半導体後工程特集

岡本工作機械製作所は、Si（シリコン）ウエハーの裏面からSi貫通電極を露出させることができる「Si貫通電極ウエハー全自動研削装置」を開発した。同装置を用いると、Si貫通電極の形成プロセスを効率化でき、3次元実装した半導体デバイスのコスト低減や歩留まりを向上させることが可能となる。

日清紡マイクロデバイスと沖電気工業（OKI）が、アナログICをわずか数ミクロンに薄膜化し、それを3次元積層することに成功した。2026年の量産化を目指す。

Intelのパッケージング技術「Embedded Multi-Die Interconnect Bridge（EMIB）」は、異種統合マルチチップ／マルチチップレットアーキテクチャの複雑化に対処することを目的とした技術だ。EDAツール大手各社が同技術向けのツールを発表している。

TSMCは横浜で開催した顧客向け技術発表会「TSMC Technology Symposium」に合わせ、テクノロジー専門メディア向けの技術説明会を開催した。説明会では、AIイノベーションを加速させるための半導体製造プロセス「TSMC A16」技術や「TSMC System-on-Wafer（TSMC-SoW）」などについて、その概要を紹介した。

Rapidusは、セイコーエプソン千歳事業所（北海道千歳市）内にクリーンルームを構築し、半導体後工程の研究開発拠点「Rapidus Chiplet Solutions（RCS）」を開設すると発表した。2025年4月から製造装置を導入し、2026年4月を目標に研究開発活動を開始する計画だ。

京セラは2024年8月28日、2026年度の稼働を予定する長崎諫早工場（長崎県諫早市）の建設開始に当たり地鎮式を行った。半導体製造装置向けのファインセラミック部品や半導体パッケージなどの生産を行う。2028年度までの投資額は、当初計画から積み増した約680億円を予定する。

キヤノンは、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を、米国テキサス州にある半導体コンソーシアム「Texas Institute for Electronics」（TIE）に向けて出荷した。

米国商務省は、先端パッケージングの国内生産能力の確立を加速するため、最大16億米ドルを投じると発表した。研究開発／試作プロジェクトを公募し、対象プロジェクトには1件当たり約1億5000米万ドルを拠出する。

レゾナックは2024年7月8日、次世代半導体パッケージング分野において、日米の半導体材料／装置メーカー10社によるコンソーシアム「US-JOINT」を設立すると発表した。拠点はシリコンバレーで、半導体メーカーや大手テック企業といった顧客との連携を深める狙いだ。

半導体メーカーや半導体製造装置／自動搬送装置メーカーおよび標準化団体など15の企業・団体は、2024年4月16日付で「半導体後工程自動化・標準化技術研究組合（SATAS）を設立した。2028年の実用化を目指し、半導体後工程の完全自動化や標準化に取り組む。

Rapidusは2024年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）に提案し、採択された先端半導体前工程のプロジェクトの2024年計画／予算が承認され、また、新たに提案していた先端半導体後工程のプロジェクトが採択されたと発表した。追加の支援額は、前工程プロジェクトが最大5365億円、後工程プロジェクトが最大535億円だ。