「性能を最大限引き出す」、ローム初のGaN SiP詳細：部品体積99％減、電力損失55％減（2/2 ページ）

ロームが、650V耐圧GaN HEMTとゲート駆動用ドライバーを1パッケージ化したパワーステージICを発表した。同社初のGaN SiPで、シリコンMOSFETから置き換えた場合、部品体積を約99％、電力損失を約55％削減できるという。

[永山準，EE Times Japan]

「あらゆる一次電源回路に対応可能」独自の高速／高電圧範囲インタフェース

　新製品の最大の特長は、広い駆動電圧範囲と高速な起動時間、短い伝搬遅延を実現している点だ。説明担当者は、これらの性能によって、「あらゆる一次電源（一次側PFC、AC-DC用）回路に対応可能だ」としている。具体的には、同社が独自に開発した高速／高電圧範囲インタフェースによって駆動電圧範囲は2.5〜30V、起動時間は15マイクロ秒（代表値）といずれも市場要求を上回るほか、伝搬遅延も11〜15ナノ秒（代表値）を実現している。

独自の高速／高電圧範囲インタフェースによって駆動電圧範囲は2.5〜30V、起動時間は15μs（代表値）、伝搬遅延は11n〜15ns（代表値）を実現している［クリックで拡大］ 出所：ローム

　また、入力電圧264Vac、出力電力100Wのフライバック電源回路を構成した場合、競合品と比較し約20％減、Si MOSFETの場合との比較では約55％減の低スイッチング損失を実現。さらに、外付けパワーステージ関連部品は1点のみと、競合による同様のパワーステージICと比較して外付けパワーステージ関連部品点数が8点少なく、アプリケーションの小型化が可能となっている。説明担当者は、「ゲート駆動用ドライバーの高速／広電圧範囲インタフェースをシンプルに突き詰めたことで、競合と比べ少ない部品点数が実現できた」と語っていた。

左＝入力電圧264Vac、出力電力100Wのフライバック電源回路を構成した場合、競合品と比較し約20％減、Si MOSFETの場合との比較では約55％減の低スイッチング損失を実現／右＝外付けパワーステージに関連部品は1点のみに［クリックで拡大］ 出所：ローム

オールインワンチップの量産化も

　新製品はオン抵抗（代表値）が150mΩのBM3G015MUV-LBと、70mΩのBM3G007MUV-LBの2種類をラインアップしている。2023年6月に量産を開始していて、サンプル価格は1個4000円（税別）だ。また、両製品についてTO-220パッケージのディスクリート品と容易に置き換えて評価ができる評価ボードを提供するほか、70mΩのBM3G007MUV-LBについては240W PFC評価ボードも用意している。

BM3G015MUV-LBとBM3G007MUV-LBの概要および評価ボードについて［クリックで拡大］ 出所：ローム

　ロームは今後も650V耐圧GaN HEMTを内蔵したパワーステージICのラインアップを拡充していく予定で、2024年第1四半期および第2四半期ごろには、コントローラーとゲート駆動用ドライバー、GaN HEMTの全てを同梱したオールインワンチップの量産化（下図）も行っていく方針だという。

650V耐圧GaN HEMT内蔵パワーステージICの今後のラインアップ予定［クリックで拡大］ 出所：ローム