東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、大規模データセンターに向けて、SMR（瓦記録）方式を採用し記憶容量30〜34Tバイトを実現した3.5型ニアラインHDD「M12シリーズ」を開発、サンプル品の出荷を始めた。M12シリーズとしてはCMR方式を採用した最大28Tバイト品も開発中で、2026年半ばからサンプル品の供給を始める。
馬本隆綱()
ルネサス エレクトロニクスは、2026年2月に米国カリフォルニア州で開催された「International Solid-State Circuits Conference（ISSCC） 2026」にて、車載SoCに適用可能な高メモリ密度かつ低消費電力のTCAM（Ternary Content Addressable Memory）を発表した。同技術の詳細を開発担当者に聞いた。【修正あり】
浅井涼()
キオクシアホールディングス（以下、キオクシアHD）は2026年3月25日、台湾のDRAMメーカーNanya Technology（以下、Nanya）に156億台湾ドル（約774億円）を出資するとともに、NanyaからDRAMを長期で調達する契約を締結したと発表した。
永山準()
今回は、Micron Technologyの2026会計年度第2四半期（2025年12月〜2026年2月期）の四半期業績を紹介する。
福田昭()
キオクシアは、AIワークロードに適した新タイプのSuper High IOPS SSD「KIOXIA GPシリーズ」を開発した。NVIDIA Storage-Nextアーキテクチャに対応しており、限定顧客に向け2026年末までに評価用サンプル品の出荷を始める。
馬本隆綱()
Micron Technologyが、台湾苗栗県銅鑼に有するPSMCの300mm工場（P5）の買収を完了した。Micronはまた、2026会計年度末までに、同敷地に同規模の第2工場を建設開始する計画で、クリーンルーム面積は2工場を合わせると約5万3000m2規模になる予定だ。
永山準()
Seagate Technology（以下、Seagate）の日本法人である日本シーゲイトは記者説明会を開催し、次世代ストレージプラットフォーム「Mozaic4＋」の紹介およびSeagateのロードマップを紹介した。HAMRベースのMozaicで、2032年に1台当たり100TBの容量実現を目指すという。
杉山康介()
「IEDM 2025」におけるTSMCの講演内容を紹介する。今回は「（2）Memory bandwidth scalability（メモリ入出力帯域幅の拡張性）」を取り上げる。
福田昭()
東北大学や日本原子力開発機構らによる研究グループは、等方性磁石の薄膜を使って作製した素子に電流を印加し、不安定な方位に磁石の向き（スピン）を安定化させることに成功した。電流と外部磁場の大きさを調整すれば、スピンの揺らぎを最大化できる。この動きは連続的な変数を用いる制限ボルツマンマシンの動作原理に適用できるとみている。
馬本隆綱()
Semiconductor Intelligence（以下、SI）は2026年2月26日、WSTS（World Semiconductor Trade Statistics／世界半導体市場統計）や半導体メーカー各社のデータを基に、2025年第4四半期の半導体市場の推移や売上高ランキングなどをまとめたレポートを発表した。中でもSamsung Electronics、SK Hynix、Micron Technology、キオクシア、Sandiskら主要メモリメーカー5社は平均27％と高い成長を果たしている。
杉山康介()
Micron Technologyは2026年3月、データセンター向けに256GB（ギガバイト）のLPDRAM SOCAMM2のサンプル出荷を開始した。1γ（ガンマ）世代のプロセスを適用した32Gb（ギガビット） LPDDR5Xダイを採用することで、容量が従来の1.3倍に増加した他、標準的なRDIMMに比べて消費電力と実装面積を3分の1に削減できる。
村尾麻悠子()
台湾の市場調査会社TrendForceによると、2025年第4四半期の世界DRAM市場ランキングにおいて、Samsung Electronicsが前四半期比43.0％増の成長を見せ、SK hynixを抜き再びトップの座を取り戻したという。
永山準()
コンシューマー向けフラッシュメモリ製品を手掛けるLexar（レキサー）の日本法人レキサージャパンは2026年2月26日、日本市場における事業戦略発表会を開催した。発表会の中では、AI対応デバイス向けストレージ構想「AIストレージコア」を紹介した。
杉山康介()
キオクシアは2026年2月、次世代モバイル機器に向けた組み込み式フラッシュストレージの標準規格「UFS 5.0」に対応した評価用フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を始めると発表した。まずは512Gバイト品の出荷を始め、3月以降には1Tバイト品の出荷も開始する。
馬本隆綱()
ルネサス エレクトロニクス、3nm FinFETプロセスを用いたコンフィギュラブルなTCAM（Ternary Content Addressable Memory）技術を発表した。TCAMの高密度化と低消費電力化、機能安全の強化に貢献し、車載SoC（System on Chip）にも適用できる。ルネサスはこの成果を「International Solid-State Circuits Conference（ISSCC） 2026」で発表した。
浅井涼()
NANDダイを複数積層して大容量化を図る「高帯域幅フラッシュ（HBF）」は、HBMを置き換えるのではなく補完するAI向けメモリ技術として期待が高まっている。本稿ではその最新動向を紹介する。
Majeed Ahmad()