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パワー

レギュレータからIGBT、SiC/GaNなど電源/パワーデバイス関連記事一覧です。

ニュース

電源

放熱とスイッチング性能を両立：

PCBの熱をヒートシンクに直接伝達、新パッケージ採用SiC MOSFET

オンセミは、新たな冷却パッケージ技術を採用した「EliteSiC MOSFET」を発売した。電気自動車（EV）用充電器や太陽光発電システム用インバーター、産業用電源などの用途に向ける。

（2025年12月12日）

コラム

電源

電子機器設計／組み込み開発メルマガ編集後記：

NVIDIAによるAIデータセンターはGaNに「SiC×Tesla」級の波をもたらすか

（2025年12月08日）

ニュース

電源

200mm GaN on Siプロセス：

onsemiがGaN市場トップの中国Innoscienceと協業　26年にサンプル出荷

（2025年12月04日）

ニュース

電源

2025年12月4日（木）／視聴無料：

SiCウエハー加工からパッケージ技術まで網羅――「パワーエレクトロニクスイニシアチブ」を開催！

（2025年11月28日）

ニュース

電源

LDO外付けで発熱分散：

実装面積を20％縮小可能　車載カメラ向け小型PMIC

（2025年11月28日）

ニュース

電源

26年後半に量産開始へ：

米国はGaNパワー半導体製造の中核になるか、NavitasがGFと提携

（2025年11月26日）

ニュース

電源

LED光無線給電システムを開発：

昼夜を問わず自動で複数のIoT端末に給電、東京科学大

（2025年11月21日）

ニュース

電源,部品/材料

調査は継続、今後修正の可能性も：

不適切会計疑惑のニデック「心からおわび」、損失877億円計上

（2025年11月17日）

ニュース

電源

中国の自国製シフトが業績に響く：

AIデータセンター向けでGaNやSiC品開発、IPMで新市場狙うサンケン電気

（2025年11月14日）

ニュース

電源

26年に米国で生産開始：

GlobalFoundries、TSMCのGaN技術ライセンスを取得

（2025年11月13日）

コラム

電源

モノづくり総合版メルマガ編集後記：

「数の利」を地で行く中国

（2025年11月13日）

ニュース

電源

NVIDIAの800V直流電源アーキテクチャに対応：

「スマホ大の12kW電力供給ボード」を目指す　STの次世代AI DC向け技術

（2025年11月12日）

インタビュー

電源,パワエレ,パワー半導体開発

サファイア基板＆PSJ技術：

独自技術で攻めるサンケン電気のGaN戦略　30年には縦型量産も

（2025年11月12日）

ニュース

電源

約5mmの大きさを実現：

「世界初」FZ法でルチル型二酸化ゲルマニウムバルク結晶を育成、Patentix

（2025年11月10日）

ニュース

電源

26～28年度の中計を発表：

ロームは28年度にSiC事業黒字化へ、中国にも「開発力で負けない」

（2025年11月10日）

ニュース

電源

アミューズメント向けが好調：

ローム25年度上期は黒字転換　通期計画は上方修正

（2025年11月10日）

ニュース

電源,パワエレ,パワー半導体開発

dMode GaN HEMT向け：

GaNデバイスの低コスト化促進　X-FABがGaN-on-Siウエハー提供開始

（2025年11月07日）

ニュース

電源

VIS委託など「さまざまな可能性を検討」：

TSMCのGaN撤退は「ものすごく大きな痛手」、ローム社長

（2025年11月06日）

ニュース

電源

GaN-on-GaN技術で攻める：

onsemiが縦型GaNパワー半導体開発、700Vと1200V品をサンプル提供

（2025年10月30日）

ニュース

電源

Yoleが調査結果を発表：

24年のGaNデバイス市場、シェア1位は中国　トップ5に日本勢なし

（2025年10月29日）

ニュース

電源

4系統の電源を1パッケージに集約：

車載カメラの小型化を実現、日清紡マイクロの4ch複合電源IC

（2025年10月27日）

ニュース

電源,パワエレ,パワー半導体開発

「数年で製造コストをSiと同等に」：

300mm化、双方向スイッチ、車載――Infineonの最新GaNデバイス技術

（2025年10月27日）

ニュース

電源

ブートストラップダイオード集積：

STの新GaN制御IC、低電圧システムでの電源設計を簡略化

（2025年10月23日）

コラム

電源

モノづくり総合版メルマガ編集後記：

半導体不足で自動車業界が再び混乱か、オランダ政府によるNexperia接収の衝撃

（2025年10月23日）

ニュース

電源,パワエレ,パワー半導体開発

300mm工場クリーンルームも公開：

Infineonのパワー半導体最前線　「技術革新の中核」フィラッハで聞く

（2025年10月22日）

ニュース

電源

爆発的な電力需要に応える：

NVIDIA提唱の800V直流AIデータセンター電力供給、ルネサスがGaNで対応

（2025年10月22日）

ニュース

デバイス,電源

最大定格650V／50A：

スイッチング損失を20％低減、車載用高圧3相モーター用ドライバー

（2025年10月21日）

ニュース

電源

Pat Gelsinger氏参画のVCが主導：

MIT発の縦型GaN新興が1100万ドル調達、信越化学工業らが出資

（2025年10月20日）

ニュース

電源

高耐圧品や双方向スイッチのサンプルも：

Infineonが初の車載GaNパワートランジスタを生産開始 100V耐圧品

（2025年10月16日）

ニュース

電源

独自の駆動ロジック搭載：

発熱低減とノイズ抑制、ロームの三相モータードライバーIC

（2025年10月15日）

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LDO外付けで発熱分散：

26年後半に量産開始へ：

LED光無線給電システムを開発：

調査は継続、今後修正の可能性も：

中国の自国製シフトが業績に響く：

26年に米国で生産開始：

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サファイア基板＆PSJ技術：

約5mmの大きさを実現：

26～28年度の中計を発表：

アミューズメント向けが好調：

dMode GaN HEMT向け：

VIS委託など「さまざまな可能性を検討」：

GaN-on-GaN技術で攻める：

Yoleが調査結果を発表：

4系統の電源を1パッケージに集約：

「数年で製造コストをSiと同等に」：

ブートストラップダイオード集積：

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：

300mm工場クリーンルームも公開：

爆発的な電力需要に応える：

最大定格650V／50A：

Pat Gelsinger氏参画のVCが主導：

高耐圧品や双方向スイッチのサンプルも：

独自の駆動ロジック搭載：

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