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「IGBT」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

Clean Skyとの協業:
航空宇宙用途のSiCパワーモジュール開発、Microchip
Microchip Technologyは、欧州委員会(EC)コンソーシアムのメンバーであるClean Skyとの協業により、航空宇宙用途に向けたSiC(炭化ケイ素)ベースのパワーモジュール製品ファミリー「BL1/BL2/BL3」を開発した。(2021/9/1)

サンケン電気 パワーモジュール開発統括部長兼マーケティング統括部長 福田光伸氏:
PR:開発/生産効率アップで市場ニーズに応えるパワーモジュールを迅速投入 ―― サンケン電気
サンケン電気は2021年度から3カ年中期経営計画をスタートし、マーケティング力の強化、開発効率の向上を図り、パワーデバイス、パワーモジュール、センサーという3つのコアで構成する半導体事業の成長を図る。特に需要拡大が見込まれるパワーモジュール領域に注力し、白物家電、自動車、産業機器に向けた新製品投入を活発化させる方針。同社半導体事業本部マーケティング本部でパワーモジュール開発統括部長および、マーケティング統括部長を務める福田光伸氏にサンケン電気の技術/製品開発戦略を聞いた。(2021/8/24)

トレックス セミコンダクター 執行役員 山本智晴氏/開発本部 大川智氏:
PR:協業や企画力強化で省電力/小型/低ノイズ電源ICの価値の最大化に挑むトレックス
電源ICメーカーであるトレックス セミコンダクターは、省電力、小型、低ノイズといった特長を持つ高付加価値電源ICのラインアップを中高耐圧領域などへと広げている。同時に、ユニークな電源周辺デバイスの開発やパートナー企業との協業も積極的に行いシステムレベルのソリューションを構築し、電源ICの価値を最大化する取り組みにも着手。2021年度から5カ年の中期経営計画をスタートさせ、さらなる事業成長に挑む同社執行役員で製品企画 海外統括本部長を務める山本智晴氏と開発本部製品開発部XCL製品グループ長の大川智氏に、技術開発/製品開発戦略について聞いた。(2021/8/24)

インフィニオン 650V TRENCHSTOP 5 WR6:
汚染に強いパッケージを採用した650V IGBT
インフィニオン テクノロジーズは、汚染に強いTO-247-3-HCCパッケージのディスクリートIGBT「650V TRENCHSTOP 5 WR6」ファミリーを発表した。住宅や商業用空調システム、溶接アプリケーションの力率改善に適する。(2021/8/18)

大山聡の業界スコープ(44):
日本の半導体産業を復興させるために ―― 経産省「半導体・デジタル産業戦略」を読み解く
2021年6月、経産省は「半導体・デジタル産業戦略」を公表した。経産省がどのようなことを半導体産業界に呼び掛けているのか。それに対して現状の半導体業界はどうなのか、私見を織り交ぜて分析してみたい。(2021/8/17)

マイクロチップ 1700V SiC MOSFET:
1700V SiC MOSFETのパワーソリューション
マイクロチップ・テクノロジーは、1700V SiC MOSFETのダイ、ディスクリートおよびパワーモジュールを発表した。同製品群をIGBTから置き換えることで、充電ステーションの小型化やバッテリー駆動車両の走行距離、動作時間の延長が可能になる。(2021/8/5)

建物の全配電網にインテリジェンス統合を:
Infineon、電気制御のデジタル化に向けAmberと協業
Infineon Technologies(以下、Infineon)とAmber Solutions(以下、Amber)が協業を発表した。Amberが開発した半導体アーキテクチャによって電気のデジタル制御を実現する技術を、共同で製品化していく考えだ。(2021/7/15)

オシロスコープの最新動向:
多チャンネルのオシロスコープ特集〜大手5社の8chモデル紹介〜
今回はオシロスコープの最新動向として主要メーカー5社の8chモデルの概要を紹介する。(2021/7/12)

従来のIGBTに比べ損失を67%低減:
ローム、SiC SBDを内蔵した耐圧650VのIGBTを開発
ロームは、SiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵した耐圧650VのIGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65Cシリーズ」を開発した。車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠しており、xEV(電動化車両)や太陽光発電などの用途に向ける。(2021/7/12)

三菱電機 CM400DY-40T:
DC1500V対応の2.0kV耐電圧IGBTモジュール
三菱電機は、産業向け2.0kV IGBTモジュール「T」シリーズとして、「CM400DY-40T」を発売する。DC1500Vの電力変換機器に適したIGBTモジュールで、同社によると2.0kV耐電圧は業界初となる。(2021/6/23)

オンセミ NXH010P120MNF1、NXH006P120MNF2:
EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。(2021/6/18)

電動化:
手乗りサイズのGaNモジュールを富士通ゼネラル子会社が開発、EV補機向けにも展開
富士通ゼネラル傘下の富士通ゼネラルエレクトロニクスが米国トランスフォーム製のGaN-FETチップを採用した最大定格650V/40A級の小型GaNモジュールを開発。200Vクラスを上回る高耐圧で、ゲートドライブ回路を内蔵するとともに、パワーデバイスを4素子以上搭載するフルブリッジ構成のGaNモジュールは「業界初」(同社)だという。(2021/6/16)

2030年事業規模100億円目指す:
富士通ゼネラル、高耐圧GaNパワーモジュールを製品化
富士通ゼネラルの子会社である富士通ゼネラルエレクトロニクスは2021年6月15日、高耐圧GaN(窒化ガリウム)FETを用いたGaNパワーモジュールを開発し、2021年秋からサンプル出荷を開始すると発表した。(2021/6/15)

富士経済が世界市場を調査:
パワー半導体、2030年に4兆471億円規模へ
パワー半導体市場は2020年の2兆8043億円に対し、2030年は4兆471億円規模に達する見通し――。富士経済が、SiC(炭化ケイ素)などの次世代パワー半導体とSi(シリコン)パワー半導体の世界市場を調査した。(2021/6/15)

ルネサス RV1S9231A、RV1S9207A、RV1S9209A:
産業機器や太陽光発電向けフォトカプラ
ルネサス エレクトロニクスは、産業機器や太陽光発電インバーター向けのフォトカプラとして、IGBT駆動用の「RV1S9231A」「RV1S9207A」、IPM駆動用の「RV1S9209A」を発売し、量産を開始した。(2021/6/8)

自動車業界の1週間を振り返る:
次の東京モーターショーは「グリーン&デジタル」、脱炭素の要請も加速?
1週間、おつかれさまでした。週末です。2021年の折り返しが見えてきました。(2021/6/5)

製造マネジメントニュース:
三菱電機が新中計、5つの重点成長事業で2025年度に売上高5兆円と営利10%目指す
三菱電機が2021〜2025年度の中期経営計画について説明。2025年度目標として、売上高5兆円、営業利益率10%、ROE10%、5年間累計のキャッシュジェネレーション3.4兆円を掲げるとともに、重点成長事業に定めた、FA制御システム、空調冷熱システム、ビルシステム、電動化/ADAS、パワーデバイスの5事業に資源投入を重点配分する方針を打ち出した。(2021/6/4)

スイッチング損失を最大40.5%低減:
東芝、トリプルゲートIGBTとゲート制御技術を開発
東芝は、スイッチング損失を全体で最大40.5%も低減できる「トリプルゲートIGBT」を開発した。再生可能エネルギーシステムや電気自動車(EV)などに搭載される電力変換器の高効率化に向けて、早期実用化を目指す。(2021/6/4)

組み込み開発ニュース:
東芝がトリプルゲートIGBTを開発、3つのゲート電極でスイッチング損失を4割削減
東芝は、インバーターやDC-DCコンバーターなどの電力変換器に広く用いられているパワー半導体のIGBTについて、電力のオンとオフが切り替わるスイッチング時の損失を従来比で最大40.5%低減できる「トリプルゲートIGBT」を開発したと発表した。今後、信頼性の確認など実用化に向けた開発を進めて、2023〜2024年に製品化を判断したい考え。(2021/6/2)

自動車業界の1週間を振り返る:
「人テク展」がオンラインで開幕、バーチャルだからこその発見もあるかも
5月が終わります! 1週間、お疲れさまでした。(2021/5/29)

車載半導体:
インフィニオンが電動車向けSiCパワーデバイスを強化、武器はIGBTからの移行しやすさ
インフィニオンは、EV(電気自動車)向けのSiCパワーデバイスの展開を本格化させる。これまでハイブリッド車(HEV)など電動車向けに100万個以上の出荷実績があるIGBT搭載のモジュール「Hybrid PACK Drive」にSiC搭載版を用意し、自動車メーカーがこれまでと同じフットプリントのままインバーターをアップグレードできるようにする。(2021/5/24)

航続距離を5%以上伸ばせる:
EVのインバーター向けSiC-MOSFETパワーモジュール
Infineon Technologiesの日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2021年5月19日、電気自動車(EV)やハイブリッド自動車(HEV)といった電動車両のトラクションインバーター向けに、SiC-MOSFETを搭載したパワーモジュール「HybridPACK Drive CoolSiC」を発表した。(2021/5/21)

ローム BM6337x:
低ノイズで低損失の600V耐圧IGBTモジュール
ロームは、600V耐圧のIGBT IPM「BM6337x」シリーズを発表した。放射ノイズと電力損失を低減した、定格電流10〜30Aの8種類を用意する。白物家電や産業機器のインバーターでの利用に適している。(2021/5/17)

FAニュース:
大型産業機器向けパワー半導体モジュールのラインアップを拡充
三菱電機は、大型産業機器向けパワー半導体モジュール「X」シリーズに、「HVIGBTモジュール」2品種と「HVDIODEモジュール」5品種を追加した。ラインアップ拡充により、鉄道車両、大型産業機器向けインバーターの幅広い容量帯に対応する。(2021/5/17)

HVIGBT/HVDIODEモジュール:
三菱電機、パワー半導体モジュールXシリーズ拡充
三菱電機は、鉄道車両や直流送電、大型産業機械などに用いるインバーター向けパワー半導体モジュール「Xシリーズ」7品種を開発、2021年7月1日以降に順次発売する。(2021/4/28)

放射ノイズと電力損失を同時に低減:
耐圧600VのIGBT IPM「BM6337xシリーズ」を開発
ロームは、放射ノイズと電力損失を同時に低減した耐圧600VのIGBT IPM「BM6337xシリーズ」8機種を発表した。白物家電や小型産業機器向けインバーターなどの用途に向ける。(2021/4/26)

FAニュース:
汎用インバーターシリーズを大幅に刷新、業界最高クラスの応答性に
富士電機は、汎用インバーター「FRENIC-MEGA」シリーズを大幅に刷新した。応答性を業界最高クラスに高めて生産効率を向上したほか、予知保全機能の追加や冷却機構の見直しがなされている。(2021/4/16)

工場ニュース:
東芝、生産能力増強に向け300mmウエハー対応製造ラインを導入
東芝デバイス&ストレージは、300mmウエハー対応製造ラインを加賀東芝エレクトロニクス構内に導入すると発表した。導入により、低耐圧MOSFETやIGBTの生産能力を増強する。(2021/3/31)

筑波事業所で車載ヒューズを生産:
Littelfuseジャパン、日本でのサポート体制を強化
Littelfuseジャパンは、筑波事業所を活用したローカルサポート体制の強化などにより、日本市場での2桁成長を持続し、2025年には全社に占める日本での売上高構成比を現在の約2倍となる10%規模に拡大していく計画だ。(2021/3/19)

定常損失とスイッチング損失を低減:
富士電機、定格電圧1200VのIGBTを4製品追加
富士電機は、ディスクリートIGBT「XSシリーズ」として新たに、低損失を実現した定格電圧1200Vの4製品を追加、販売を始めた。無停電電源装置(UPS)やパワーコンディショナー(PCS)、EV(電気自動車)用充電器などの用途に向ける。(2021/3/17)

2023年度上期に稼働開始:
加賀東芝に300mmウエハー対応製造ラインを導入へ
東芝デバイス&ストレージは2021年3月10日、加賀東芝エレクトロニクス(以下、加賀東芝)構内に300mmウエハー対応の製造ラインを導入し、パワーデバイスの生産能力を増強すると発表した。同ラインは2023年度上期に稼働を開始する予定だ。投資金額は約250億円。(2021/3/11)

インフィニオン CoolSiC Hybrid IGBT:
還流SiC-SBDを搭載したIGBT
インフィニオン テクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード(SiC-SBD)を採用し、スイッチング損失を低減した。(2021/3/3)

2021年は「良い年になる」:
ルネサス、2020年12月期業績を発表
ルネサス エレクトロニクスは2021年2月10日、2020年12月期(2020年度)通期決算を発表した。2020年度通期業績(Non-GAAPベース)は、売上高7157億円(前年比0.4%減)、営業利益1375億円(同48.6%増/営業利益率19.2%)、純利益1115億円(同46.9%増)と減収増益となった。売上総利益率は、47.3%で前年よりも4.4ポイント上昇した。(2021/2/12)

大山聡の業界スコープ(39):
半導体不足という「有事」が問うニッポン半導体産業のあるべき姿
2021年2月6日付の日本経済新聞1面に「半導体『持たざる経営』転機 有事の供給にリスク」という記事が掲載された。昨今はこの記事以外にも半導体業界に関する記事が注目を集めているようで、この業界に長らく関わっている筆者としてもありがたいことだ。ただ、半導体業界関連の記事をよく読んでみると「そうかな?」と首をかしげる記事も少なくない。冒頭に挙げた記事も、分かりやすく簡潔にまとまっているように見えるが、逆にまとまり過ぎていて、筆者の主張したいことが多々こぼれ落ちているように読めた。そこで、今回は半導体産業のあるべき姿について、私見を述べさせていただくことにする。(2021/2/10)

トレックス・セミコンダクター 代表取締役社長 芝宮孝司氏:
PR:“アナログの泥臭さ”が生きる低電圧出力が勝負どころに、設計力を底上げしタイムリーな製品投入を狙う
小型・低消費電力の電源ICに強みを持つトレックス・セミコンダクター。新しい中期経営計画の初年度となる2021年度は、主力製品のラインアップ拡充を図る他、資本提携したインドのアナログICメーカーとの協業による設計力の底上げと、半導体受託製造を手掛ける子会社フェニテックセミコンダクターの工場移管による高収益体制の確立を目指す。同社社長の芝宮孝司氏に、事業戦略を聞いた。(2021/1/13)

三菱電機 HVIGBTモジュール Xシリーズ dualタイプHV100:
定格電流600Aの大型産業機器向けHVIGBT
三菱電機は、耐電圧3.3kV、絶縁耐圧10kVrmsの「HVIGBTモジュール Xシリーズ dualタイプHV100」2品種のサンプル提供を2021年4月から開始する。定格電流600Aにより、大型産業機器向けインバーターの高出力、高効率化に対応する。(2021/1/8)

第7世代「Xシリーズ」素子を搭載:
富士電機、低損失の新型IGBTモジュールを発売
富士電機は、IGBTモジュール「XシリーズIGBT-IPM」を発売した。第7世代と位置付けるIGBT素子「Xシリーズ」を搭載することで損失を低減した。NC工作機械や産業用ロボットなどの用途に向ける。(2020/12/24)

シリコンIGBTの性能向上を実証:
両面ゲートIGBT、スイッチング損失を6割低減
東京大学生産技術研究所は、シリコンIGBTの表裏両面にMOSトランジスタのゲートを設けた「両面ゲートIGBT」を作製し、表面だけの従来構造に比べ、スイッチング損失を62%低減できることを実証した。(2020/12/9)

EV用充電回路のサイズは半分に:
PR:ドライバ統合で電力密度が倍増、次世代GaN FETが電源設計に新たな価値をもたらす
10年間、GaNパワーデバイスの研究開発に投資し、性能と信頼性を向上してきたTexas Instruments(TI)。同社が開発した新しい650Vおよび600VのGaN FETは、Siliconドライバや保護回路を統合することで、電力密度をさらに高めた製品となっている。(2020/12/11)

組み込み開発ニュース:
両面ゲートIGBTのスイッチング損失を最大62%低減、東京大学が新技術開発
東京大学 生産技術研究所は2020年12月7日、ゲート両面の動作タイミングを最適化することなどを通じて、両面ゲートIGBTのスイッチング損失を、片面ゲートIGBTと比較して最大62%低減することに成功したと発表。(2020/12/8)

価格はシリコンと同水準、UnitedSiC:
「業界最高の性能指数を実現」する750V耐圧SiC FET
米国UnitedSiCは2020年12月1日(現地時間)、同社の「第4世代SiC FET」として、750V耐圧の新製品を発表した。同社は、単位面積当たりのオン抵抗やスイッチング性能など、「業界最高の性能指数」を実現したと説明している。またコスト面でも、「スーパージャンクション(SJ)構造のシリコンMOSFETのプレミアム品とほぼ同水準の価格だ」という。(2020/12/4)

インフィニオン CoolSiC MOSFET:
1200V対応、自然冷却のパワーMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、SiCパワーMOSFETファミリー「CoolSiC MOSFET」に1200V用に最適化された新製品を追加した。自然空冷を可能にしたことで冷却ファンや関連設備を不要とし、損失も従来比で最大80%削減できる。(2020/11/26)

ソフトウェアの再利用性など強みに:
CASEからPACEへ、コロナ後に向けたルネサスの車載戦略
ルネサス エレクトロニクスは2020年10月28日、オンラインで車載事業に関する説明会を実施し、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)が車載市場に与える影響およびコロナ後に向けた同社のソリューションなどについて語った。(2020/11/4)

産業機器と自動車用途向けに投入:
STとサンケン電気、高耐圧・高出力のIPMを共同開発
STマイクロエレクトロニクスとサンケン電気は、産業機器や自動車用途向けに、高耐圧で高出力のインテリジェントパワーモジュール(IPM)を共同で開発していく。(2020/10/28)

富士経済が新型コロナの影響を検証:
パワー半導体市場、2020年予測を一部下方修正
富士経済は、2020年のパワー半導体世界市場について、2020年2月に発表した予測を一部下方修正した。前回予想に比べSi(シリコン)パワー半導体は大幅に縮小、次世代パワー半導体は伸び率が鈍化する見通しとなった。(2020/10/22)

機器の電力損失を大幅に削減:
東芝、耐圧1200VのSiC MOSFETを発売
東芝デバイス&ストレージは、耐圧1200VのSiC(炭化ケイ素)MOSFET「TW070J120B」を開発、出荷を始めた。産業機器向けAC-DCコンバーターや太陽光インバーター、大容量の双方向DC-DCコンバーターなどの用途に向ける。(2020/10/21)

ゲート抵抗の変化にも対応:
東芝、IGBTとFWD向け回路モデルを新たに開発
東芝デバイス&ストレージは、外部環境の変化に対応して電力効率とEMIノイズを高精度に予測できるIGBTとFWD(Free Wheeling Diode)向けの回路モデルを新たに開発した。(2020/9/28)

電力損失を従来比約70%も低減:
三菱電機、産業用フルSiCパワーモジュール発売
三菱電機は、パワー半導体の新製品として、産業用機器に向けたフルSiC(炭化ケイ素)パワーモジュール9品種を開発、2021年1月から順次発売する。(2020/9/16)

Littelfuseジャパン代表 亥子正高氏:
幅広い製品群をあらゆる用途へ、SiCパワーICにも注力
1927年の創業以来、ヒューズやポリマーPTC、TVSダイオードといった回路保護素子を手掛けてきた米Littelfuse。同社の日本法人であるLittelfuseジャパンでは2020年4月、それまで取締役営業本部長を務めていた亥子正高氏が代表に就任した。同氏に、日本での戦略や、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)による影響などを聞いた。(2020/9/2)

半導体リレーの小型/低損失化に向けて:
SJ構造を用いたバイポーラトランジスタ開発
新日本無線と山梨大学は2020年8月、コレクタ領域をスーパージャンクション構造としたシリコンバイポーラトランジスタ(SJ-BJT)を開発したと発表した。半導体を用いたリレー(ソリッドステートリレー/SSR)の小型化、低損失化が実現できるパワーデバイスだという。(2020/9/2)


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この度「質問!ITmedia」は、誠に勝手ながら2020年9月30日(水)をもちまして、サービスを終了することといたしました。長きに渡るご愛顧に御礼申し上げます。これまでご利用いただいてまいりました皆様にはご不便をおかけいたしますが、ご理解のほどお願い申し上げます。≫「質問!ITmedia」サービス終了のお知らせ

にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。

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