「MOSFET」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

MOSFETでノーマリーオフ10A超の動作：
最大の壁、p層を克服！酸化ガリウムでFLOSFIAが達成した「世界初」
FLOSFIAが、「世界で初めて」（同社）酸化ガリウム（α-Ga2O3）MOSFETでノーマリーオフ特性を有する10A超の大電流動作を実現した。酸化ガリウムパワー半導体開発において、最大の課題とされてきた「p層」（導電型p型半導体層）の改良に成功した。（2025/7/2）

名古屋にも拠点設立：
自動車48V化に対応　日本のMOSFET市場に本格参入する台湾セミコンダクター
Taiwan Semiconductorは日本のMOSFET市場に本格参入すると発表し、「PerFET80Vシリーズ」「PerFET100Vシリーズ」の販売を開始した。発表に合わせて同社は日本のメディア向けに説明会を開催した。（2025/6/27）

航続距離伸長や高性能化に貢献：
トヨタの中国向け新型BEV、ローム製SiC MOSFETを搭載
ロームは、トヨタ自動車などが開発した中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」に、第4世代SiC MOSFETを搭載したパワーモジュールが採用されたと発表した。（2025/6/25）

業界標準のピン配置で置き換えが容易：
高周波電力向けのハイサイドローサイドゲートドライバー、リテルヒューズ
Littelfuseジャパンは、高周波電力向けに最適化した高速ハイサイドローサイドゲートドライバー「IXD2012NTR」シリーズを発表した。ハーフブリッジ構成で、2つのNチャンネルMOSFETまたはIGBTを駆動する。（2025/6/20）

EVや再生可能エネルギー向け：
高温環境下でオン抵抗20％減、東芝のSiCトレンチMOSFET
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高温環境下での動作が求められる電気自動車（EV）や再生可能エネルギーなどの電力変換用途に向け、信頼性と効率の向上を可能にする「炭化ケイ素（SiC）トレンチMOSFET」と「SiCスーパージャンクションショットキーバリアダイオード（SJ-SBD）」を開発した。（2025/6/11）

シミュレーション時間がほぼ半減：
ローム、SiC MOSFET用の新SPICEモデルを公開
ロームは、パワー半導体のシミュレーション時間を従来に比べ半減できる新SPICEモデル「ROHMレベル3（L3）」を開発した。L3の第4世代SiC MOSFETモデル（37機種）は既にウェブサイト上で公開しており、製品ページ画面などからダウンロードできる。（2025/6/3）

初のDFN8×8採用品：
90％超の小型化！650V耐圧第3世代SiC MOSFET搭載の新製品、東芝D＆S
東芝デバイス＆ストレージは、650V耐圧の第3世代SiC MOSFETを搭載した4製品を発表した。小型面実装パッケージのDFN8×8を採用し、従来のリード挿入型と比べて体積を90％以上削減。機器の電力密度の向上に貢献する。（2025/6/2）

拡張性に優れたEVパワートレイン設計に：
「ASIL-D」準拠に貢献する車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバー、ST
STマイクロエレクトロニクスは、SiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」を発表した。「ASIL-D」準拠に貢献する保護機能と診断機能を備えている。（2025/5/28）

高SOA耐量と低オン抵抗を両立：
AIサーバ向け100V耐圧パワーMOSFET、ロームが発売
ロームは、48V系電源のAIサーバ向けホットスワップ回路やバッテリー保護が必要な産業機器電源などの用途に向けた100V耐圧パワーMOSFET「RY7P250BM」を開発、販売を始めた。新製品は高いSOA（Safe Operating Area）耐量と低オン抵抗を両立させた。（2025/5/28）

人とくるまのテクノロジー展2025：
GaNデバイスの真価は縦型にあり、豊田合成がGaNウエハーとGaN-MOSFETを披露
豊田合成は、「人とくるまのテクノロジー展 2025 YOKOHAMA」において、GaNウエハーとGaN-MOSFETに関する研究開発成果を披露した。（2025/5/23）

小型かつ大電流対応：
次世代MOSFET搭載のインバーター回路用パワーモジュール、新電元
新電元工業は、車載および産業機器向けのモーター駆動インバーター回路用パワーモジュール「MG031AD」「MG031MF」「MG031AF」「MG031MH」を発表した。定格電流が従来品比1.35倍に向上し、大電流が必要な機器に対応する。（2025/5/21）

パッケージ温度を38℃抑制：
実装面積を52％削減　高電力密度のOBC向けSiCモジュール、ローム
ロームは、4個または6個のSiC MOSFETを内蔵した、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。750V耐圧品「BSTxxx1P4K01」を6品番、1200V耐圧品「BSTxxx2P4K01」を7品番用意する。（2025/5/20）

独自構造でセル集積度を向上：
「業界トップ」の低オン抵抗　急速充電向けMOSFET、ローム
ロームは、Nチャンネル30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発した。2.0×2.0×0.55mmパッケージでのオン抵抗が2.0mΩと低く、部品面積当たりのオン抵抗も低減できる。（2025/5/2）

4in1および6in1構成：
実装面積を半減、ロームの車載充電器向け新SiCモジュール
ロームが、電動車（xEV）用オンボードチャージャー（OBC）向けに新たなSiC（炭化ケイ素）モジュールを開発した。高放熱パッケージおよび低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETによって一般品DIPモジュール比で1.4倍以上と「業界トップクラス」（同社）の電力密度を実現し、実装面積の大幅な削減を可能とした。（2025/4/24）

スマホの急速充電回路など向け：
同等サイズのGaN HEMTよりも低いオン抵抗を実現したMOSFET
ロームは、パッケージの外形寸法が2.0×2.0mmと小さく、オン抵抗が2.0mΩ（代表値）のN型30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発、量産を始めた。スマートフォンの急速充電回路などに提案していく。（2025/4/16）

「M3 SiC」技術を採用：
省電力で低コストな1200V SiC搭載パワーモジュール、オンセミ
オンセミは、1200V SiC MOSFETベースのインテリジェントパワーモジュール「SPM31」を発表した。ハイサイドゲートドライバーやLVIC、6つのSiC MOSFET、温度センサーで構成される。（2025/4/10）

PCBからの放熱も軽減：
上面放熱パッケージの1200V SiC MOSFET、Nexperia
Nexperiaは、表面実装（SMD）上面放熱パッケージ「X.PAK」を採用した、産業向け1200V SiC MOSFET製品シリーズを発表した。太陽光発電インバーターやバッテリー蓄電システムなどでの用途に適する。（2025/4/9）

p型ダイヤモンドMOSFETを試作：
ダイヤモンド半導体でアンペア級動作を初めて実証
産業技術総合研究所（産総研）は、本田技術研究所との共同研究において、p型ダイヤモンドMOSFETを試作し、アンペア級の高速スイッチング動作を初めて実証した。今後は次世代モビリティのパワーユニットに搭載し、社会実装に向けた動作検証などを行っていく。（2025/3/26）

東芝 TK024N60Z1：
低スイッチング損失／低導通損失　600V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、600V耐圧スーパージャンクション構造のNチャンネルパワーMOSFET「TK024N60Z1」を製品化した。ドレインソース間のオン抵抗を最大0.024Ωに抑えている。（2025/3/25）

総システムコストの低減が可能に：
SiC MOSFETベースのIPM、高エネルギー効率を実現
オンセミは、定格電圧1200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFETをベースとしたインテリジェントパワーモジュール（IPM）「EliteSiC SPM31」を発表した。IGBT技術を用いた従来品に比べ、小型で高いエネルギー効率と電力密度を達成した。（2025/3/24）

ローム RS7E200BG、RS7N200BH、RS7N160BH：
サーバの高効率化に　低オン抵抗／高耐量のパワーMOSFET
ロームは、低オン抵抗で高耐量のNチャンネルパワーMOSFET「RS7E200BG」「RS7N200BH」「RS7N160BH」を発表した。5.0×6.0mmのDFN5060-8Sパッケージを採用し、同サイズのHSOP8と比較して、パッケージ内のチップ面積が約65％拡大した。（2025/3/13）

インフィニオン CoolSiC MOSFET 650V：
電力密度向上に貢献　Q-DPAK／TOLLパッケージのSiC MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、「CoolSiC MOSFET 650V」のディスクリート製品に、Q-DPAKとTOLLパッケージの製品ファミリーを追加した。Q-DPAKパッケージではオン抵抗7mΩ／10mΩ／15mΩ／20mΩ製品、TOLLパッケージでは同10〜60mΩ製品の提供を開始した。（2025/3/10）

新電元工業 MF2008SW：
理想ダイオードとして利用できるNチャンネルMOSFETゲートドライバーIC
新電元工業は、車載機器向けのハイサイドNチャンネルMOSFETゲートドライバーIC「MF2008SW」を発売した。NチャンネルMOSFETと組み合わせることで、理想ダイオードや半導体リレーとして使用できる。（2025/3/4）

リテルヒューズ TPSMB非対称シリーズ：
車載SIC MOSFET向け　非対称TVSダイオード
リテルヒューズは、車載用炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに、非対称の過渡電圧サプレッサーダイオード「TPSMB非対称TVSダイオード」シリーズを発表した。高性能な過電圧保護が必要なSiC MOSFETゲートドライバーに対し、優れた保護機能を提供する。（2025/2/21）

反転層チャネル型の特性を示す：
MOS界面の荒れを改善 低抵抗のダイヤモンドMOSFETを作製
金沢大学の研究グループは産業技術総合研究所などと共同で、完全に平たんなダイヤモンド表面をMOS界面に用いた「反転層チャネル型ダイヤモンドMOSFET」の作製に成功した。動作時の低抵抗化を実現したことで、ダイヤモンドMOSFETの性能を高めることが可能となる。（2025/2/19）

新電元工業 TOLLパッケージシリーズ：
実装面積25％低減、車載用大電流パワーMOSFET
新電元工業は、車載機器向け第5世代パワーMOSFET「TOLLパッケージ」シリーズを発売した。新パッケージによって実装面積を従来品に比べて約25％削減。定格電流232Aの大電流を達成した。（2025/2/12）

第39回 ネプコン ジャパン：
電力損失15％減、三菱電機が第8世代IGBT搭載産業用モジュールを公開
三菱電機は「第39回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展。パワーデバイス事業の戦略を紹介したほか、開発中の8インチSiC-MOSFETウエハーや新開発の第8世代IGBTを搭載した産業用モジュールを展示した。（2025/2/3）

さまざまな電源トポロジーに対応：
PR：準備不要でパワーMOSFETが事前検証できるオンライン電源回路シミュレーター
環境構築不要かつ少ない設計ノウハウでさまざまなトポロジーの電源回路を本格的に検証できるオンラインシミュレーターが登場した。MOSFET選定の効率化が期待できるこのシミュレーターを詳しく紹介する。（2025/1/30）

トレックス XPJ101N04N8R、XPJ102N09N8R：
低オン抵抗の高速スイッチングパワーMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、高速スイッチングパワーMOSFET「XPJ101N04N8R」「XPJ102N09N8R」を発表した。低オン抵抗が特徴で、エネルギー損失を抑制し、システム全体の効率向上に寄与する。（2025/1/28）

ルネサス RBA300N10EANS、RBA300N10EHPF：
オン抵抗を30％低減、100V耐圧のNチャネルMOSFET
ルネサス エレクトロニクスは、100V耐圧のNチャネルMOSFETの新製品として、TOLLパッケージ製品「RBA300N10EANS」および、TOLGパッケージ製品「RBA300N10EHPF」を発売する。（2025/1/27）

STマイクロ STL300N4F8、STL305N4F8AG：
「STripFET F8」で電力効率が向上　40VパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、40VパワーMOSFET「STL300N4F8」「STL305N4F8AG」を発表した。強化したトレンチゲート技術を用いた「STripFET F8テクノロジー」を採用している。（2025/1/21）

ネクスペリア PSMN1R0-100ASFなど16種：
銅板2枚でダイ挟む新パッケージで性能向上、80V／100V MOSFET
ネクスペリアは、新パッケージ「CCPAK1212」を採用した80Vおよび100VのパワーMOSFET16種を発表した。CCPAK1212は、銅板2枚でシリコンダイを挟んだ構造となっている。（2024/12/27）

リテルヒューズ IXTN400N20X4、IXTN500N20X4：
オン抵抗を63％低減した200VパワーMOSFET
リテルヒューズは、ウルトラジャンクションX4クラス200VパワーMOSFET「IXTN400N20X4」「IXTN500N20X4」を発売した。現行品と比較して、最大2倍の電流定格と最大63％低いオン抵抗値を達成している。【訂正あり】（2024/12/23）

東芝 X5M007E120：
低オン抵抗／高信頼性　車載向けSiC MOSFETベアダイ品
東芝デバイス＆ストレージは、車載トラクションインバーター用1200V耐圧SiC MOSFETのベアダイ製品「X5M007E120」を発表した。ショットキーバリアダイオードの配置を市松模様に変更したことで、バイポーラー通電を効果的に抑える。（2024/11/22）

サンプル出荷を開始：
「斜めからのイオン注入」で損失低減　三菱電機のxEV用SiC-MOSFET
三菱電機は、電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターに向けた標準仕様のパワー半導体チップ「SiC-MOSFET」を開発、サンプル出荷を始めた。xEVの航続距離を延伸でき、電費の改善につながるとみている。（2024/11/14）

組み込み開発ニュース：
STマイクロが第4世代SiC-MOSFETを発表、第5世代以降のロードマップも
STマイクロエレクトロニクスが従来と比べて電力効率や電力密度、堅牢性を大幅に向上する第4世代SiC-MOSFETを発表。2025年第1四半期以降に提供を開始する予定で、その後2027年に向けてプレーナー構造をベースにした第5世代の開発や、高温動作時に極めて低いオン抵抗を実現する技術の導入などを進めていく方針である。（2024/9/30）

750Vおよび1200V品を予定：
STが最新世代SiC MOSFETを発表、EVインバーター向けに最適化
STMicroelectronicsが、最新世代となる第4世代SiC MOSFET技術を開発した。定格電圧750Vおよび1200Vの製品を提供予定。電力効率や電力密度、堅牢性を向上し、特に次世代のEV（電気自動車）トラクションインバーター向けに最適化されているという。（2024/9/26）

PCIM Europe 2024：
初の車載SiCモジュールで市場展開を加速、三菱電機
三菱電機は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、モールドタイプのxEV用インバーター用パワー半導体モジュール「J3」シリーズや、鉄道および直流送電などの大型産業機器向けのSBD内蔵SiC MOSFETモジュールなど、各分野向けに開発した新製品を紹介していた。（2024/9/11）

PCIM Europe 2024：
AIサーバ向け特化品も、第2世代SiC MOSFETを拡充するInfineon
2024年3月に第2世代のSiC MOSFET製品を発表し、続々と製品ラインアップを拡充。市場シェア拡大に向けた取り組みを加速するInfineon Technologies。今回、同社グリーンインダストリアルパワー部門フェローを務めるPeter Friedrichs氏に、最新製品の特長や市場の展望などを聞いた。（2024/9/11）

ローム BD28C55FJ-LB／54FJ-LB／57LFJ-LB／57HFJ-LB：
UVLO対応、PWM制御方式汎用AC-DCコントローラーIC
ロームは、PWM制御方式FET外付けタイプAC-DCコントローラーIC4種を発売した。低電圧誤動作防止機能を搭載し、Si-MOSFET、IGBT、SiC（炭化ケイ素） MOSFETまで幅広いパワートランジスタに対応する。（2024/9/2）

ネクスペリア NextPower 80V/100V MOSFET：
LFPAK88／56パッケージを採用した80V／100V MOSFET
ネクスペリアは、「NextPower 80V/100V MOSFET」シリーズの製品群に、5×6mm、8×8mmのLFPAKパッケージを用いた新製品を追加した。オン抵抗1.8〜15mΩの中から選択可能なため、設計の柔軟性が向上する。（2024/8/30）

ローム RF9x120BKFRA、RQ3xxx0BxFRA、RD3x0xxBKHRB：
スプリットゲート構造を採用した車載向けNch MOSFET
ロームは、車載向けNch MOSFET「RF9x120BKFRA」「RQ3xxx0BxFRA」「RD3x0xxBKHRB」を開発した。10機種を用意し、パッケージは2.0×2.0mmのDFN2020Y7LSAA、3.3×3.3mmのHSMT8AG、6.6×10.0mmのTO-252（DPAK）の3種から選択できる。（2024/8/23）

新世代の「DTMOSVIシリーズ」：
650V耐圧の高速ダイオードタイプパワーMOSFET、東芝D＆S
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高速ダイオードタイプ（DTMOSVI（HSD））の「650V耐圧NチャネルパワーMOSFET」を発売した。データセンター向けスイッチング電源や太陽光発電パワーコンディショナー、EV充電スタンドなどの用途に向ける。（2024/8/22）

オンセミ（onsemi） EliteSiC M3e MOSFET：
ターンオフ損失が前世代品比で半減したSiC MOSFET
オンセミ（onsemi）は、同社のSiC（炭化ケイ素）プラットフォームの最新世代となる「EliteSiC M3e MOSFET」を発表した。既にTO-247-4Lパッケージを用いたサンプル品の出荷を開始している。（2024/8/6）

組み込み開発ニュース：
サージ電圧を最小限に抑制する設計を採用したSiCパワーモジュール
新電元工業は、民生および産業機器向けのSiCパワーモジュール「MG074」のサンプル出荷を発表した。新たに開発したパッケージを採用し、搭載するSiC-MOSFETの性能を最大限に引き出している。（2024/8/1）

小さいゲート抵抗で発振抑制：
寄生発振抑制と高速スイッチングを両立、東芝のSiCモジュール
東芝デバイス＆ストレージ（以下、東芝D＆S）と東芝は、SiCｰMOSFETを搭載したパワーモジュールの寄生発振を抑制する独自技術を開発した。【修正あり】（2024/7/29）

AC/DC変換回路の実装面積を大幅に削減：
PR：「緻密なゲート駆動制御」はもう要らない　GaN内蔵のフライバックレギュレータ
米MPSは、GaN FETを内蔵したフライバックレギュレータの製品群を拡大している。次世代パワー半導体の材料として期待されるGaNだが、Si MOSFETに比べてGaN FETの扱いは格段に難しい。ゲート駆動がSi MOSFETのように容易ではなく、緻密な制御を要求されるからだ。その難しさを取り除き、GaNソリューションを採用しやすくするのがMPSのGaN FET内蔵フライバックレギュレータだ。（2024/7/8）

PCIM Europe 2024：
ミネベアパワーデバイス、EV向けSiCパワーモジュール開発品を初公開
ミネベアパワーデバイス（旧：日立パワーデバイス）がドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、開発中の電気自動車（EV）向けSiCパワーモジュールを初公開した。同社独自の構造である「VC Fin-SiC」構造のSiC トレンチMOSFETを採用する予定で、量産に向けて開発を進めているという。（2024/6/27）

電力密度は一般品の1.5倍：
xEV用インバーターを小型化する2in1 SiCモールドタイプモジュール
ロームは、2in1仕様のSiC（炭化ケイ素）モールドタイプモジュール「TRCDRIVE pack」シリーズを開発した。同社の第4世代SiC MOSFETを採用し、300kWまでのxEV向けトラクションインバーターに対応する。（2024/6/27）

インフィニオンの「CoolSiC」：
効率99.5％を実現　400V耐圧のSiCパワーMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、第2世代のCoolSiC（炭化ケイ素）技術を採用した、SiCパワーMOSFET「CoolSiC MOSFET 400V」ファミリーを発表した。高い電力密度と効率を実現した。（2024/6/25）