用サーバ、IoT(モノのインターネット)製品などに向ける。
OCTRAM(Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)と呼ぶ新たなDRAM技術は、台湾の南亜科技と共同開発した。OCTRAMは、縦型で円筒形に形成したInGaZnOトランジスタを、DRAMのセルトランジスタとして用いた。これにより、4F2レイアウトが可能となり、6F2レイアウトのDRAMに比べ、大容量化が期待できるという。
さらに、InGaZnOトランジスタの製造プロセスと構造を最適化した。これにより、15μA/cellというオン電流と、1aA/cellという極めて少ないオフ電流を実現した。しかも、キャパシター上にInGaZnOトランジスタを形成するための「キャパシター1stプロセス」を採用したことで、キャパシターとInGaZnOトランジスタとの組み合わせを可能にした。
なお、今回の研究成果については、IEEEの電子素子に関する国際会議「IEDM 2024」(米国サンフランシスコで開催)で発表した。
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