ロームとマツダが、GaNパワー半導体を用いた自動車部品の共同開発を開始した。2025年度中にコンセプトの具現化とデモ機によるトライアルを実施し、2027年度の実用化を目指す。
永山準()
産業技術総合研究所（産総研）は、本田技術研究所との共同研究において、p型ダイヤモンドMOSFETを試作し、アンペア級の高速スイッチング動作を初めて実証した。今後は次世代モビリティのパワーユニットに搭載し、社会実装に向けた動作検証などを行っていく。
馬本隆綱()
Nordic Semiconductorはドイツ・ニュルンベルクで開催された組み込み技術の展示会「embedded world 2025」に出展し、同社初となる一次電池用PMIC「nPM2100」のデモを公開した。
永山準()
STマイクロエレクトロニクスは、スマートメーターや生活家電、産業用コンバーターなどの用途に向けた高効率の降圧コンバーターIC「DCP3601」を発表した。600mA負荷（入力12V／出力5V）で効率91％を実現した。
馬本隆綱()
急速な成長を続ける窒化ガリウム（GaN）パワー半導体市場での展開で、ロームが新たな段階に入った。これまでは民生機器向けが中心だったが、AIサーバ用電源ユニットに初採用されたことを皮切りに、車載などのハイパワーアプリケーションでの採用拡大を狙う。
永山準()
東芝デバイス＆ストレージの姫路工場（兵庫県太子町）で建設していた車載パワー半導体後工程新製造棟が完成した。今後装置の搬入を進め、2025年度上期から本格的な生産を開始する予定だ。
永山準()
セイコーエプソンは、小型電子機器に向けたパワーマネジメントIC（PMIC）「S1A00210B」を開発、2025年8月よりサンプル出荷を始める。補聴器や集音器、スマートリングなどの用途に向ける。
馬本隆綱()
ロームは、650V耐圧GaN HEMTの第3世代を2025年に量産開始する。高いGaNプロセス技術を有するTSMCと共同で、スイッチング損失低減に関わる出力電荷量（Qoss）の改善に取り組んでいて、第3世代品では現行品からQossを大幅に削減する。また、2026年には、GaNパワー半導体製造の8インチ化も計画する。
永山準()
金沢大学の研究グループは産業技術総合研究所などと共同で、完全に平たんなダイヤモンド表面をMOS界面に用いた「反転層チャネル型ダイヤモンドMOSFET」の作製に成功した。動作時の低抵抗化を実現したことで、ダイヤモンドMOSFETの性能を高めることが可能となる。
馬本隆綱()
ロームは2025年2月、Murata Power Solutionsが開発するAIサーバ向け5.5kW出力のM電源ユニットに、ロームの「GaN HEMT」が採用されたと発表した。このGaN HEMTは650V耐圧で高放熱のTOLLパッケージを用いている。
馬本隆綱()
三菱電機は、そよ風や人のわずかな動きなどでも効率よく発電する「電磁誘導発電モジュール」を開発した。IoTセンサー向け電源として実証実験を進め、2027年度までに実用化を目指す。
馬本隆綱()
Infineon Technologies（以下、Infineon）は2025年2月13日（ドイツ時間）、200mm 炭化ケイ素（SiC）ウエハープロセスで製造した最初の製品を2025年第1四半期（1〜3月：1Q）に顧客に供給すると発表した。オーストリア・フィラッハ工場で製造する。
永山準()
ロームの2024年度第3四半期累計（2024年4〜12月）の連結業績は、売上高が前年同期比3.0％減の3446億4200万円、営業利益が110億8000万円の赤字、純利益が同99.5％減の2億1000万円となった。
永山準()
三菱電機は「第39回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展。パワーデバイス事業の戦略を紹介したほか、開発中の8インチSiC-MOSFETウエハーや新開発の第8世代IGBTを搭載した産業用モジュールを展示した。
浅井涼()
ロームは2025年1月、社長の交代を発表した。現職の松本功氏に代わって、東克己氏が就任する。2024年度通期業績が赤字の見通しとなったことを踏まえ、構造改革を目指す。
浅井涼()
エイブリックは、「世界初」（同社）の車載用1セルバッテリー保護IC「S-19161A/Bシリーズ」を発売した。車載用電装部品のバックアップ電源に向けたものだ。
浅井涼()