電力損失15％減、三菱電機が第8世代IGBT搭載産業用モジュールを公開：第39回ネプコンジャパン（1/2 ページ）

三菱電機は「第39回ネプコンジャパン -エレクトロニクス開発・実装展-」に出展。パワーデバイス事業の戦略を紹介したほか、開発中の8インチSiC-MOSFETウエハーや新開発の第8世代IGBTを搭載した産業用モジュールを展示した。

» 2025年02月03日 10時30分公開

[浅井涼，EE Times Japan]

　三菱電機は「第39回ネプコンジャパン -エレクトロニクス開発・実装展-」（2025年1月22～24日、東京ビッグサイト）に出展し、パワーデバイスの戦略や新製品を紹介した。

開発中の8インチSiC MOSFETウエハー

　三菱電機はパワーデバイス事業の戦略として、SiCを核に中長期での高成長が見込まれる自動車分野と同社が強みを持つ再生可能エネルギー／民生機器分野に注力している。

　同社は2030年度のパワーデバイス事業におけるSiC関連の売上比率を30％以上に高めることを目指し、生産体制を強化している。また、2023年10月には、8インチ基板の調達安定化を目的としたCoherentのSiC事業会社への約750億円の出資を、同年11月にはSiCディスクリート市場への販路拡大を目指したNexperiaとの戦略的パートナーシップ締結を相次いで発表。成長戦略の実現に向けた取り組みを進めてきた。