米Western Digitalの2024会計年度第3四半期（2024年1〜3月期）の業績を紹介する。
福田昭()
市場調査会社のYole Groupは、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ（以下、NAND）の市場分析を発表した。2023年のDRAM／NANDの売上高は供給過剰で価格が下落し2016年以来の低水準となったが、2024年にはデータセンター／民生機器などの需要増と各社の戦略的減産によって需給バランスが正常化し、市場が回復に向かう見込みだという。
浅井涼()
台湾の市場調査会社TrendForceは2024年4月4日、前日に発生した台湾東部沖を震源とするマグニチュード7.2の地震による、半導体工場の最新の被害／稼働状況を発表した。
永山準()
「CHIPS and Science Act」（CHIPS法）に基づく米国政府の半導体企業支援の今後の見込みについて、米国EE Timesがアナリストらに聞いた。アナリストらによると、Micron Technologyが次に大型の支援を獲得する見込みだという。
Alan Patterson()
物質・材料研究機構（NIMS）と米国Seagate Technology、東北大学の研究グループは、磁気記録媒体を3次元化すれば、ハードディスクドライブ（HDD）で多値記録ができることを実証した。10Tビット/in2を超える高密度磁気記録が可能となる。
馬本隆綱()
新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。
Gary Hilson()
TrendForceが、2024年のNAND型フラッシュメモリ市場についての分析を公開した。それによると、キオクシア ホールディングスとWestern Digitalは工場稼働率を90％近くまで引き上げているという。
浅井涼()
SK hynixがHBM3Eの量産を開始した。2024年3月下旬から顧客に供給する予定としていて、NVIDIAの新世代GPU向けとみられる。
永山準()
STMicroelectronicsが組み込み型相変化メモリ（ePCM）を搭載した18nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術に基づく先進プロセスを開発した。新技術を採用したマイコンを、2025年後半に量産開始する予定だ。
永山準()
東北大学と東邦大学の共同研究グループは、らせん磁性体のねじり方向「キラリティー」を室温で制御／検出できる、「マンガン金合金（MnAu2）薄膜」を開発した。ビット間干渉がなく高集積かつ堅固な磁気メモリを実現することが可能となる。
馬本隆綱()
東北大学らの研究グループは、素粒子「ミュオン」を用いて、二酸化バナジウム（VO2）における水素の拡散運動を解明したと発表した。研究成果は高密度の抵抗変化型メモリ（ReRAM）開発につながる可能性が高いとみられる。
馬本隆綱()
Micron Technologyが、8層積層の24GバイトHBM3E（広帯域幅メモリ3E）の量産を開始した。1βプロセスを適用する。2024年第2四半期に出荷を開始するNVIDIAの「H200 Tensorコア GPU」に搭載されるという。
村尾麻悠子()
Samsung Electronicsが、「業界初」（同社）となる12層の36Gバイト（GB）HBM3E DRAM製品「HBM3E 12H」を開発した。既にサンプル出荷を行っていて、2024年前半の量産開始を予定している。
永山準()
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2024年2月号を発行しました。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は、『「3D NANDの進化」に必要な要素とは 』です。
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キオクシアが、四日市工場（三重県四日市市）の土地を不動産大手のヒューリックに売却する。今後、キオクシアはヒューリックから土地を借り受け、工場の運営を続ける。
永山準()