Bosch、米国8インチSiC工場でサンプル生産開始 26年中に量産へ:米国に5年で最大75億ドル投資へ
Boschが、米国カリフォルニア州ローズビルの8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハー工場において、サンプル生産を開始したと発表した。
Boschは2026年7月13日(米国時間)、米カリフォルニア州ローズビルで立ち上げを進める8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハー工場において、サンプル生産を開始したと発表した。併せて、同工場への最大20億米ドルの投資について、米国商務省CHIPSプログラムオフィスから最大2億2500万米ドルの直接補助を受ける最終合意を締結したとも発表した。
3年前にTSIから買収、大規模投資進め26年中にSiCチップ量産
Boschは2023年4月、米半導体メーカーTSI Semiconductorsのローズビル工場を買収する計画を発表し、同年8月に買収を完了した。その後、既存の8インチウエハー工場を最新のSiCパワー半導体製造拠点へ転換するため、大規模な設備投資を進めてきた。2026年中に8インチSiCウエハーでの商用生産を開始する計画であり、今回サンプル出荷を開始したとしている。
同工場では、SiCチップ製造のための新たなクリーンルームや最新の製造ラインを整備した他、既存の半導体製造技術者を維持しながらBoschのグローバル生産ネットワークを活用した教育/訓練を実施してきたという。同工場は40年以上にわたり自動車および産業機器向け半導体を製造してきた経験があり、Boschはその経験をSiCデバイスの製造に生かしていくとしている。
Boschは2026年4月に同社の第3世代SiCチップを発表している。同工場でも近い将来に第3世代SiCチップを製造する計画だ。第3世代品は従来世代と比べて性能を最大20%向上するとともに、小型化も実現している。
Bosch北米法人社長のPaul Thomas氏は「サンプル生産の開始と米国商務省との合意は、現地の顧客が求める『米国国内での生産』を実現する上で、重要な節目だ。米国におけるSiCチップの生産は、サプライチェーンのレジリエンスを支えるとともに、米国の製造人材が持つ専門知識を生かし、この技術をタイムリーに米国市場に提供することにつながる」などとコメントしている。
またBoschは今回、2031年までに米国事業へ最大75億米ドルを投資する計画も明らかにした。ローズビル工場への投資を柱として、北米事業の拡大と米国内の半導体サプライチェーン強化を進める方針だ。
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