「GaN」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
「コイン1枚に5トンのゾウ4頭分」の応力を制御、300mm GaNウエハーの量産近づく
300mmウエハーでの量産が始まれば、大幅なコスト低減が期待できます。（2025/8/18）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2025年8月号：
GaN、SiCパワー半導体の技術革新　PCIM 2025レポート――電子版2025年8月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年8月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート』です。（2025/8/18）

Ryzen AI 9 HX 370搭載のポータブルゲーミングPC「AOKZOE A1X」を試す　大画面×高性能でAAAゲームもプレイ可能！
AOKZOEの新しいポータブルゲーミングPC「AOKZOE A1X」では、Ryzen AI 9 HX 370というパワフルなAPUを搭載する構成も用意している。どれほどの実力があるのか、チェックしてみよう。（2025/8/15）

中長期での競争見据え：
TSMCが6インチウエハー製造を段階的に停止へ
TSMCは、6インチウエハー製造を段階的に停止する。レガシーの工場を閉鎖し、先端プロセスによる300mmウエハーへの注力を強めている。（2025/8/14）

成長温度が電気特性などに影響：
スパッタ法で高品質ScAlN薄膜の作製に成功
東京理科大学の研究グループは、東京大学や住友電気工業と共同で、汎用性の高いスパッタ法を用い、高品質の窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）薄膜を作製することに成功した。（2025/8/13）

クイズで学ぶ！　半導体の基礎知識：
【問題】GaNパワートランジスタの特長は？
EDN Japanの記事からクイズを出題！　半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「GaNパワートランジスタの特長」についてです。（2025/8/12）

GaNのビジネスモデルはIDMが強いのか：
TSMCのGaN撤退が示唆すること
TSMCが2027年7月までにGaNファウンドリー事業から撤退すると決定した。これは、GaNパワーデバイスのビジネスモデルにとって何を意味しているのか。（2025/8/6）

フロッピーディスク型のモバイルバッテリー登場　64GBストレージ内蔵版も
0＆1は、フロッピーディスク型モバイルバッテリー「TP09U」の先行販売をクラウドファンディングサービス「CAMPFIRE」で開始。プロジェクト公開を記念し、5％オフクーポンも配布している。（2025/8/6）

GaN搭載6.6kW OBC試作品を公開：
「GaNのコストは5年以内にSi並みに」　ロームの勝ち筋は
「窒化ガリウム（GaN）は、遅くとも5年以内にシリコン（Si）のコストに追い付くだろう」――。ロームは、GaNパワー半導体の大きな課題の1つとされるコスト面について、こうした見解を示す。民生向け中心からAIサーバや車載などへの展開が加速し、本格化してきたGaNパワー半導体市場。ロームは、GaNのさらなる普及に注力しながら、独自の強みを生かし市場での存在感を高めていく方針だ。（2025/8/5）

Anker、小型ながら70W出力の新充電器「Nano Charger」発売　6999円で早速Amazonに登場
Anker（アンカー）は8月1日、3ポートを搭載しながら最大70Wの高出力を実現するUSB急速充電器「Anker Nano Charger（70W, 3 Ports）」を発売した。価格は6999円（税込み）となっている。複数のGaN（窒化ガリウム）チップを内蔵することで、一般的な67W出力の充電器と比べて約55％もの省サイズを実現した。（2025/8/2）

映画「M3GAN／ミーガン 2.0」突然の劇場公開中止、説明なくファン当惑──AI人形の恐怖を描くサイコスリラー
東宝東和は1日、映画「M3GAN／ミーガン 2.0」の劇場公開を中止すると発表した。理由は明らかにしていない。（2025/8/1）

日本向けサポートが充実：
SiC／GaNにも　数秒で解析が完了するパワエレ向け国産回路シミュレーター
スマートエナジー研究所は「TECHNO-FRONTIER 2025」（2025年7月23〜25日、東京ビッグサイト）に出展し、パワーエレクトロニクス向けの高速回路シミュレーター「Scideam（サイディーム）」を紹介した。（2025/7/25）

複雑なパワー半導体の作製が容易に：
二酸化ゲルマニウム半導体技術が前進、イオン注入でn型導電性
Patentixは、次世代のパワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）結晶膜に対し、イオン注入法によりドナー不純物を添加することで、n型導電性を付与することに成功した。これにより、複雑な構造を有するパワー半導体デバイスの作製が容易になる。（2025/7/25）

アリゾナ工場への投資がヒントに：
GaN撤退のTSMC、その後の戦略を考察する
TSMCが窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業から撤退するニュースは大きな話題となった。撤退して後の「リソースの余力」を、TSMCはどこに振り分けるのか。（2025/7/24）

PCIM Expo&Conference 2025：
新JFETやSuper Junction品投入へ、InfineonのSiC戦略
Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40％削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。（2025/7/23）

PR：設計者やクリエイターの作業効率を高めるレノボのワークステーションと周辺機器　その秘密を“中の人”が解説
3D CADを扱う設計者や映像（動画／写真）を扱うクリエイターが使うPCは、高性能な「ワークステーション」を選ぶと作業の効率を高めやすい。中でもレノボ・ジャパンの「ThinkStation」「ThinkPad P／Tシリーズ」は、純正周辺機器も含めてより多くの選択肢を提供している。その魅力を同社の“中の人”が語った。（2025/7/30）

研究開発の最前線：
高周波GaNトランジスタの性能向上に役立つ「二次元電子ガス」散乱機構を解明
東京大学は、住友電気工業と共同で、窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）と窒化ガリウム（GaN）のヘテロ接合における二次元電子ガス（2DEG）の散乱機構を解明した。（2025/7/22）

頭脳放談：
第302回 「一体何が？」花形だったはずのパワー半導体に悲報続出、EV市場と“中国”という誤算
浮き沈みの激しい日本半導体の中で、成長エンジンとして期待されていたパワー半導体分野に暗雲が立ち込めている。ルネサス エレクトロニクスが協業するパワー半導体向けのSiCウェハを製造するWolfspeedがChapter 11を申請してしまうなど、暗いニュースが続いている。TSMCもパワー半導体向けのGaNファウンドリ事業から撤退することを明らかにしている。パワー半導体についてのこうした残念なニュースの背景について解説する。（2025/7/18）

SiC／GaNも活用：
AIサーバラックへの電力供給は1台当たり1MW超に　高効率化で備えるInfineon
AIの需要増加で、ネットワーク上のデータ量は急速に増加している。2010年から2025年の15年間で、データ量は145倍になる見込みだ。チップ性能の向上で、計算量も指数関数的に増加していて、シングルプロセッサの電力需要は3〜4カ月ごとに倍増している。これに伴い、AIデータセンターによる送電網への負担、コスト、堅牢性／信頼性が重要な課題となっている。これに対しInfineon Technologiesは、AIデータセンター向けの電力供給システムの開発を進めている。（2025/7/16）

PCIM Expo&Conference 2025：
買収で市場機会拡大、SiC JFET技術獲得でonsemiが狙う新市場
2025年1月にQorvoのSiC JFET事業を買収したonsemiは、AIデータセンター向け電源におけるニーズへの対応やソリッドステート回路遮断器（SSCB）など新たな市場機会の開拓を進めている。（2025/7/15）

Japan Drone 2025：
総合モーターメーカーがドローン参入　エッジAI搭載の速度制御装置とモーターを初披露
総合モーターメーカーのニデックが、ドローン分野への参入をまた一歩前進させた。「Japan Drone 2025」に初出展し、独自開発のESC（電子速度制御装置）と、それを搭載したドローン用モーターを披露。軽量／高効率の設計に加え、エッジAIによる異常検知機能など、空のモビリティーの安全を支える新たな動力技術に注目が集まった。（2025/7/11）

組み込み開発ニュース：
AIデータセンターは2029年にサーバ1台の電力が1MW超へ、システム構成はどうなる
インフィニオンテクノロジーズ ジャパンは、生成AIの登場により高性能化への要求が大幅に高まっているAIデータセンター向け電力供給システムの市場動向と同社の取り組みについて説明した。（2025/7/11）

ダイサイズを14％縮小：
ルネサス、Transphorm買収後初のGaN新製品を発売　AIデータセンター向け
ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の新製品を発表した。2024年6月にTransphormを買収して以来初めての新製品だ。（2025/7/11）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
スピードが求められる半導体製造　化学分析サービスは近くが大きな利点
今回はOKIエンジニアリングが群馬県高崎市内にあるOKIの西横手工場内で開設した化学分析拠点「高崎ラボ」についてつらつら語っています。（2025/7/10）

モビリティメルマガ 編集後記：
ルネサスはSiCやめちゃうの？
中断するけどまだやめるとまでは言ってませんね。（2025/7/9）

研究開発の最前線：
メモリ動作の低電圧化や消費電力の削減に貢献する新たな強誘電体窒化物
東京科学大学は、窒化アルミニウムと窒化ガリウムを合金化し、結晶にスカンジウムを従来より多く取り入れた膜を作製できることを発見した。（2025/7/9）

ベルキンが220以上の製品を最大39％オフ、iPhone 16シリーズ製品も対象：Amazonプライムデー
ベルキンは、7月8日から14日まで開催の「Amazonプライムデー」と先行セールに参加。iPhone 16シリーズ製品やワイヤレス充電器、ドッキングステーションなど220以上の製品を最大39％オフで販売する。（2025/7/8）

PR：UGREENが最大50％セールを開催　充電器やモバイルバッテリーの買い替えチャンス！【限定クーポンあり】
大容量の高性能モバイルバッテリーや、快適な装着感が魅力のオープンイヤー型イヤホン、人気ゲーム「原神」とコラボした急速充電器の3製品を紹介しよう。（2025/7/8）

「現時点で大きな影響は無い」：
TSMCがGaN事業撤退へ、ロームは「さまざまな可能性を協議」
TSMCが2027年7月までにGaNファウンドリー事業から撤退すると決定した。同社と協業するロームは「協業体制の維持、深化に向けて、引き続き互いの強みを融合させることで市場／顧客ニーズに適切に対応していく」と述べている。（2025/7/7）

今後2年かけ段階的に：
TSMCがGaNファウンドリー事業から撤退へ、NavitasはPSMCと提携で対応
TSMCが2027年7月までにGaNファウンドリー事業から撤退することが分かった。これを受け、同社に製造を委託するNavitas SemiconductorはPSMCとの戦略的提携を発表した。（2025/7/4）

次世代パワー半導体材料として注目：
ルチル型二酸化ゲルマニウムのバルク結晶を合成
Patentixは、次世代のパワー半導体材料として注目されている「ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）」のバルク結晶を合成することに成功した。今後はこのバルク結晶を種結晶として用い、引き上げ法などによって大口径化や高品質化を図り、市場投入を目指す。（2025/7/2）

時価総額6倍は5年延長：
「やっぱりルネサスだと言われないと」 柴田CEOが原点回帰を強調
ルネサス エレクトロニクスは2025年6月26日に経営戦略説明会を実施。社長の柴田英利氏は、組み込みプロセッシングという同社のコアの強みを磨くべく「基本に立ち戻る」ことを強調した。（2025/6/27）

組み込み開発ニュース：
ルネサスが「意志ある踊り場」で研究開発に注力、成長目標達成時期は5年延期
ルネサス エレクトロニクスが同社の概況や事業方針などについて説明。市場環境の不確実性が高まる中で、成長目標の達成時期を2030年から2035年に延期するとともに、研究開発への注力による足場固めを優先する方針を表明した。（2025/6/27）

マテリアルズインフォマティクス：
SpaceXやAppleに見る、日本のモノづくり力を過去の栄光とした先進の材料設計とは
エンソートのマイケル・ハイバー氏が「研究開発におけるAI活用事例：マテリアルズインフォマティクスによる材料探索と製品開発」と題した講演を行い、日本のモノづくり力を超える原動力となりつつあるAIを活用した先進的な材料設計について説明した。（2025/6/26）

高効率の電力供給システム開発へ：
ロームとNVIDIA、AIファクトリー実現に向け協業
ロームは、次世代AIデータセンターに向けた「800V電力供給アーキテクチャ」の開発で、NVIDIAと協業する。新たなデータセンターの設計に対しロームは、Si（シリコン）に加え、ワイドバンドギャップ半導体のSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）など、最先端のパワー半導体デバイスを提供していく。（2025/6/19）

小型モジュールで設置性も向上：
5G-Advanced基地局用GaN増幅器モジュールを開発、三菱電機
三菱電機、5G-Advanced基地局用の7GHz帯GaN（窒化ガリウム）増幅器モジュールを開発、通信信号を用いて性能実証にも成功した。（2025/6/17）

2つのスイッチを統合：
インフィニオンが650VのGaN双方向スイッチ、複数の変換ステージが不要に
インフィニオン テクノロジーズは、GaN双方向スイッチ「CoolGaN BDS 650V G5」を発表した。2つのスイッチを統合しており、単一ステージでの電力変換に対応。既に受注を開始している。（2025/6/13）

超低損失と高飽和磁束密度を両立：
次世代パワエレ向け軟磁性ナノ結晶圧粉コアを開発
トーキンは、次世代パワーエレクトロニクスに向けた「軟磁性ナノ結晶圧粉コア」を、東北大学と共同開発した。新材料は従来材料を大きく上回る超低損失と高飽和磁束密度を実現しており、電力変換機器のさらなる高効率化と小型化が可能となる。（2025/6/13）

Verbatim、GaN技術を採用した小型設計のUSB充電器
Verbatim Japanは、小型設計のUSB充電器計5製品を発売する。（2025/6/2）

電子ブックレット：
シャープのディスプレイ／半導体デバイス事業のこれまで
「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、2012年以降にEE Times Japanで扱った、シャープのディスプレイ／半導体デバイス事業に関する記事をまとめた。（2025/6/2）

「Zenfone 12 Ultra」国内上陸　独自AIやカメラ機能を強化、シリーズ初のeSIM対応　14万9800円から
ASUS JAPANが5月30日に最新スマートフォン「Zenfone 12 Ultra」を発売する。クラウドとオンデバイスで処理をする独自のAI機能を備えている。カメラは手ブレ補正や動画撮影機能を強化した。価格は16万9800円から。（2025/5/28）

「パワエレの革命だ」：
Navitasが「世界で初めて」量産化した650V 双方向GaN IC
Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、「世界で初めて」（同社）量産化した650V 双方向GaN ICなどを紹介した。説明担当者は「高効率化やコスト削減、設計の大幅なコンパクト化を実現する。これはパワーエレクトロニクスにおける革命だ」と語っていた。（2025/5/28）

PR：UGREENの周辺機器が最大39％オフになるセール開催　100W充電器やモバイルバッテリー、M.2 SSDケースに注目！
（2025/5/28）

ドローン：
GaNパワー半導体デバイスを搭載した小型軽量のドローン用ESC
ニデックは、次世代技術のGaNパワー半導体デバイスを搭載した、小型軽量のドローン用ESCを開発した。重量を従来の3分の1に抑えるだけでなく、モーター効率も向上させている。（2025/5/26）

次世代パワー半導体量産の基盤技術：
独自手法でβ型酸化ガリウムを高速成長
東京農工大学の熊谷義直教授らのグループは、次世代パワー半導体の材料として注目されている「β型酸化ガリウム」結晶を、高速に成長させる技術を開発した。このβ型酸化ガリウム結晶は、独自の減圧ホットウォール有機金属気相成長（MOVPE）法を用いて成長させ、高い精度でn型キャリア密度を制御している。（2025/5/26）

なぜ“充電器のアンカー”が「カフェ事業」に乗り出すのか？
最も象徴的だったのが、猿渡歩CEOによるカフェ事業への参入だ。（2025/5/24）

人とくるまのテクノロジー展2025：
GaNデバイスの真価は縦型にあり、豊田合成がGaNウエハーとGaN-MOSFETを披露
豊田合成は、「人とくるまのテクノロジー展 2025 YOKOHAMA」において、GaNウエハーとGaN-MOSFETに関する研究開発成果を披露した。（2025/5/23）

2035年には6195億円に拡大も：
SiCウエハー市場、単価下落で伸び率鈍化
富士経済は、パワー半導体向けウエハーの世界市場について、2035年までの予測を発表した。特に注目しているがSiCウエハー市場で、2024年の1436億円に対し、2035年は6195億円と約4.3倍に拡大すると予測した。（2025/5/23）

「AIチップで直接電力変換を可能に」：
NVIDIAとInfineon、AIサーバ向け800V電力供給アーキテクチャを共同開発
Infineon TechnologiesがNVIDIAと協業し、次世代AIデータセンター向けに「業界初」（同社）の800V高電圧直流（HVDC）電力供給アーキテクチャを開発する。Infineonは「将来のAIデータセンターに必要な電力供給アーキテクチャに革命を起こす」などと強調している。（2025/5/21）

高効率、低コストを実現：
2個の従来デバイスを1個で置き換え、Infineonの650V GaN双方向スイッチ
Infineon Technologiesが双方向の電圧／電流制御が可能な窒化ガリウム（GaN）デバイス「CoolGaN bidirectional switch 650V G5」（以下、CoolGaN BDS 650V G5）を発表した。同製品1個で2個の従来型スイッチを置き換えられ、部品点数、コスト、サイズ、全体的な電力損失を削減できる。（2025/5/20）