WolfspeedがNavitasを特許侵害で提訴、主力のGaN/SiC製品対象に:「根拠なき訴訟に失望」とNavitas
Wolfspeedは、Navitas Semiconductor(以下、Navitas)が特許を侵害したとして、米国デラウェア地区連邦地方裁判所に提訴した。Wolfspeedが保有する炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)パワー半導体関連の5件の米国特許を、Navitasが侵害していると主張している。
Wolfspeedは2026年7月7日(米国時間)、Navitas Semiconductor(以下、Navitas)が特許を侵害したとして、米国デラウェア地区連邦地方裁判所に提訴したと発表した。Wolfspeedが保有する炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)パワー半導体関連の5件の米国特許を、Navitasが侵害していると主張している。
米国の主要次世代パワー半導体メーカー同士で
Wolfspeedは、同社の米国特許第8169005号、第10998418号、第10886396号、第10749443号、第11888392号(それぞれ以下、005特許、418特許、396特許、443特許、392特許)を含む複数の特許をNavitasの製品群が侵害していると主張。特許侵害製品にはNavitasの主力製品である「GaNFast」および「GaNSlim」「GaNSafe」らGaN FET製品ファミリーおよび、SiC MOSFET「GeneSiC」およびSiCパワーモジュール「SiCPAK」が含まれるとしている。
今回の訴訟で主張している特許は、具体的には005特許「高耐圧GaNトランジスタ」が、低オン抵抗で大電流を流しつつ高いブロッキング電圧を実現するよう設計された、複数のフィールドプレートを備えた高電圧GaNトランジスタに関するもの。その他、418特許は「リフロー形成した層間絶縁膜を備えるパワー半導体デバイス」、396特許は「深い埋め込みP+接合を備えたトランジスタ構造およびその製造方法」、443特許は「低インダクタンスかつ並列接続パワーデバイス向け高速スイッチング高出力多層モジュール」、392特許は「高速、高効率SiCパワーモジュール」となっている。
Wolfspeedは発表文において、同社が長年にわたってSiC材料やGaNトランジスタ、SiC MOSFETおよびパワーモジュールの技術開発を進めてきたとし、「現代のワイドバンドギャップ(WBG)半導体産業を支える基盤的な特許ポートフォリオを構築してきた」と強調している。
同社CEOであるRobert Feurle氏は「当社の基盤技術はこの業界の礎を築いてきた。数十年にわたるイノベーションと研究開発投資の成果である知的財産を守ることに強くコミットしている。他社のIP(Intellectual Property)を尊重するとともに、自社の権利についても同様の尊重を期待している」としたうえで、「当社の特許ポートフォリオを保護することは、当社および株主にとって戦略的な優先事項だ。今回の措置は、当社の権利を行使し、次世代のSiCおよびGaN技術への継続的な投資を保護するという当社の決意を反映したものだ」などと主張している。
「根拠のない訴訟提起に失望」、Navitasは真向から反論
これに対しNavitasは翌7月8日(米国時間)に声明を発表。「われわれは通常、係争中の訴訟についてはコメントしないが、当社は訴状の内容に異議を唱え、根拠のない特許侵害の主張に対して、自社および自社製品を徹底的に防御する。訴訟では勝訴すると確信している」とコメントした。
さらにNavitasは「当社は数十年にわたるイノベーション、卓越したエンジニアリング、そして自社の強固なグローバルIPポートフォリオに裏打ちされた業界をリードする技術の開発を通じて、事業を築き上げてきた。われわれはIPを尊重している。当社の技術は数十年にわたる独自のイノベーション、研究、開発および投資の成果だ。Wolfspeedはが健全な競争を通じて得ることのできない優位性を求めて、今回の根拠のない訴訟を提起したことに失望している」と反論した。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
車載は「新たな成長段階に」 SiCパワー半導体市場、5年後110億ドル規模へ
フランスの市場調査会社Yole Group(以下、Yole)の最新予測によると、炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス市場は2025〜2031年まで年平均成長率(CAGR)20%で成長し、2031年には110億米ドルに達する見込みだという。800Vアーキテクチャ電気自動車(EV)の普及拡大などが成長をけん引する。
米国でInnoscience製GaN販売禁止 Infineonへの特許侵害が確定
Infineon Technologies(以下、Infineon)は2026年7月7日(ドイツ時間)、中国の窒化ガリウム(GaN)パワー半導体メーカーInnoscienceによるGaN技術の特許侵害について、米国国際貿易委員会(US ITC)の認定がなされたと発表した。これにより、Innoscienceに対して米国へのGaN製品の輸入/販売禁止が改めて命じられた。
Navitasが「世界で初めて」量産化した650V 双方向GaN IC
Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、「世界で初めて」(同社)量産化した650V 双方向GaN ICなどを紹介した。説明担当者は「高効率化やコスト削減、設計の大幅なコンパクト化を実現する。これはパワーエレクトロニクスにおける革命だ」と語っていた。
Wolfspeed「破産申請準備」報道の衝撃、SiCパワー半導体業界の行方
まさかWolfspeedが……。報道を聞いたときには衝撃が走りました。
PCIMで感じたGaNパワー半導体競争の変化
ここ数年GaNは注目されてきましたが、ことしはさらに際立っていました。
米国はGaNパワー半導体製造の中核になるか、NavitasがGFと提携
TSMCが2年以内に窒化ガリウム(GaN)ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries(GF)がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。