「技術絶やさないで」 中国勢が躍進するSiC市場、日本の勝ち筋を探る：名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授 加藤正史氏（3/3 ページ）
高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。
日本企業は「技術者を大切に、技術を途絶えさせないで」
――今後の研究における目標について教えてください。
加藤氏 SiCにはまだ分かっていないことも多いので、それを1つ1つ解明していきたい。評価装置に関してはまだ発表していない新しいアイデアもある。研究者は新しい題材に手が出がちだが、ここまで関わってきたからには残りの研究者人生はSiCを中心に据え、日本のSiC産業に貢献したい。
――研究者の視点から、特に国内企業に伝えたいことは何ですか。
加藤氏 SiC産業において日本の存在感が薄れてしまっているとはいえ、今も三菱電機やデンソーといった企業が健闘している。今後もこうした体制を維持していくには、ウエハーをよく知る技術者を育てていくことが重要だ。買ってきたウエハーを受け入れるだけでなく、良いウエハーと悪いウエハーを見極められなくてはいけないので、中国がトップになったからといって「それなら日本でSiCウエハーは作らなくてもよい」という流れは避けたい。若手技術者もICSCRMなどの学会で最新の発表を見て「きちんと驚ける」くらいには材料の知識をつけてもらい、上流から下流まで見られるようにしてほしい。
部門の縮小などでベテラン技術者の受け皿が少ないのも問題だ。国外への流出の原因にもなっていて、残念に思う。「あの人が引退したらこの技術はどうするのか」と思うこともあるので、技術者を大切にしてほしい。
日本は、Siの半導体ビジネスで最先端プロセスを製造していない「空白期間」を作ってしまった。現在はRapidusを中心に再び最先端半導体製造に取り組んではいるが、一度技術を途絶えさせてしまうともう一度立ち上げるのは大変だ。SiCもビジネス上不利になることもあると思うが、それでも撤退はせず、細々とでも続けてほしい。半導体ビジネスは山あり谷ありで長期的な波があるので難しいことだとは思うが、仮に今が谷でも将来の山に向けてつなげてほしい。
「パワーエレクトロニクス イニシアチブ 2025」開催！
EE Times Japan／EDN Japanは2025年12月4日（木）、「パワーエレクトロニクス イニシアチブ 2025」を開催します。電力変換器の高密度化、GaNパワーデバイスのxEVへの応用、次世代パワーデバイスのパッケージ技術、SiCウエハー加工プロセス研究の最前線などをお届けします。無料でご視聴できますので、ぜひご参加ください！ ※視聴にはアイティメディアIDの登録が必要になります。
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