半導体チップの高密度3次元積層を加速するハイブリッド接合：福田昭のデバイス通信（442） 2022年度版実装技術ロードマップ（66）（2/2 ページ）

今回から、第3章第4節（3.4）「パッケージ組立プロセス技術動向」の内容を紹介する。本稿では、ハイブリッドボンディングを解説する。

[福田昭，EE Times Japan]

位置合わせの精度が極めて重要

　ハイブリッドボンディングでは、2枚のウエハーの位置合わせ（重ね合わせ）精度が極めて重要である。電極の位置合わせ誤差は100nm以下が要求される。

　位置合わせ誤差（重ね合わせ誤差）は以下の4つの成分の合計で決まる。位置の相対的なずれ、回転、伸縮、その他、である。はじめの3つは、ウエハーのボンディング装置で補正をかける。最後の1つは、ウエハープロセスとボンディング装置の両方から最小化する。

ウエハー積層の位置合わせ（アラインメント）誤差の定義。横方向（x方向）と縦方向（y方向）の誤差で定義する。相対的なずれ（translation）、回転（rotation）、伸縮（scaling）、その他（residual）の4つの誤差要因をモデル化し、合計する［クリックで拡大］ 出所：JEITA　Jisso技術ロードマップ専門委員会（2022年7月7日に開催された完成報告会のスライド）

　2022年の時点で量産に使われるハイブリッド接合の位置合わせ誤差は150nmとされる。10年後の2032年には、誤差は半分以下の70nmに減るとロードマップでは予測する。

ウエハー積層の位置合わせ（アラインメント）誤差ロードマップ（2022年〜2032年）［クリックで拡大］ 出所：JEITA　Jisso技術ロードマップ専門委員会（2022年7月7日に開催された完成報告会のスライド）

⇒（次回に続く）

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