理化学研究所（理研）と宇都宮大学らによる国際共同研究グループは、波長2μmの固体レーザーとマルチレーザー照射法を組み合わせることで極端紫外線（EUV）光変換効率を40％も高めることに成功し、その有用性を実証した。EUV露光装置の省電力化につながるとみている。
馬本隆綱()
東洋大学と岡山大学の研究グループは、酸化還元グラフェン（rGO）上に、高い結晶性と電気伝導特性に優れたグラフェン薄膜を形成することに成功した。
馬本隆綱()
日清紡マイクロデバイスは、シリコン基板の両面に回路を形成し、ICと受動部品を集積できる3次元実装技術「シリコンマザーボード（Si-MB）」を確立した。この技術を用いて試作した回路ブロックは、ディスクリートで構成した場合に比べ、実装面積を約80％削減できたという。
馬本隆綱()
名古屋大学らによるASPIRE（先端国際共同研究推進事業）国際共同研究グループは、薄膜p型窒化ガリウム（p型GaN）表面の平たんさを維持しつつ、低抵抗のオーミック接触を形成する技術を開発した。LEDやp型GaNゲートHEMT、HBTなど、薄膜p型GaN層を用いる電子・光デバイスへの応用に期待する。
馬本隆綱()
AI需要の拡大を背景に、半導体市場は今後も成長が見込まれている。TSMCは、トランジスタの微細化に加え、先端パッケージングや光接続などの技術開発を加速している。こうした中、日本の設計、研究開発、生産拠点は、TSMCのグローバル戦略においてどのような役割を担うのか。TSMCジャパン 社長の小野寺誠氏に、AI時代の技術課題や日本企業との連携について聞いた。【修正あり】
浅井涼()
東北大学発ベンチャーのFOXやC＆A、東北大学および、三重大学の研究グループは、OCCC法と呼ぶ新たな結晶育成手法により、直径3.5インチの「酸化ガリウム単結晶」を作製することに成功した。開発した育成手法は、高価なイリジウムるつぼなどを使わなくて済むという。
馬本隆綱()
ASMLは、2026年第2四半期の業績が当初の予想を上回ったことを受け、通期売上高見通しを430億〜450億ユーロ（約494億5000万〜517億5000万米ドル）に引き上げた。AIインフラや広帯域メモリ（HBM）、先端ロジック向けの需要拡大に対応し、2027年には極端紫外線（EUV）露光装置および深紫外線（DUV）液浸露光装置の生産能力を30％増強する。
Pablo Valerio()
ラムリサーチは、三重県四日市市に新オフィスを開設した。これまで技術サポートとカスタマーサポートを行ってきた2つの拠点を1カ所に集約、顧客との連携を一層強化していく。
馬本隆綱()
TSMCは、顧客向け技術イベントで最新のテクノロジーロードマップについて説明した。2028年に第2世代GAAナノシート技術「A14」、2029年に「A13」「A12」の量産を予定するほか、「CoWoS」「SoIC」などのパッケージング技術の開発も加速する。
浅井涼()
インテルは、メインストリームAI PC向けプロセッサ「Intel Core Series 3」（開発コード：Wildcat Lake）についての説明会を実施した。フラグシップ製品「Intel Core Ultra Series 3」（開発コード：Panther Lake）と同世代の最新IPを採用しつつ、構成を絞ることで価格重視のユーザーにも訴求する。5年前のPCからの買い替え需要を意識し、性能向上や長時間駆動をアピールする。
浅井涼()
東北大学は、直接窒化法を用い針状の窒化アルミニウム（AlN）単結晶を育成することに成功した。これを種結晶として溶液成長法により結晶成長させれば、大口径の超ワイドバンドギャップ（WBG）半導体基板を実現できるとみている。
馬本隆綱()
主要な国内半導体製造装置メーカー（集計対象：8社）の2026年3月期（2025年度）通期の業績は、売上高と営業利益の前年比増減率を公表している7社中、増収増益は2社だった。
浅井涼()
京セラは「JPCA show 2026」に出展し、先端半導体パッケージ向け多層セラミックコア基板を紹介した。大型パッケージ基板のコア材として用いることを想定したもので、高剛性／高強度の独自セラミック材料によって、基板の反りや割れを抑制できる。焼結前のビア加工により、配線微細化にも貢献する。
浅井涼()
エレファンテックは、半導体パッケージ基板の新製法「デュアルシードセミアディティブプロセス（DS-SAP）」を開発した。現在主流の製法であるセミアディティブプロセス（SAP）を、同社が得意とするインクジェット技術を用いて改良し、配線微細化に貢献するものだ。
浅井涼()
東京科学大学は、次世代AIシステム向け高密度半導体集積技術「BBCube」を実現するため、「実装」「接続」「熱設計」に関する3つの基盤技術を、産学研究プラットフォーム「WOWアライアンス」と共同で開発した。
馬本隆綱()
理化学研究所（理研）とエンプラス研究所の研究グループは、GHzバーストモード超短パルスレーザーを用い、ガラスに超高アスペクト比で高品質の微細貫通穴を、超高速で形成するための技術を開発した。チップレットや3次元実装など先端半導体デバイス製造における基盤技術として期待される。
馬本隆綱()
物質・材料研究機構（NIMS）は、シリコン（Si）ウエハー上に窒化ガリウム（GaN）成膜を行うため、「アモルファスライク中間層（AL-IL）」と呼ぶバッファ層を形成する技術を開発した。安価なSiウエハー上に縦型GaNデバイスを作製するための基盤技術となる。
馬本隆綱()