NORフラッシュの市場が順調に立ち上がる(1989年〜1991年) Micron、232層3D NANDフラッシュの量産を開始 フラッシュメモリの用途開発が始まる(1988年〜1989年) 「反強磁性体」で垂直2値状態の電流制御に成功 低迷するメモリ需要は、半導体市場減速の兆候を示す フラッシュメモリ、NOR型に続いてNAND型が表舞台に(1980年代後半) フラッシュメモリがついに登場(1980年代前半) マスクROMの始まり(1950年代〜1960年代) EPROMの進化とEEPROMの誕生(1970年代) Weebit Nano、ReRAM IPモジュ―ルのデモ初披露 22年Q1半導体メーカーランキング、首位SamsungがIntelとの差広げる 強誘電体メモリとEPROM、相変化メモリの始まり(1950年代/1960年代) 広島大、接合界面にスピン偏極電子状態の存在確認