「世界初」300mm SiCウエハーでパワー半導体製造 Infineon：Si、GaNに加えSiCでも

Infineon Technologiesが、300mmのSiCウエハーを用いて、動作可能なパワー半導体デバイスの製造に成功した。同社によると、フルスケールの半導体製造工場で300mm SiCウエハーによるパワーデバイスの製造に成功したのは「世界初」という。

[永山準，EE Times Japan]

既存のシリコン製造装置を活用

　Infineon Technologies（以下、Infineon）は2026年11月9日（ドイツ時間）、300mmの炭化ケイ素（SiC）ウエハーを用いて、動作可能なパワー半導体デバイスの製造に成功したと発表した。同社によると、フルスケールの半導体製造工場で300mm SiCウエハーを使ったパワーデバイスの製造に成功したのは「世界初」という。200mmウエハーに比べ、1枚当たりのチップ取得数を2.3倍に増やせるとしている。

Infineon Technologiesが300mmのSiCウエハーでパワー半導体デバイスの製造に成功した（右）［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies

　今回の成果は、オーストリア・フィラッハ工場で実現した。既存のシリコン半導体製造装置を活用し、300mm SiCウエハー上に動作可能なパワーデバイスを形成した。

　SiCは、Siに比べて電力損失を抑えられるほか、高電圧や高温環境での動作に適している。電気自動車（EV）のトラクションインバーターや車載充電器、EV充電設備、大規模蓄電システム、産業用ドライブなどで採用が進んでいる。AIデータセンターでも、ソリッドステートトランス（SST）や遮断器、電源ユニットなどで需要の拡大が見込まれている。

300mm SiCへの「Cold Split」適用も実証

　SiCパワー半導体の製造に300mmウエハーを採用することで、200mmウエハーに比べて1枚当たりのチップ取得数を2.3倍に増やせるという。ウエハーの大口径化は、生産効率の向上や製造コストの削減につながる。

　Infineonはまた、ドイツ・ドレスデンの拠点において、独自の「Cold Split」技術を300mm SiCウエハーに適用できることも実証したと発表した。

　Cold Splitは、SiCの単結晶インゴットからウエハーを分離する技術だ。従来のワイヤソーによる切断に比べ、材料損失や加工時間を大幅に削減できるという。これにより、同じSiC結晶からより多くのウエハーを取得できるほか、設備投資の抑制にもつながるとしている。

Si、GaNに加え、SiCでも300mmウエハー

　Infineonは2026年10月27日、フィラッハ拠点に約11億ユーロを投じ、300mmウエハーを用いた窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の量産設備を整備する計画を発表している。今回の成果によって、Si、GaNに加え、SiCでも300mmウエハーを用いた製造技術を実証したことになる。

　ただ、現時点で300mm SiCウエハーを用いたパワー半導体の量産時期は明らかにしていない。同社は今後、顧客やパートナーと緊密に連携しながら、300mm SiC技術の開発計画や量産立ち上げ時期を検討する方針だ。並行して、既存の200mm SiC製造ロードマップに沿った取り組みも継続する。

Si、GaNに加え、SiCでも300mmウエハーを用いた製造技術を実証［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies

　InfineonのCEOを務めるJochen Hanebeck氏は「今回の技術的な成果によって、パワーシステム分野における当社のリーダーシップがさらに強化された。300mm SiC技術を研究室から実際の製造環境へと移行させるという、大きな進展を遂げたチームの努力に感謝したい。パワー半導体分野でリーダーシップを維持するには、技術を絶えず次の段階へと進化させる必要がある。Si、GaN、そして今回のSiCと、300mmウエハー技術によって、当社は半導体製造の規模拡大と収益性の高い成長を推進する上で、有利な立場にある」とコメントしている。

　同社は11月10〜13日にドイツ・ミュンヘンで開催されるエレクトロニクス展示会「electronica 2026」において、今回製造した300mm SiCウエハーの実物を初公開する予定だ。