GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート SiCの20年 ウエハーは「中国が世界一」に、日本の強みは何か ロームとInfineon、SiCパワー半導体のパッケージ共通化で協業 DC遮断を次世代へ導く――インフィニオンが「CoolSiC」ブランド初のJFETを投入 TO-247より省面積、ロームの新SiCパワーモジュール 実装面積を削減できるパワー半導体モジュール、三菱電機 Infineon、GaN搭載の軽EV用インバーター開発で中国メーカーと協業 ロームのSiC搭載インバーター部品が量産開始、中国大手の新型EVに SiC MOSデバイスの性能を向上し信頼性も大幅改善、大阪大 体積を80%削減、表面実装型650V SiC MOSFET