「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2026年5月号を発行しました。EE Exclusive(電子版限定先行公開記事)は『AI時代のメモリ/ストレージ覇権』です。
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大阪大学産業科学研究所の研究グループらは、フラッシュランプアニール(閃光熱処理)と呼ばれる手法を用い、磁気トンネル接合(MTJ)を約1.7秒で完了させることに成功した。従来の熱処理に比べ加熱時間を最大で数千分の1に短縮できるという。
馬本隆綱()
SEMIによると、2025年の世界半導体材料売上高は過去最高の732億米ドルに達した。前年に比べ6.8%の増加である。半導体プロセスの複雑化、先進ノード需要の拡大、高性能コンピューティング(HPC)および広帯域メモリ(HBM)製造への継続的投資などがその背景にあるとみられる。
馬本隆綱()
フローディアとNEC、九州工業大学は、極めて消費電力が小さいAIハードウェアを実現できる「高精度不揮発性アナログメモリ技術」を共同開発した。ロボットやドローン、自動車などのエッジAI応用機器において、高性能化や省エネ化、小型化が可能となる。
馬本隆綱()
キオクシアホールディングス(キオクシアHD)は2026年度3月期(2025年度)通期の業績を発表した。売上高は2兆3376億円で、2期連続で過去最高を達成。さらに、2025年度第4四半期のNon-GAAP営業利益は約6000億円で、2024年度通期の営業利益(4530億円)を上回る増益を達成した。
村尾麻悠子()
Micron Technologyは、データセンター向けに記憶容量が245TバイトのSSD「Micron 6600 ION」を開発、出荷を始めた。Micron 6600 ION E3.LではHDDベースの同等品に比べ、必要なラック数を82%削減、消費電力も約半分に抑えた。
馬本隆綱()
米中対立や輸出規制の強化によって、DRAMやNANDフラッシュメモリの調達を巡る前提が変わり始めている。HBMなど先端メモリは政策や地域の影響を強く受けるようになり、成熟メモリにも供給継続リスクが広がっている。サプライチェーンの地域化が進む中、機器メーカーには「最安調達」ではなく、継続供給やコンプライアンスを重視した戦略が求められている。
Marco Mezger()
レゾナックが、ハードディスクメディアの生産能力を拡大する。シンガポールの生産拠点を中核として、2027年以降に生産ラインを順次立ち上げる。これらの投資により、年間生産能力は約2億1000万枚規模となり、現在の1億6000万枚より31%増える。
馬本隆綱()
DRAMの価格が急騰し供給不足が問題となる中、AIシステム設計にも変化が表れている。大規模なAIモデルが無制限に使用されるのではなく、小規模な特化型モデルがより多く用いられるようになってきている。
Avi Baum()
今回は、米Seagate Technologyの2026会計年度第3四半期(2026年1月〜3月期)の業績を紹介する。
福田昭()
今回は、韓国SK hynixの2026年度第1四半期(2026年1月〜3月期)の四半期業績を紹介する。売上高、営業利益ともに4四半期連続で過去最高を更新した。
福田昭()
キオクシアとSandiskが、ウエハー間Cu直接接合によるマルチ積層セルアレイCMOS(MSA-CBA)構造で、「世界初」(両社)のクアッドレベルセル(QLC)動作の実証に成功した。両社はこの成果を1000層以上の超高密度3Dフラッシュメモリ実現に向けた重要な技術的マイルストーンと位置付ける。
永山準()
Gartnerによると、2026年の半導体市場は前年比63.9%増の1兆3200億米ドル規模に拡大する見込みだ。しかし、同社シニアディレクターアナリストの山地正恒氏は「成長の実態は出荷数量の増加ではなく値上がりだ」と指摘する。また、日本企業が恩恵を受けにくい構図も浮き彫りになった。
浅井涼()
SAIMEMORYは、同社の次世代メモリ技術「ZAM(Z-Angle Memory)」開発プロジェクトが新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「高メモリ密度・広帯域・低消費電力な革新的メモリの製造技術開発」に採択されたと発表した。また富士通、日本政策投資銀行、理研、ソフトバンクを引受先としてシリーズAラウンドの資金調達を実施したことも発表した。
杉山康介()
中国のNAND型フラッシュメモリメーカーであるYMTC(Yangtze Memory Technologies Corp)が新工場を建設しているという。米国による厳しい対中規制が続く中、中国はメモリでも猛追している。
Majeed Ahmad()