「Numonyx」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

福田昭のストレージ通信（193） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（20）：
次世代半導体メモリの開発ロードマップ
今回から、「次世代メモリ（Emerging Memory）」の講演部分を紹介する。（2021/4/20）

福田昭のストレージ通信（148） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（9）：
「3D XPointメモリ」開発のオープン・モードとステルス・モード
今回は、「3D XPointメモリ」の研究開発が、オープン・モードで始まり、後半はステルス・モードとなっていたことを説明する。（2019/6/5）

福田昭のストレージ通信（93） STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ（6）：
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術（前編）
今回は、開発各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を前後編にわたって紹介する。前編では、STMicroelectronicsが製品化している、1トランジスタのNORフラッシュ（1T NOR eFlash）技術を取り上げる。（2018/3/19）

福田昭のデバイス通信（61）：
IEDMで発表されていた3D Xpointの基本技術（後編）
前編に続き、IntelとMicron Technologyの次世代不揮発性メモリ「3D XPoint」について解説しよう。今回は、「オボニック・スレッショルド・スイッチ（OTS：Ovonic Threshold Switch）」と、材料について詳しく見ていきたい。（2016/2/1）

福田昭のデバイス通信（60）：
IEDMで発表されていた3D XPointの基本技術（前編）
米国で開催された「ISS（Industry Strategy Symposium）」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。（2016/1/27）

福田昭のストレージ通信（18） フラッシュメモリの現在（3）：
NORフラッシュと3D XPointの動向
今回は市場が縮小傾向にある「NORフラッシュメモリ」と、2015年夏にIntelとMicron Technologyが発表した「3D XPoint（クロスポイント）メモリ」について、紹介する。（2015/10/16）

ビジネスニュース：
Micronのエルピーダ買収にはリスクも、アナリストが指摘
エルピーダメモリの買収を正式に発生したMicron。だが同社は、NumonyxやInoteraを買収した際に生じた数々の不測の事態をいまだに収拾できずにいるという。アナリストは、「エルピーダの買収も、全てが滞りなく進むとは思えない」との見解を述べている。（2012/7/27）

NAND代替メモリ技術を徹底比較【後編】
フラッシュメモリ微細化の限界に挑戦するメーカーの取り組み
NAND型フラッシュメモリの微細化の限界は、業界全体の関心事だ。代替技術が台頭する中、NAND型フラッシュメモリの延命に取り組むメーカーも存在する。（2012/1/16）

iPhone 4を分解調査、部品コストは188ドル
iSuppliの分解調査によると、「iPhone 4」の16Gバイトモデルの部品コストは推定187.51ドル、価格の約30％を占めることになる。（2010/6/29）

プロセッサ/マイコン：
【ESEC 2010】ルネサスとNECエレ統合後初のESEC、展示内容にもひと工夫
ルネサス エレクトロニクスが注力する事業分野は、「マイコン」、「システムLSI」、「アナログ＆パワー半導体」の3つ。ESECに関連したマイコン分野の全世界における市場シェアは1位となる。（2010/5/12）

メモリ/ストレージ技術：
1GビットPRAMの開発に遅れ、Numonyxはいまだにサンプル出荷もできず
（2010/4/26）

メモリ/ストレージ技術：
Numonyx、相変化メモリーの新製品2製品を発表
90nm製造技術を適用し、記録容量は128Mビット。既存のNOR型フラッシュ・メモリーと比べて、書き込み時間は300倍以上速く、書き換え回数は10倍以上多いという。（2010/4/26）

頭脳放談：
第117回 Numonyx買収に見るMicronの次の一手
MicronがフラッシュメモリベンダーのNumonyxを買収。いつも何かを仕掛けるMicronなので、次の一手を考えているはず。カギは相変化メモリ？（2010/2/26）

Micron、メモリ企業Numonyxを買収
Micronが、IntelとSTMicroの合弁で設立されたメモリ企業Numonyxを買収することで合意した。（2010/2/12）

ビジネスニュース 業界動向：
【ISSCC 2010】5年前の技術予測は当たったのか
（2010/2/9）

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ：
サムスン電子と東芝が上位を維持、2009年第4四半期のNAND型フラッシュ売上高
（2010/2/3）

デジモノ家電を読み解くキーワード：
「PCM」――近々ブレイク？のメモリ
DRAMは高速だが、電源を切ればデータは消える。フラッシュメモリは電源を切ってもデータは残るが、速度はDRAMにかなわない。今回は、双方のすき間を埋める存在となりうる次世代メモリ「PCM」を取りあげる。（2009/11/13）

IntelとNumonyx、相変化メモリの新技術を開発
IntelとNumonyxが、複数のメモリセルをプロセッサダイ上で重ねることで高密度PCMを実現する技術を開発した。（2009/10/29）

メモリ/ストレージ技術 NOR型フラッシュ・メモリー：
スイスNumonyx社がNOR型フラッシュ・メモリー市場で首位奪還
（2009/9/28）

iPhone 3GSの原価は？　分解調査で明らかに
iPhone 3GSの原価は推定178.96ドル。大幅な高速化が図られているが、原価は前機種を少し上回る程度だ。（2009/6/25）

メモリ/ストレージ技術：
不揮発メモリ新時代（後編）
現在のDRAMやNAND型フラッシュメモリの用途に向けた次世代不揮発メモリの候補は4種類ある。FeRAM、MRAM、PRAM、ReRAMだ。ただし、どれか1つの不揮発メモリで全用途に対応することは難しそうだ。これはどの不揮発メモリにも何らかの欠点が存在するからだ。後編では不揮発メモリの用途や各不揮発メモリの性能向上策、技術動向について解説する。（2009/2/1）

頭脳放談：
第101回 AMDのファブ売却に見る業界再々編
「AMDが製造工場を投資家に売却」というニュースにも驚かなくなった。業界は再編が済み、再々編へ。数年後は知らない名前の会社ばかりかも。（2008/10/27）

iPhone 3G、分解して製造コストを調べてみると？
調査会社のiSuppliが恒例の「分解コスト調査」をiPhone 3Gで実施した。（2008/7/16）

Intel、過去最高のQ1売上高も減損処理の影響で減益
Intelの1〜3月期決算は、売上高は前年同期比9％増だが、純利益は、リストラ費用や減損処理の影響で12％減だった。（2008/4/16）

IntelとSTMicroの合弁Numonyx、ようやく設立
銀行からの融資額引き下げなどで予定より遅れていた合弁企業が、ようやく設立の運びとなった。（2008/4/1）

IntelとSTMicroの合弁Numonyx、設立予定時期を3月に延期
金融市場環境の変化により、新会社に対する銀行からの融資額が半減。STMicroが新会社への資産売却と引き換えに受け取る金額も減るという。（2007/12/27）

元麻布春男のWatchTower：
Centrino生誕の地、イスラエルのFabに行く（後編）
イスラエルのインテル拠点を巡礼する元麻布氏。前回訪れた「Haifa Validation Center」を後にして、今回は45ナノプロセスの製造拠点に向かう。（2007/12/13）

IntelとSTMicroの合弁会社名は「Numonyx」に決定
Intel、STMicroelectronics、Francisco Partnersの3社が設立するフラッシュメモリ合弁企業の社名が決定した。（2007/7/21）