SiC MOSFETベースのIPM、高エネルギー効率を実現：総システムコストの低減が可能に

オンセミは、定格電圧1200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFETをベースとしたインテリジェントパワーモジュール（IPM）「EliteSiC SPM31」を発表した。IGBT技術を用いた従来品に比べ、小型で高いエネルギー効率と電力密度を達成した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

ECファンの年間エネルギー消費量とコストを52％節減も

　オンセミは2025年3月、定格電圧1200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFETをベースとしたインテリジェントパワーモジュール（IPM）「EliteSiC SPM31」を発表した。IGBT技術を用いた従来品に比べ、小型で高いエネルギー効率と電力密度を達成した。

EliteSiC SPM31の外観［クリックで拡大］ 出所：オンセミ

　EliteSiC SPM31は、独立したハイサイドゲートドライバーや低電圧集積回路（LVIC）、6個のEliteSiC MOSFETおよび、温度センサーなどを1パッケージに集積した。定格電流は40A〜70Aの品種を用意している。耐久性や信頼性を示す短絡耐量（SCWT）も向上させるなど、ハードスイッチング用途に最適化した。

　一例だが、AIデータセンターで利用されるECファンの場合、従来のIGBTベースのパワー統合モジュールを用いると、70％の負荷で500Wの電力損失が発生する。これをEliteSiC SPM31に置き換えれば、ECファン1台当たりの年間エネルギー消費量とコストを52％も削減できるという。

　オンセミでは、ECファンの他、ヒートポンプや業務用HVAC、サーボモーター、ロボティックス、可変周波数ドライブ（VFD）、産業用ポンプなど、三相インバーターモータードライブを行う用途に提案していく。