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「斜めからのイオン注入」で損失低減　三菱電機のxEV用SiC-MOSFET：サンプル出荷を開始

三菱電機は、電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターに向けた標準仕様のパワー半導体チップ「SiC-MOSFET」を開発、サンプル出荷を始めた。xEVの航続距離を延伸でき、電費の改善につながるとみている。

» 2024年11月14日 10時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

トレンチ型を採用、プレーナー型に比べ電力損失を半減

　三菱電機は2024年11月、電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターに向けた標準仕様のパワー半導体チップ「SiC-MOSFET」を開発、サンプル出荷を始めた。xEVの航続距離を延伸でき、電費の改善につながるとみている。

　開発したxEV用SiC-MOSFETは、オン抵抗を低減するため独自構造のトレンチ型を採用した。しかも、イオン注入を斜め方向から行うことで、垂直方向から行う従来方式に比べスイッチング損失を抑えることができた。

　これらの工夫を行ったことで、従来のプレーナー型と比べ電力損失を約50％も低減した。この結果、インバーター性能を向上させることができ、xEVの電費改善などを可能とした。

　製造プロセスにおいても、独自のゲート酸化膜製法などを適用することで、スイッチングオン／オフ動作の繰り返しによって発生する電力損失やオン抵抗などの変動を抑制した。これにより、長期間にわたる品質安定性や、インバーターの耐久性を確保できるという。

　新製品として今回は、定格電圧が1200V、オン抵抗が9.0mΩの「WF0009Q-1200AA」と、同じく750Vで7.8mΩの「WF0008Q-0750AA」を用意した。サンプル価格は個別見積もり。

xEV用SiC-MOSFETを製造したウエハーと素子のイメージ［クリックで拡大］出所：三菱電機

12畳を1台でモニタリング　検知面積が従来比2倍の赤外線センサー
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