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トヨタの中国向け新型BEV、ローム製SiC MOSFETを搭載：航続距離伸長や高性能化に貢献

ロームは、トヨタ自動車などが開発した中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」に、第4世代SiC MOSFETを搭載したパワーモジュールが採用されたと発表した。

» 2025年06月25日 13時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

中国市場に向けた「bZ5」のトラクションインバーターに採用される

　ロームは2025年6月、トヨタ自動車などが開発した中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」に、第4世代SiC MOSFETを搭載したパワーモジュールが採用されたと発表した。

　bZ5は、トヨタ自動車とBYD TOYOTA EV TECHNOLOGYカンパニー（BTET）、一汽トヨタ自動車などが共同開発したクロスオーバーBEVで、Z世代と呼ばれる若い世代のユーザーに向けて開発した。2025年6月より一汽トヨタ自動車が発売している。

　bZ5のトラクションインバーターに採用されたパワーモジュールは、ロームと中国の正海集団による合弁会社「上海海姆希科半導体（HAIMOSIC（SHANGHAI））」が量産し、供給を行っている。同パワーモジュールを搭載した効果もあり、bZ5の航続距離は下位グレードで550km、上位グレードでは630km（CLTCモード）を達成している。

bZ5の外観［クリックで拡大］出所：ローム

　ロームは、SiCパワーデバイスの開発に注力している。2025年には第5世代となるSiC MOSFETの生産ラインを構築するとともに、第6世代およびそれ以降の製品についても市場投入を前倒しする計画。また、モジュールでの提供に加え、ベアチップやディスクリートなど、さまざまな形態でSiCパワーデバイスを供給できる体制を強化していく予定である。

PFC＋フライバック制御レファレンスで電源を小型に、ローム
ロームは、「LogiCoA」電源ソリューションの第2弾として、PFC（力率改善）とフライバックという2種類のコンバーターを1個のマイコンで制御できる電源のレファレンスデザイン「REF67004」を開発した。
ロームとNVIDIA、AIファクトリー実現に向け協業
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ローム、SiC MOSFET用の新SPICEモデルを公開
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AIサーバ向け100V耐圧パワーMOSFET、ロームが発売
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ローム初の高耐圧GaNデバイス向け絶縁ゲートドライバーIC
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実装面積を半減、ロームの車載充電器向け新SiCモジュール
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