Infineon、「世界初」の300mm GaNパワー半導体量産施設を新設へ：27年末までに生産開始

Infineon Technologiesが、オーストリアのフィラッハ拠点に300mmウエハーを用いた窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の量産施設を設立すると発表した。同社によると、300mmウエハーを用いたGaNパワー半導体の量産施設は世界初。2034年までに約11億ユーロを投資し、2027年末までの生産開始を予定している。

[永山準，EE Times Japan]

フィラッハ拠点に、約11億ユーロ投資

　Infineon Technologies（以下、Infineon）は2026年10月27日（ドイツ時間）、オーストリアのフィラッハ拠点に、300mmウエハーを用いた窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の量産施設を設立すると発表した。同社によると、300mmウエハーを用いたGaNパワー半導体の量産施設は世界初。2034年までに約11億ユーロを投資し、2027年末までの生産開始を予定している。

Infineonの300mmウエハー［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies

　フィラッハ拠点の既存クリーンルーム施設を活用し、設備の高度化を進める。既存インフラを利用することで、コストを抑えながら効率的に生産能力を拡大する計画だ。生産規模は市場需要に応じて拡大していく。

200mm比でチップ取得数は2.3倍に

　Infineonは2024年、「世界で初めて」300mm GaNウエハーの加工に成功したと発表していた。同社は今回、この技術を、顧客向け製品を供給する「世界初」の量産施設へと移行する。

　同社によると、300mmウエハーでは200mmウエハーと比べ、1枚当たりに得られるチップ数が2.3倍になる。ウエハーの大口径化によって生産効率を大幅に高め、GaNパワー半導体の製造コスト低減につなげる狙いだ。

　GaNパワー半導体は、高効率な電力変換を実現できることから、AIデータセンターやエネルギーインフラ、電動モビリティ、ロボティクス、民生機器などで需要が拡大している。電力損失や発熱を低減でき、電源システムの小型化や高性能化、省エネルギー化に寄与する。

　InfineonのCEOを務めるJochen Hanebeck氏は「300mmウエハーによる大量生産体制を確立することで、GaNパワーエレクトロニクスを量産化する世界初の企業となる。AIやエネルギーインフラ、電動モビリティ、ロボティクスなどの重要分野で、GaNの幅広い普及への道を切り開く」とコメントした。

欧州半導体法に基づき3億1900万ユーロを支援

　今回の投資は、欧州半導体法（European Chips Act）に基づく支援の対象になる。欧州委員会は、3億1900万ユーロの国家補助を承認していて、オーストリア政府による正式な助成決定は今後行われる見通しだ。

　オーストリア首相であるChristian Stocker氏は今回の投資について「同国のハイテク産業の歴史において最大級の単独投資の1つ」と強調。半導体産業の将来がアジアや米国だけでなく、欧州でも形作られることにつながると述べている。

　フィラッハ拠点は、Infineonにとってパワーエレクトロニクスや新たな半導体材料の研究開発／製造における中核拠点の1つだ。現地法人Infineon Austriaの従業員数は約5800人で、このうち約4800人が同拠点に勤務している。新たな300mm GaN量産施設の設立によって、同拠点の研究開発活動との相乗効果も見込むとしている。

Infineonのフィラッハ拠点［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies