onsemiは、ドイツ・ミュンヘンで開催されたエレクトロニクス展示会「electronica 2026」（2026年11月10〜13日）において、1200V耐圧の縦型窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスを採用した、800Vの直流電圧を6Vに直接変換する中間バスコンバーター（IBC）の試作機を展示した。
永山準()
北海道大学と京都大学の研究グループは共同で、α型酸化ガリウム（α-Ga2O3）薄膜の電子有効質量と熱伝導率を実測することに成功した。これまでは計算により推定していた基本物性を初めて実測したことで、α-Ga2O3を用いたパワー半導体の開発に弾みを付ける。
馬本隆綱()
onsemiが第4世代の炭化ケイ素（SiC）パワー半導体プラットフォーム「EliteSiC M4」を発表した。同社として初めてトレンチ構造を採用し、従来世代と比べて比オン抵抗を50％低減。EV向けトラクションインバーターの電力密度を最大30％向上できるという。
永山準()
Infineon Technologiesは、ドイツ・ミュンヘンで開催中のエレクトロニクス展示会「electronica 2026」（2026年11月10〜13日）において、パワーデバイスを形成した300mmのSiCウエハーの実物を初公開した。EETimes Japanは会場で同社のパワー＆センサーシステムズ事業部プレジデントを務めるAdam White氏に話を聞いた。
永山準()
Infineon Technologiesが、300mmのSiCウエハーを用いて、動作可能なパワー半導体デバイスの製造に成功した。同社によると、フルスケールの半導体製造工場で300mm SiCウエハーによるパワーデバイスの製造に成功したのは「世界初」という。
永山準()
ロームの2027年3月期上期（2026年4〜9月）決算は、売上高は2794億8300万円で前年同期比14.4％増、営業利益は174億8700万円で同128.5％増、経常利益は168億9200万円で同25.9％増、純利益は155億8000万円で同51％増だった。AIや産業機器などの需要を受けてのもので、通期業績予測の上方修正も発表した。
杉山康介()
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン（以下、インフィニオン）は、AIデータセンター向けの半導体変圧器（SST）および半導体式遮断器（SSCB）に関する記者説明会を開催した。データセンターでの電力消費量の増加や再生可能エネルギーの採用などが進む中、SST／SSCBによる迅速かつスマートな制御が重要になるとする。
杉山康介()
EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2026年12月3〜4日にオンラインで開催いたします。基調講演4本をご紹介します。
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Infineon Technologies（以下、Infineon）が、パワー半導体チップをプリント基板（PCB）内部に埋め込む技術「ENDOPACK」を発表した。同技術を採用した「ENDOPACK Cell」は、1200V耐圧のSiC MOSFETをPCB内部に直接埋め込んだもので、EVインバータ向けに提供する。搭載車両は2027年に量産を開始する予定だ。
永山準()
三菱電機は2027年3月期第2四半期（2026年7〜9月）決算を発表した。売上高は1兆6284億円で前年同期比15％増、調整後営業利益（以下、営業利益）は2026億円で同83％増、純利益は1888億円で同92％増の増収増益だった。データセンター需要による半導体、FA好調のほか、防衛、空調などの強い需要があったという。
杉山康介()
ルネサス エレクトロニクスの2026年12月期第3四半期（7〜9月）決算は、売上高が前年同期比30.2％増の4352億円と増収増益だった。AIデータセンター向けの需要が好調で、増産投資を拡大している。2027年第1四半期からはデジタルパワー製品の生産能力拡大による効果が本格化する見通しだ。
浅井涼()
インフィニオン テクノロジーズは、900V窒化ガリウム（GaN）モノリシック双方向スイッチ（BDS）を、Enphase Energy（エンフェイズエナジー）製のソリッドステートトランスフォーマー（SST）電源モジュール向けに供給する。
馬本隆綱()
Infineon Technologiesが、オーストリアのフィラッハ拠点に300mmウエハーを用いた窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の量産施設を設立すると発表した。同社によると、300mmウエハーを用いたGaNパワー半導体の量産施設は世界初。2034年までに約11億ユーロを投資し、2027年末までの生産開始を予定している。
永山準()
台湾の半導体メーカー、Taiwan Semiconductorが2026年10月27日、車載向けパワーMOSFET「PerFET」シリーズの新製品について、日本での販売開始を発表した。今回、日本法人の代表兼日本統括責任者を務める佐藤正信氏に、新製品の特徴や開発の狙い、今後の事業戦略について聞いた。
永山準()
ルネサス エレクトロニクスが、AIデータセンター向けに800Vの直流電圧を6Vに直接変換する20kW級の電源システムを開発している。同社はEE Times Japanに対し、800V→6Vプラットフォームを主要なAIデータセンター向けメーカー（OEMおよびODM）に既にサンプル提供していることを明らかにした。
永山準()
Infineon Technologies（以下、Infineon）が、8インチ（200mm）ウエハーでの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の生産拡大に向け、基板の調達体制を強化する。同社は2026年10月15日（ドイツ時間）、Wolfspeedと8インチSiCウエハーに関する複数年の供給契約を締結したと発表した。
永山準()