先端半導体検査用プローブ、タカノが開発：狭ピンピッチや高周波測定に対応

タカノは、プローブピンピッチの狭小化に対応しつつ、高周波の測定なども可能にした「先端半導体検査用プローブ」を開発した。MEMS技術を用いることで半導体デバイスの高集積化、高性能化に対応した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

ピンピッチは20μm以下、ピッチや長さ精度は±1μm以下

　タカノは2026年3月、プローブピンピッチの狭小化に対応しつつ、高周波の測定なども可能にした「先端半導体検査用プローブ」を開発したと発表した。MEMS技術を用いることで半導体デバイスの高集積化、高性能化に対応した。

　開発したプローブはピンピッチが20μm以下で業界最小クラスを実現している。しかも、プローブピンのピッチや長さ精度は±1μm以下という。また、10万ピン以上の等ピッチアレイにも対応する。

　従来技術では対応が難しかった高周波の測定も可能で、電極へのダメージ低減や低コスト化も実現している。

左からプローブアレイの外観、狭ピッチプローブ上面（約1500倍）、プローブ先端（約5000倍）［クリックで拡大］ 出所：タカノ

左は開発した20μmピッチ品のコンタクト痕（2箇所）、右は従来プローブ（先端径24μm）のコンタクト痕［クリックで拡大］ 出所：タカノ