フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。
永山準()
Wolfspeedは、Navitas Semiconductor（以下、Navitas）が特許を侵害したとして、米国デラウェア地区連邦地方裁判所に提訴した。Wolfspeedが保有する炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体関連の5件の米国特許を、Navitasが侵害していると主張している。
永山準()
Infineon Technologies（以下、Infineon）は2026年7月7日（ドイツ時間）、中国の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体メーカーInnoscienceによるGaN技術の特許侵害について、米国国際貿易委員会（US ITC）の認定がなされたと発表した。これにより、Innoscienceに対して米国へのGaN製品の輸入／販売禁止が改めて命じられた。
杉山康介()
STマイクロエレクトロニクスは、トランジションモードの力率改善（PFC）コントローラーIC「L6462A」を発表した。最大250Wの家電機器や電源装置などの用途に向ける。
馬本隆綱()
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、AIデータセンターや通信基地局用機器に搭載されるスイッチング電源に向けた80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH」を開発、出荷を始めた。
馬本隆綱()
Infineon Technologiesがドイツ・ドレスデンに300mmウエハー新工場を開設した。パワー半導体などを製造し、AIデータセンターや車載、再生可能エネルギーといった市場の需要に対応。フル稼働時には年間で50億ユーロ程度の売上高を見込む。
永山準()
サンケン電気は世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、独自のPSJ（Polarization Super Junction：分極超接合）GaN技術を採用したダウンコンバーターIC（試作品）のデモを公開した。注力領域として積極投資を進めるGaN事業において、独自技術を生かした製品開発が着実に進んでいることを示した。
永山準()
Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。
永山準()
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2026年6月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『「TECHNO-FRONTIER 2026」の歩き方』です。
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Wolfspeedは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、同社の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを紹介した。1200V品で業界最低クラスという特性オン抵抗を実現したほか、高温時の安定したスイッチング特性や逆回復特性を強化している。
永山準()
フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）の最新予測によると、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場は2025〜2031年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2031年には110億米ドルに達する見込みだという。800Vアーキテクチャ電気自動車（EV）の普及拡大などが成長をけん引する。
永山準()
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高い遮断耐量と短絡耐量を両立させた6500V定格の圧接型IEGT（電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ）チップを開発した。変換装置の高電圧化や小型化が可能となる。
馬本隆綱()
物質・材料研究機構（NIMS）は、シリコン（Si）ウエハー上に窒化ガリウム（GaN）成膜を行うため、「アモルファスライク中間層（AL-IL）」と呼ぶバッファ層を形成する技術を開発した。安価なSiウエハー上に縦型GaNデバイスを作製するための基盤技術となる。
馬本隆綱()
onsemiは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、新たな窒化ガリウム（GaN）パワー半導体ポートフォリオ「GaNEXUS」を初公開した。AIデータセンターやロボティクスなどの市場向けに展開する。縦型GaNの開発も進めているが、まずは外部ファウンドリー活用による製品によって市場参入を進める。
永山準()
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、データセンターの電源システムなどに搭載される高周波インバーター向け炭化ケイ素（SiC）パワーモジュール技術を開発した。高周波動作によりインバーターの総電力損失を約30％低減できることを確認した。
馬本隆綱()
東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において炭化ケイ素（SiC）MOSFETをプリント基板（PCB）に埋め込んだパワーモジュールの試作品を初公開した。
永山準()