SK hynixが321層のNAND型フラッシュメモリを「世界で初めて」（同社）量産開始した。TLC方式で、容量は1Tビット。2025年上期に顧客へ供給予定だという。
永山準()
今回は、キオクシアホールディングスの2024会計年度（2025年3月期）第2四半期（2024年7月〜9月期）の連結決算概要を報告する。
福田昭()
今回は、米Western Digitalの2025会計年度第1四半期（2024年7月〜9月期）の業績を紹介する。
福田昭()
Intelの苦境がさまざまなメディアで報じられているが、それを「対岸の火事」では済ませられないのがSamsung Electronicsだ。Samsungのファウンドリー事業も、最先端プロセスの歩留まりや米韓での工場関連で問題が山積している。Intel同様、深刻な状況に陥っている。【訂正あり】
大原雄介()
キオクシアは2024年10月21日、国際会議「IEDM 2024」において、新コンセプトの半導体メモリ技術に関する3本の論文が採択されたと発表した。
永山準()
STマイクロエレクトロニクスは、ウェアラブル機器や医療機器、アセットトラッキング、電動アシスト自転車といった用途に向けたページEEPROM「M95P」を発表した。シリアルフラッシュの速度／容量と、EEPROMのバイトアクセスという柔軟性を両立させた。
馬本隆綱()
Samsung Electronicsが「業界初」（同社）となる24GビットのGDDR7 DRAMを開発した。2024年中に主要GPU顧客の次世代AIコンピューティングシステムでの検証が開始され、2025年初めには生産開始する予定だという。
永山準()
キオクシアは、PCIe 5.0および、NVMe 2.0仕様に準拠したEDSFF E1.S SSD「KIOXIA XD8シリーズ」を開発、評価用サンプル品の出荷を始めた。優れた性能と熱管理を実現しており、クラウドやハイパースケールデータセンターなどにおけるストレージ用途に向ける。【訂正あり】
馬本隆綱()
Micron Technologyが、同社のブランドロゴを変更した。同社は、新ロゴについて「Micronが企業として歩んできた道のり、現在の状況、そして将来の方向性を示す強力なシンボルだ」などと説明している。
永山準()
SK hynixが、「業界で初めて」（同社）12層のHBM3E製品の量産を開始した。DRAMチップを40％薄くしたことで、従来の8層製品と同じ厚さで容量は36Gバイトを実現している。2024年末までに顧客に供給予定だという。
永山準()
Infineon Technologiesは2024年8月22日、かつての子会社で2009年に破産したDRAMメーカーであるQimonda（キマンダ）の破産管財人との間で続いていた係争について、和解に合意したと発表した。Infineonが7億5350万ユーロを支払うという。
永山準()
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、2025年1月1日付で「RAMXEED」に社名を変更すると発表した。
浅井涼()
「FMS（Flash Memory Summit）」では毎年、フラッシュメモリ技術関連で多大な貢献を成した人物に「Lifetime Achievement Award（生涯功績賞）」を授与してきた。2024年の「FMS（Future Memory and Storage）」では、東芝（当時）で3次元NANDフラッシュメモリ技術「BiCS-FLASH」を開発した5人の技術者が同賞を受賞した。
福田昭()
Samsung Electronicsは、米国テキサス州テイラーの新工場の立ち上げを遅らせるという。同社は、ファウンドリー事業ではTSMCに、メモリ事業ではSK hynixに後れを取っている。業界関係者の分析によれば、Samsungの意思決定の重点は、日和見主義から慎重姿勢へと変わっているという。
Alan Patterson()
米Seagate Technologyと米Western Digitalの2024会計年度（2024年6月期）の通期業績を紹介する。
福田昭()