富士電機とデンソーがSiCパワー半導体生産強化で協業、2116億円投資 ロームが車載SiCの主戦場で加速、新モジュール採用品を初公開 20μmの「極薄」パワー半導体ウエハーを初公開、Infineon GaNパワー半導体特許紛争でEPCが「勝利」、米ITCが特許侵害認定 ロームのGaN採用で効率92.62%に、100Wの急速充電器 デルタ電子 「斜めからのイオン注入」で損失低減 三菱電機のxEV用SiC-MOSFET ルネサスとニデック、「8-in-1」EアクスルのPoCを開発 ローム、一転通期赤字を予想 SiC投資にブレーキ CHIPS法の成功事例となるか パワー半導体ファウンドリーを目指すPolar