「MOSFET」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

2個のパワーMOSFETを搭載：
新電元工業、車載ECU向けLF Dualシリーズを開発
新電元工業は、車載用ECUに向けて1パッケージに2個のパワーMOSFETを搭載した「LF Dual」シリーズを開発した。既にサンプル出荷を始めていて、2021年12月から量産を行う。（2021/7/15）

耐圧40V／60Vの12製品を発売：
ローム、低オン抵抗のデュアルMOSFETを開発
ロームは2021年7月、24V入力に対応した低オン抵抗のデュアルMOSFET「QH8Mx5／SH8Mx5シリーズ（Nch＋Pch）」を発表した。FA機器や基地局装置のファンモーター用途に向ける。（2021/7/2）

Qrr性能指数を平均で61％も低減：
Nexperia、80V／100V MOSFETを新ラインで製造
Nexperia（ネクスペリア）は、オン抵抗が小さく、逆回復電荷が低い耐圧80V／100VのシリコンMOSFETを発表した。新製品は英国マンチェスターの新たな8インチウエハーラインで製造する、初めての製品だという。（2021/6/29）

高温環境下で高信頼と電力損失低減：
東芝、SiC MOSFETのデバイス構造を最適化
東芝デバイス＆ストレージは、SiC（炭化ケイ素）MOSFETの新たなデバイス構造を開発した。新構造を採用することで、高温環境下における素子の信頼性向上と電力損失の低減を実現した。（2021/6/25）

耐圧1700VのSiC MOSFETを内蔵：
ローム、面実装のAC-DCコンバーターICを開発
ロームは、耐圧1700VのSiC MOSFETを内蔵したAC-DCコンバーターIC「BM2SC12xFP2-LBZ」を開発し、サンプル出荷を始めた。面実装が可能な小型パッケージ（TO263-7L）で供給する。（2021/6/21）

オンセミ NXH010P120MNF1、NXH006P120MNF2：
EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。（2021/6/18）

ビシェイ SiSS52DN：
低オン抵抗の30V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、30V耐圧NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET「SiSS52DN」を発表した。絶縁、非絶縁型トポロジー向けに高電力密度と高効率を提供する。（2021/6/14）

Nexperia BUK7S0R5-40H、PSMNR55-40SSH：
低オン抵抗、高電力密度の40V MOSFET
Nexperiaは、40VパワーMOSFETの新製品として、車載向けの「BUK7S0R5-40H」と産業機器向けの「PSMNR55-40SSH」を発表した。オン抵抗が0.55mΩと低く、電力密度も向上している。（2021/6/9）

縦型MOSFETとCMOSを1チップに：
産総研、SiCモノリシックパワーICの開発に成功
産業技術総合研究所（産総研）は、SiC（炭化ケイ素）半導体を用い、縦型MOSFETとCMOS駆動回路をワンチップに集積したSiCモノリシックパワーICを開発、そのスイッチング動作を確認した。SiCモノリシックパワーICを実現したのは世界で初めてという。（2021/6/2）

インフィニオン FF11MR12W1M1_B70、FF6MR12W2M1_B70：
窒化アルミニウム採用のSiC MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。（2021/5/24）

航続距離を5％以上伸ばせる：
EVのインバーター向けSiC-MOSFETパワーモジュール
Infineon Technologiesの日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2021年5月19日、電気自動車（EV）やハイブリッド自動車（HEV）といった電動車両のトラクションインバーター向けに、SiC-MOSFETを搭載したパワーモジュール「HybridPACK Drive CoolSiC」を発表した。（2021/5/21）

ビシェイ SQJA81EP：
車載グレードの80V PチャンネルMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、車載用規格「AEC-Q101」に準拠した80VのPチャンネルMOSFET「SQJA81EP」を発表した。10Vでのオン抵抗が前世代品と比較して31％低く、この低オン抵抗によって導通時の電力損失を抑え、電力密度を高める。（2021/4/20）

工場ニュース：
東芝、生産能力増強に向け300mmウエハー対応製造ラインを導入
東芝デバイス＆ストレージは、300mmウエハー対応製造ラインを加賀東芝エレクトロニクス構内に導入すると発表した。導入により、低耐圧MOSFETやIGBTの生産能力を増強する。（2021/3/31）

東芝 DTMOSVIシリーズ：
650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOSVI」シリーズの量産出荷を開始した。薄型かつ小型の表面実装TOLLパッケージを採用し、従来から約27％実装面積を縮小している。（2021/3/24）

ネクスペリア BUK7V4R2-40H、BUK9V13-40H：
定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET
ネクスペリアは、定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET「BUK7V4R2-40H」「BUK9V13-40H」を発表した。MOSFET間を内部クリップ接続することで、寄生インダクタンスを60％低減し、基板上の配線も不要なため、実装面積を30％削減できる。（2021/3/10）

東芝 MG800FXF2YMS3：
産業機器向けデュアルSiC MOSFETモジュール
東芝デバイス＆ストレージは、電圧定格3300V、電流定格800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を発表した。鉄道車両向け電力変換装置や再生可能エネルギー発電システムなどでの利用を見込む。（2021/3/5）

組み込み開発ニュース：
Fin状トレンチ型SiC-MOSFETを製品化、サンプル出荷開始へ
日立パワーデバイスは、Fin状トレンチ型SiC-MOSFET「TED-MOS」を製品化した。2021年3月よりサンプル出荷を開始する。デバイス設計の自由度が向上したほか、耐久性と低消費電力を両立した。（2021/2/17）

ローム 第5世代Pch MOSFETシリーズ：
−40V、−60V耐圧の低オン抵抗Pch MOSFET
ロームは、産業機器や大型民生機器向けに、24V入力対応の−40Vおよび−60V耐圧Pチャンネル（Pch） MOSFETのシングル品および、デュアル品計24製品を開発した。オン抵抗は、−40V耐圧品で同社従来品比62％減、−60V耐圧品で同52％減となっている。（2020/12/25）

STマイクロ VIPer31：
小型の高電圧オフラインコンバーター
STマイクロエレクトロニクスは、高電圧コンバーター「VIPerPlus」シリーズに、小型で高電圧のオフラインコンバーター「VIPer31」を追加した。内蔵のパワーMOSFETは800Vのアバランシェ耐性を備える。（2020/12/21）

価格はシリコンと同水準、UnitedSiC：
「業界最高の性能指数を実現」する750V耐圧SiC FET
米国UnitedSiCは2020年12月1日（現地時間）、同社の「第4世代SiC FET」として、750V耐圧の新製品を発表した。同社は、単位面積当たりのオン抵抗やスイッチング性能など、「業界最高の性能指数」を実現したと説明している。またコスト面でも、「スーパージャンクション（SJ）構造のシリコンMOSFETのプレミアム品とほぼ同水準の価格だ」という。（2020/12/4）

インフィニオン CoolSiC MOSFET：
1200V対応、自然冷却のパワーMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、SiCパワーMOSFETファミリー「CoolSiC MOSFET」に1200V用に最適化された新製品を追加した。自然空冷を可能にしたことで冷却ファンや関連設備を不要とし、損失も従来比で最大80％削減できる。（2020/11/26）

三菱電機 SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ：
4端子構成パッケージのSiC-MOSFET
三菱電機は、「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ」6品種のサンプル提供を2020年11月に開始する。4端子パッケージ採用により、従来品と比較してスイッチング損失を約30％低減した。（2020/11/17）

機器の電力損失を大幅に削減：
東芝、耐圧1200VのSiC MOSFETを発売
東芝デバイス＆ストレージは、耐圧1200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFET「TW070J120B」を開発、出荷を始めた。産業機器向けAC-DCコンバーターや太陽光インバーター、大容量の双方向DC-DCコンバーターなどの用途に向ける。（2020/10/21）

ローム RV8C010UN、RV8L002SN、BSS84X：
実装信頼性の高い1010サイズの車載向けMOSFET
ロームは、車載規格AEC-Q101に準拠した超小型MOSFET「RV8C010UN」「RV8L002SN」「BSS84X」を発表した。はんだの実装信頼性が高く、小型化と高放熱化を両立しており、車載ECUやADASに適している。（2020/10/14）

リチウムイオン電池の保護回路用：
小型で低オン抵抗のドレインコモンMOSFETを発売
東芝デバイス＆ストレージは、小型形状でオン抵抗が小さいドレインコモン構造の12V耐圧nチャネルMOSFET「SSM6N951L」を開発、出荷を始めた。リチウムイオン電池パックのバッテリー保護回路用途に向ける。（2020/10/9）

京大が再び快挙：
SiC-MOSFETの電子移動度が倍増、20年ぶりに大幅向上
京都大学が、SiCパワー半導体の研究で再び快挙を成し遂げた。京都大学 工学研究科 電子工学専攻の木本恒暢教授と同博士課程学生の立木馨大氏らの研究グループは2020年9月8日、新たな手法による酸化膜形成により、SiCと酸化膜（SiO2）の界面に発生する欠陥密度を低減し、試作したn型SiC-MOSFETにおいて従来比2倍の性能を実現したと発表した。（2020/9/9）

30年来の課題に光明：
新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に
SiCパワー半導体で30年来の課題となっていた欠陥の低減が、大きく前進しようとしている。京都大学と東京工業大学（東工大）は2020年8月20日、SiCパワー半導体における欠陥を従来よりも1桁低減し、約10倍の高性能化に成功したと発表した。（2020/8/21）

インフィニオン TLE956xシリーズ：
電源と通信インタフェースを統合したマルチハーフブリッジMOSFETドライバ
インフィニオン テクノロジーズは、車載用小型電気モーター制御システム向けのモーターシステムIC「TLE956x」シリーズを発表した。電源と通信インタフェースを統合した「世界初」（同社）のマルチハーフブリッジMOSFETドライバとなる。（2020/8/6）

従来技術に比べ10倍以上に：
新デバイス構造でSiC MOSFETの信頼性を向上
東芝デバイス＆ストレージは、SiC MOSFETの内部にSBDを搭載する新たなデバイス構造を開発した。従来技術に比べて、オン抵抗の上昇を抑えつつSiC MOSFETの信頼性を10倍以上も高めることが可能だという。（2020/8/3）

パワー・インテグレーションズ InnoSwitch3-AQ：
車載用フライバックスイッチング電源
パワー・インテグレーションズは、750V耐圧のMOSFETおよび二次側検出回路を搭載した、車載用フライバックスイッチング電源「InnoSwitch3-AQ」を発売した。AEC-Q100認証を取得している。（2020/7/31）

PCIM Europe digital days 2020、ローム：
バーチャルブースで第4世代SiC-MOSFETなど展示
ロームは、オンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」（2020年7月7〜8日、ドイツ時間）に出展。バーチャルブースを用意し、第4世代SiC-MOSFETなどの製品を紹介していた。（2020/7/17）

車載半導体：
オン抵抗を40％、スイッチング損失を50％低減したSiC-MOSFETを開発
ロームは、車載パワートレインシステムや産業機器用電源向けに「1200V 第4世代SiC MOSFET」を開発した。短絡耐量時間を短縮せずにオン抵抗を従来品と比較して約40％、スイッチング損失を約50％低減した。（2020/7/15）

組み込み開発ニュース：
SiCパワー半導体の回路シミュレーションを高精度化、三菱電機から新SPICEモデル
三菱電機は2020年7月9日、同社が開発したSiCパワー半導体「SiC-MOSFET」のスイッチング速度を高精度でシミュレーション可能な独自のSPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）モデルを新開発したと発表した。実測とほぼ同等のシミュレーションが可能となり、SiC-MOSFETを搭載したパワーエレクトロニクス機器の回路設計作業を効率化できる、（2020/7/13）

回路設計効率化に貢献：
三菱電機、SiC-MOSFETの高精度SPICEモデルを開発
三菱電機は、SiC-MOSFET「1200V-Nシリーズ」を用いた回路設計時のシミュレーションに有用な、高精度の「SPICEモデル」を開発した。実測とほぼ同じシミュレーション結果が得られるという。（2020/7/10）

ルネサス HIP2211、HIP2210：
100V耐圧ハーフブリッジMOSFETドライバIC
ルネサス エレクトロニクスは、100V耐圧のハーフブリッジMOSFETドライバIC「HIP2211」「HIP2210」を発売した。高性能かつ堅牢で、HI、LI入力、トライステートPWM入力に対応するため、電源供給やモーター駆動機器の設計を簡略化する。（2020/7/10）

三菱電機 SiC-MOSFET 1200V-N：
低電力損失と高い誤動作耐量を備えるSiC-MOSFET
三菱電機は、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V-N」シリーズ6品種のサンプル提供を開始する。低電力損失と高い誤動作耐量を両立しており、車載充電器や太陽光発電などの電源システムの低消費電力化、小型化に貢献する。（2020/7/8）

進化を続けるダブルトレンチ構造：
ローム、耐圧1200Vの第4世代SiC MOSFETを開発
ロームは、第4世代となるSiC MOSFETを開発し、ベアチップでのサンプル提供を始めた。耐圧1200Vの新製品は、短絡耐量時間を維持しながら低オン抵抗を実現した。（2020/6/18）

東芝 TPD7107F：
車載ECU用MOSFETゲートドライバスイッチIPD
東芝デバイス＆ストレージは、車載ECU用のMOSFETゲートドライバスイッチIPD「TPD7107F」の販売を開始した。昇圧回路を内蔵し、多数の保護機能、診断機能を備える。AEC-Q100適合品で、車載機器用途に適している。（2020/6/5）

インフィニオン 650V CoolMOS CFD7Aシリーズ：
最大効率98.4％、車載向け650V耐圧MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、650V耐圧MOSFET「650V CoolMOS CFD7A」シリーズを発売した。最大475Vのバッテリー電圧に対応するほか、ケルビンソース接続により、最大効率は98.4％まで向上する。（2020/5/27）

東芝　U-MOS X-Hシリーズ：
最新プロセス採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、最新世代プロセスを採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS X-H」シリーズを発売した。「TPH2R408QM」「TPN19008QM」の2種を用意する。同社の従来品と比較して、ドレインソース間オン抵抗を約40％低減した。（2020/4/21）

インフィニオン　600V CoolMOS S7：
600V、低オン抵抗の低周波アプリケーション向けMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、低周波アプリケーション向けMOSFET「600V CoolMOS S7」ファミリーを開発した。アクティブブリッジ整流やインバーター、PLC、ソリッドステートリレーなどの用途に適している。（2020/4/15）

東芝 TLP5231：
パワーデバイス向けプリドライブ用フォトカプラ
東芝デバイス＆ストレージは、保護機能を搭載した中大電流IGBTとMOSFETプリドライブ用フォトカプラ「TLP5231」の量産出荷を開始した。産業用インバーターや太陽光発電用パワーコンディショナーなどの用途を見込む。（2020/4/1）

東芝 XK1R9F10QB：
低オン抵抗の100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売した。低オン抵抗でスイッチングノイズも少ない。既に量産出荷を開始している。（2020/3/17）

東芝 XPH4R10ANB、XPH6R30ANB：
48V系車載用100V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPH4R10ANB」「XPH6R30ANB」を発売した。ウェッタブルフランク構造のSOP Advanceパッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が可能だ。（2020/1/22）

トレックス XP231N0201TR：
30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」を発表した。静電対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵する。（2020/1/15）

SBDは量産間近、MOSFETは2021年以降：
GaO MOSFETでSiCを大幅に上回るチャンネル移動度実現
京大発ベンチャーのFLOSFIAは「SEMICON Japan 2019」（2019年12月11〜13日、東京ビッグサイト）で、「GaO（材料名α-Ga▽▽2▽▽O▽▽3▽▽：コランダム構造酸化ガリウム）」パワーデバイスや評価用ボードを展示した。同社は世界初のGaOパワーデバイスとして、ショットキーバリアダイオード（SBD）を2020年中に量産予定だ。また、MOSFETについても、「ノーマリーオフ動作するMOSFETで、市販のSiCの特性を大幅に超えるチャンネル移動度を実現した」と最新の開発状況を紹介。2020年度中のサンプル提供、2021年以降の実用化を目指しているという。（2019/12/18）

トレックス XP23シリーズ：
低オン抵抗汎用PチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、低オン抵抗で高速スイッチング特性を備えた、汎用PチャンネルMOSFET「XP23」シリーズを発表した。オン抵抗は0.33〜5Ωで、耐圧は30V、ドレイン電流は0.2〜1.5Aとなっている。（2019/10/2）

三菱電機が開発：
窒素注入で低抵抗を実現したトレンチ型SiC-MOSFET
三菱電機は2019年9月30日、パワー半導体素子として、独自の電界緩和構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFETを開発したと発表した。耐圧1500V以上を確保しつつ、素子抵抗率において、従来のプレーナー型SiC-MOSFETに比べて約50％減となる1cm2当たり1.84mΩを実現したという。（2019/10/1）

組み込み開発ニュース：
三菱電機から「世界最高レベル」のトレンチ型SiC-MOSFET、信頼性と量産性も確保
三菱電機は、1500V以上の耐圧性能と、「世界最高レベル」（同社）の素子抵抗率となる1cm2当たり1.84mΩを両立するトレンチ型SiC-MOSFETを開発した。家電や産業用機器、自動車などに用いられるパワーエレクトロニクス機器の小型化や省エネ化に貢献する技術として、2021年度以降の実用化を目指す。（2019/10/1）

スイッチング損失を35％も削減：
ローム、4端子パッケージのSiC MOSFETを量産
ロームは、4端子パッケージを採用した耐圧650V／1200VのSiC（炭化ケイ素） MOSFET「SCT3xxx xR」シリーズとして6機種を開発、量産を始めた。従来の3端子製品に比べて、スイッチング損失を35％も削減できるという。（2019/8/29）