産業技術総合研究所（産総研）とイーディーピーは、ダイヤモンドデバイス製造に向け、大面積のダイヤモンド／シリコン複合ウエハーを開発した。多数の小さなダイヤモンドをシリコンウエハー上に1200℃という高温で接合すれば熱ひずみを抑えられ、汎用の露光装置を用いて微細加工が可能なことを実証した。
馬本隆綱()
物質・材料研究機構（NIMS）や東京大学らの研究グループは、MOCVD（有機金属化学気相成長）法を用い、高品質な単層膜厚の「二硫化モリブデン（MoS2）」を、ウエハースケールでエピタキシャル成長させる技術を開発、その成膜メカニズムを解明した。試作したトランジスタの電子移動度を測定したところ、室温で66cm2/Vs、20Kで749cm2/Vsを達成した。
馬本隆綱()
ヤマハ発動機は、高速で高精度な実装を実現しながら、12インチウエハーへの対応や大型基板搬送を可能にしたハイブリッドプレーサー「YRH10W」を開発、2026年3月より発売する。NEV（New Energy Vehicle）に向けたパワー半導体モジュール製品などの製造工程において、生産性や品質の向上が可能となる。
馬本隆綱()
キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を応用し、ウエハーを平たん化する「IAP（Inkjet-based Adaptive Planarization）」技術を開発した。2027年中にも製品化する予定だ。300mmウエハー全面を一括押印すれば、製造工程で生じる表面の凹凸を5nm以下に抑えられる。
馬本隆綱()
名古屋大学の研究グループと東京エレクトロン宮城は、ウエハーを冷却しフッ化水素（HF）プラズマを用いる反応性イオンエッチング（RIE）プロセスのメカニズムを明らかにした。SiO2（二酸化ケイ素）膜のエッチング速度を従来プロセスに比べ5倍も向上させた。エッチングガスにHFを用いるため環境負荷も低減できるという。
馬本隆綱()
エレファンテックは、産業用インクジェット印刷装置「ELP04」シリーズの新モデル「ELP04 PILOT 600R」を開発、初号機を国内のプリント基板メーカーに販売した。
馬本隆綱()
東レは、次世代半導体パッケージに用いられるガラスコア基板の加工に適した「ネガ型感光性ポリイミドシート」を開発した。再配線のための微細加工と貫通ビア電極（TGV）の樹脂充填を同時に実現でき、加工工程の短縮とコスト削減が可能になる。
馬本隆綱()
日本半導体製造装置協会（SEAJ）は「SEMICON Japan 2025」に出展。学生の採用強化に向けた取り組みとして、半導体業界の情報や「あるある」を表現したかるたを紹介した。
浅井涼()
サムコは、原子層レベルのエッチング制御を可能にした原子層エッチング（ALE）装置を開発し、販売を始めた。窒化ガリウム（GaN）系デバイスなどにおいて、加工時のダメージを低減できる。
馬本隆綱()
TOPPANは、石川工場（石川県能美市）に次世代半導体パッケージの研究開発を行うパイロットラインを導入する。稼働は2026年7月の予定だ。有機RDLインターポーザ−などの研究開発と、量産化に必要な技術の検証を行う。
馬本隆綱()
大日本印刷（DNP）は、久喜工場（埼玉県久喜市）内に新設した「TGV（ガラス貫通電極）ガラスコア基板」のパイロットラインを2025年12月から順次稼働させる。量産のための検証を行い、2026年初頭にはサンプル品を出荷する予定だ。
馬本隆綱()
ディスコが、最大400mm角のパッケージを切断できるフルオートダイシングソー「DFD6080」を開発した。2026年下期から販売を始める。
馬本隆綱()
東京エレクトロン（TEL）が、極端紫外線（EUV）や深紫外線（DUV）を用いた露光プロセスに対応できる300mmウエハー塗布／現像装置「CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE」を発売する。
馬本隆綱()
SHW Techは、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）と、異種材料を常温で直接接合させることに成功した。これまで常温での接合が極めて難しいといわれてきた「SiCとシリコン（Si）」および、「サファイアとSiC」の接合を実証した。
馬本隆綱()
SCREENセミコンダクターソリューションズは、先端半導体パッケージの製造工程に向け、解像度が1μm以下の直接描画露光装置「DW-3100」を開発、販売を始めた。
馬本隆綱()
ニコンは、半導体露光装置と組み合わせることで、3D構造を採用した先端半導体デバイスの歩留まり向上が可能となるアライメントステーション「Litho Booster 1000」を開発中で、2026年後半にも発売すると発表した。
馬本隆綱()
大日本印刷（DNP）は、回路線幅が10nmのナノインプリントリソグラフィ−（NIL）用テンプレートを開発した。NAND型フラッシュメモリに加え、1.4nm世代相当の先端ロジック半導体にも対応できる。2027年にも量産を始める予定だ。
馬本隆綱()