メディア

Micronが12層HBM4をサンプル出荷　前世代品比で性能を60％向上：量産は2026年開始予定

Micron Technologyは2025年6月、12層HBM4のサンプル出荷を一部の顧客向けに開始した。容量は36Gバイト。メモリスタック当たりの帯域幅は2TB/s（テラバイト/秒）だという。

» 2025年06月12日 15時30分公開

　Micron Technology（以下、Micron）は2025年6月10日（米国時間）、広帯域メモリ（HBM）の新製品として、12層のHBM4製品を一部の顧客向けにサンプル出荷を開始したと発表した。容量は36Gバイトで、同社の1β世代のDRAMプロセスや、メモリ内蔵自己テスト（MBIST）機能などを採用している。量産開始は2026年の見込みだ。

Micron Technologyの12層HBM4製品の外観［クリックで拡大］出所：Micron Technology

　今回サンプル出荷を開始した12層HBM4は、2048ビットのインタフェースを採用。メモリスタック当たり2TB/s（テラバイト/秒）を超える帯域幅を実現した。Micronの前世代品（HBM3E）に比べ、性能を60％以上向上させたという。大規模言語モデル（LLM）やCoT（Chain of Thoughts：思考の連鎖）のシステムにおいて推論性能を加速させるとする。

　電力効率も、HBM3Eに比べると20％改善。データセンターの電力効率の向上にも貢献するとしている。

　Micronのクラウドメモリ事業部門シニアバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるRaj Narasimhan氏はリリースで「今回のHBM4製造の成果は、顧客が進める次世代 AI プラットフォームへの対応に沿っており、シームレスな統合と量産体制の拡大を可能にする」と述べている。

　なお2025年3月には、SK hynixが12層のHBM4製品のサンプル出荷を開始した。同製品の量産開始は2025年下期を予定している。

DRAM市場でSK hynixがSamsungを抜きトップに 25年Q1
台湾の市場調査会社TrendForceが2025年第1四半期（1～3月）の世界DRAM売上高の最新調査結果を発表した。それによるとSK hynixがSamsung Electronics（以下、Samsung）を抜き首位の座に就いたという。
AIブームで脚光を浴びるHBM　販売台数は2035年に15倍に
AIデータセンターの需要が成長する中、ワークロード並列処理をサポートする広帯域幅メモリ（HBM）の注目度が高まっている。HBMの販売台数は、2035年までに2024年の15倍に成長すると見込まれている。
MicronがシンガポールにHBMパッケージング新工場　70億ドル投資
Micron Technologyが、シンガポールにHBMパッケージング新工場を建設する。拡大するAIデータセンターの需要に対応するもので、2026年に創業を開始し「2027年から先端パッケージングの生産能力を大幅に拡大する」（同社）計画だ。投資額は今後数年で約70億米ドルになる予定。
EUV初導入、Micronが「業界初」1γノードDRAMを発表
Micron Technologyは、1γ（ガンマ）ノードDRAM技術を採用したDDR5メモリのサンプル出荷を開始した。1γノードは、前世代である1β（ベータ）ノードと比べて、速度を15％改善。消費電力は20％以上削減し、ビット密度も30％以上向上した。
Micronがブランドロゴを刷新
Micron Technologyが、同社のブランドロゴを変更した。同社は、新ロゴについて「Micronが企業として歩んできた道のり、現在の状況、そして将来の方向性を示す強力なシンボルだ」などと説明している。
SK hynixが「世界初」12層HBM4製品をサンプル出荷、25年下期に量産へ
SK hynixが、12層のHBM4製品のサンプルを「世界で初めて」（同社）主要顧客に出荷したと発表した。2025年下期にも量産を開始する予定だ。