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ヒートシンクに直接実装、高耐圧SiC新パッケージ Navitasが初公開：PCIM Expo & Conference 2026（2/2 ページ）
Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。
800V→6VのAIサーバ用GaN電源供給ボードも展示
NVIDIAと800V DCアーキテクチャで協業するNavitasは、AIデータセンター向けソリューションとして、2026年6月に台湾で開催された「COMPUTEX TAIPEI 2026」でも展示した、800V入力から6V出力へ変換する20kW級の電源供給ボード（PDB）を紹介していた。
同製品は800V入力から6V出力へ変換する20kW級の電源供給ボード（PDB）だ。650V耐圧GaN FETを16個搭載し、ピーク効率97.5％、スイッチング周波数1MHz、電力密度2100W/in3を実現。サーバトレイ内で従来必要だった48V中間バスコンバーター（IBC）を不要とすることで、システム効率や信頼性、電力密度の向上を図っている。同社はこのPDBについて「厚さはスマートフォンより約20％薄い。その超薄型設計によってGPUボードに極めて近接して配置することが可能で、過渡応答性能を最大化するとともに、電力供給効率を向上させる」などと説明している。
こちらは800V入力から50V出力へ変換する10kW級DC-DC電源供給ボード。650Vおよび100VのGaN FETを用いたオールGaN構成で、ピーク効率98.5％、電力密度2.1kW/in3を実現する［クリックで拡大］
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